本發(fā)明涉及一種印制線路板制備方法，具體涉及一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法。

背景技術(shù)：

線路板對(duì)于電子器件具有非常重要的意義。目前線路板制備方法主要有熱轉(zhuǎn)印法，感光濕膜法，感光干膜法。這三種方法都需要使用銅箔，而且通過(guò)蝕刻等步驟將銅箔部分消融。步驟大致如下：

1、對(duì)位：在基底上覆蓋銅箔，將干膜覆蓋于該銅箔上（干膜為感光物質(zhì)），然后將圖形菲林覆蓋于該干膜上，得到線路板前體；2、曝光固化：向該線路板前體上垂直照射紫外光，干膜被紫外光照射后固化，沒(méi)有被紫外光照射的干膜則不能固化；3、顯影：通過(guò)化學(xué)溶液顯影，將沒(méi)有固化的干膜及菲林除去，使剩余的干膜暴露，該剩余的干膜圖形與菲林上的圖形一致；4、蝕刻：再通過(guò)化學(xué)溶液進(jìn)行蝕刻，使沒(méi)有被干膜遮住的銅箔被腐蝕，洗滌，去干膜，得到線路板，該線路板上銅線的圖形與菲林圖形一致；5、烘干、貼膜：烘干后貼膜，完成線路板的制作。上述的蝕刻工序?qū)⒊ジ层~板上超過(guò)50%的銅，而除去的銅往往難以回收利用而直接以廢水的形式排走，不但造成大量的金屬資源浪費(fèi)，含有重金屬離子的廢水更容易造成嚴(yán)重的環(huán)境污染，限制線路板制造行業(yè)的發(fā)展。

現(xiàn)已有人將物理氣相沉積技術(shù)應(yīng)用于線路板生產(chǎn)，使用磁控磁鍍技術(shù)在絕緣基板上形成導(dǎo)電層，如申請(qǐng)?zhí)枮?335743和1579754的中國(guó)專利公開(kāi)了在絕緣基體表面形成一完整的導(dǎo)電層，對(duì)具有導(dǎo)電層的絕緣基體整版鍍上金屬層后，再在金屬層上蝕刻電路。但仍需要對(duì)絕緣基體進(jìn)行整版鍍上金屬層后，進(jìn)行蝕刻方能獲得線路，無(wú)法有效降低含銅廢水的產(chǎn)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明公開(kāi)一種降低金屬原料損失、無(wú)須蝕刻的印制線路板制備方法。

本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲印；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

本發(fā)明利用磁控磁鍍直接在絕緣基體上形成線路。由于無(wú)需進(jìn)行蝕刻操作而直接形成線路，本發(fā)明可有效提高線路板生產(chǎn)的效率，同時(shí)杜絕了蝕刻廢水的產(chǎn)生，有效降低金屬原料的消耗的同時(shí)改善線路板生產(chǎn)行業(yè)的環(huán)境友好度。所述磁控技術(shù)可選用任意一種在絕緣基體上實(shí)現(xiàn)的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。其余未詳細(xì)說(shuō)明的工序，均可選用現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

本發(fā)明利用隔離層遮擋絕緣基體上的非線路區(qū)域，而裸露需要形成線路的區(qū)域，通過(guò)磁控磁鍍直接在絕緣基體上形成線路，并通過(guò)電鍍加厚線路，最終獲得成品。所述電鍍可選用任意一種現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。所述隔離層應(yīng)當(dāng)選用絕緣材料制成，在磁控磁鍍完畢后，將隔離層從絕緣基體上剝離。同時(shí)，可以將附著在隔離層表面的金屬剝離回收。第二次磁控磁鍍的目的是進(jìn)一步加厚線路，避免所形成的線路存在斷開(kāi)、過(guò)薄等不良問(wèn)題。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為150-200℃；直流磁鍍時(shí)間分別為92秒-221秒，磁鍍功率為50W-60W。

進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為100-180℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1000秒-2000秒，磁鍍功率為50W-70W。

本發(fā)明對(duì)磁控磁鍍的工藝進(jìn)行優(yōu)化，提高金屬層對(duì)絕緣基體的附著強(qiáng)度、耐磨性，提高所獲得的線路圖形的質(zhì)量。

更進(jìn)一步的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為15 － 20ASF，電鍍時(shí)間為 90 － 100min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括21-35份的焦磷酸銅、2-10份乙二胺四乙酸、1-5份檸檬酸鈉、0.5-1份咪唑啉、0.04-0.09份二甲基甲酰胺以及900-1000份的去離子水。

本發(fā)明對(duì)電鍍工藝進(jìn)行優(yōu)化，尤其是咪唑啉和二甲基甲酰胺協(xié)效，可有效提升所形成線路表面、邊緣的平整度，避免所制得的線路板產(chǎn)生短路、靜電等不良問(wèn)題。

更進(jìn)一步的，（1.2）后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；（1.3）后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

優(yōu)選的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括60-70份聚氯乙烯、0.05-0.17份二氧化硅、0.1-0.5份巴比妥酸、0.3-0.9份3-吡啶磺酸以及1-5份磷酸二氫鉀。

所述二氧化硅優(yōu)選為市售的直徑在10-50微米的二氧化硅粉末。所述巴比妥酸又稱丙二酰脲，化學(xué)名：2,4,6-嘧啶三酮；可由丙二酸二乙酯與尿素在乙醇鈉催化下發(fā)生縮合反應(yīng)而得，為現(xiàn)有技術(shù)。所述3-吡啶磺酸為現(xiàn)有技術(shù)。所述磷酸二氫鉀為現(xiàn)有技術(shù)。本發(fā)明特別對(duì)隔離層的成分進(jìn)行優(yōu)化，其中的巴比妥酸與3-吡啶磺酸協(xié)效，可以有效降低隔離層與金屬離子的親和力，減少隔離層上附著的金屬；而磷酸二氫鉀的添加，更能降低金屬與聚氯乙烯的結(jié)合強(qiáng)度，便于將金屬層從隔離層表面剝離回收。本發(fā)明的隔離層可采用現(xiàn)有技術(shù)制備成一整塊薄膜（如注塑、吹塑等），裁切去需要形成線路的部分即可。

所述焦磷酸銅由硫酸銅溶液與無(wú)水焦磷酸溶液進(jìn)行復(fù)分解反應(yīng)制得。所述乙二胺四乙酸為現(xiàn)有技術(shù)。所述檸檬酸鈉為現(xiàn)有技術(shù)。所述咪唑啉又稱二氫咪唑（dihydroimidazole）。有4,5-,2,5-和2,3-二氫咪唑三種異構(gòu)體，或根據(jù)雙鍵位置又分別稱為2-咪唑啉、3-咪唑啉和4-咪唑啉；本發(fā)明中可選用任意一種實(shí)現(xiàn)。所述二甲基甲酰胺是利用乙酸和二甲基胺制造的，為現(xiàn)有技術(shù)。本發(fā)明對(duì)電鍍工藝進(jìn)行優(yōu)化，尤其是咪唑啉和二甲基甲酰胺協(xié)效，可有效提升所形成線路表面、邊緣的平整度，避免所制得的線路板產(chǎn)生短路、靜電等不良問(wèn)題。

優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為800-1500V，占空比為30-60%。

在磁鍍過(guò)程中對(duì)絕緣基體施加偏壓電源，可以對(duì)磁鍍形成的金屬層清洗，提高線路表面的光潔度。本發(fā)明對(duì)偏壓電源的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，有利于進(jìn)一步提高線路的結(jié)合強(qiáng)度和均勻度。

優(yōu)選的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1200-1800V，占空比為20-70%，活化時(shí)間為60-90分鐘。

活化處理有利于提高絕緣基體對(duì)金屬層的附著力，防止所形成的金屬層與絕緣基體直接出現(xiàn)氣孔等結(jié)構(gòu)而降低結(jié)合強(qiáng)度。

優(yōu)選的，所述靶沖步驟中所靶沖的定位孔直徑為 1.8-2.2mm。

本發(fā)明利用隔離層遮擋絕緣基體上的非線路區(qū)域，而裸露需要形成線路的區(qū)域，通過(guò)磁控磁鍍直接在絕緣基體上形成線路，并通過(guò)電鍍加厚線路，最終獲得成品。由于無(wú)需進(jìn)行蝕刻操作而直接形成線路，本發(fā)明可有效提高線路板生產(chǎn)的效率，同時(shí)杜絕了蝕刻廢水的產(chǎn)生，有效降低金屬原料的消耗的同時(shí)改善線路板生產(chǎn)行業(yè)的環(huán)境友好度。

具體實(shí)施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下面將結(jié)合以及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述：

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲印；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

所述裁切、鉆孔、阻焊、層壓、疊層、絲印、層壓、成品檢查等工序均可選用現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。其他線路板生產(chǎn)的必要工序也可采用任意一種現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

本實(shí)施例中，所述絕緣基體選用環(huán)氧樹(shù)脂制成。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為170℃；直流磁鍍時(shí)間分別為120秒，磁鍍功率為55W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為120℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1500秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括65份聚氯乙烯、0.12份二氧化硅、0.2份巴比妥酸、0.5份3-吡啶磺酸以及3份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為17ASF，電鍍時(shí)間為110min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括25份的焦磷酸銅、6份乙二胺四乙酸、4份檸檬酸鈉、0.8份咪唑啉、0.07份二甲基甲酰胺以及950份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1000V，占空比為40%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1500V，占空比為50%，活化時(shí)間為70分鐘。

實(shí)施例2

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲印；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。本實(shí)施例中，所述絕緣基體為陶瓷絕緣基體。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為200℃；直流磁鍍時(shí)間分別為92秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為100℃；直流磁鍍時(shí)間分別為2000秒，磁鍍功率為50W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括70份聚氯乙烯、0.05份二氧化硅、0.5份巴比妥酸、0.3份3-吡啶磺酸以及5份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為15 ASF，電鍍時(shí)間為100min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括21份的焦磷酸銅、10份乙二胺四乙酸、1份檸檬酸鈉、1份咪唑啉、0.04份二甲基甲酰胺以及1000份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為800V，占空比為60%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1800V，占空比為20%，活化時(shí)間為90分鐘。

實(shí)施例3

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲??；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。本實(shí)施例中，所述絕緣基體為市售的半固化片。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為150℃；直流磁鍍時(shí)間分別為221秒，磁鍍功率為50W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為180℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1000秒，磁鍍功率為70W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括60份聚氯乙烯、0.17份二氧化硅、0.1份巴比妥酸、0.9份3-吡啶磺酸以及1份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為20ASF，電鍍時(shí)間為 90 min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括35份的焦磷酸銅、2份乙二胺四乙酸、5份檸檬酸鈉、0.5份咪唑啉、0.09份二甲基甲酰胺以及900份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1500V，占空比為30%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1200V，占空比為70%，活化時(shí)間為60分鐘。

實(shí)施例4

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲印；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

進(jìn)一步的，本實(shí)施例中所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為160℃；直流磁鍍時(shí)間分別為200秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為120℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1200秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括68份聚氯乙烯、0.10份二氧化硅、0.4份巴比妥酸、0.7份3-吡啶磺酸以及4份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為18ASF，電鍍時(shí)間為92min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括30份的焦磷酸銅、3份乙二胺四乙酸、2份檸檬酸鈉、0.9份咪唑啉、0.08份二甲基甲酰胺以及1000份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1000V，占空比為40%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.3pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1300V，占空比為30%，活化時(shí)間為65分鐘。

實(shí)施例5

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲?。?/p>

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為300℃；直流磁鍍時(shí)間分別為90秒，磁鍍功率為70W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為200℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1000秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括61份聚氯乙烯、0.15份二氧化硅、0.4份巴比妥酸、0.6份3-吡啶磺酸以及3份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為16ASF，電鍍時(shí)間為 98min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括22份的焦磷酸銅、8份乙二胺四乙酸、2份檸檬酸鈉、0.7份咪唑啉、0.07份二甲基甲酰胺以及920份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1400V，占空比為50%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.1pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1400V，占空比為60%，活化時(shí)間為80分鐘。

實(shí)施例6

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲?。?/p>

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為190℃；直流磁鍍時(shí)間分別為200秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為130℃；直流磁鍍時(shí)間分別為2000秒，磁鍍功率為70W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括60-70份聚氯乙烯、0.05-0.17份二氧化硅、0.1-0.5份巴比妥酸、0.3-0.9份3-吡啶磺酸以及1-5份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為15 － 20ASF，電鍍時(shí)間為 90 － 100min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括21-35份的焦磷酸銅、2-10份乙二胺四乙酸、1-5份檸檬酸鈉、0.5-1份咪唑啉、0.04-0.09份二甲基甲酰胺以及900-1000份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為800-1500V，占空比為30-60%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1200-1800V，占空比為20-70%，活化時(shí)間為60-90分鐘。

實(shí)施例7

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲?。?/p>

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為30ml/min，工作氣壓為0 .6Pa；真空室溫度為100℃；直流磁鍍時(shí)間分別為300秒，磁鍍功率為70W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍?yōu)橄葘⒄婵帐页檎婵罩帘镜渍婵斩?×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為30ml/min，工作氣壓為0 .6Pa；真空室溫度為100℃；直流磁鍍時(shí)間分別為300秒，磁鍍功率為70W。

優(yōu)選的，所述隔離層為感光油墨，采用負(fù)片曝光制成。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為30ASF，電鍍時(shí)間為150min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括21-35份的焦磷酸銅、2-10份乙二胺四乙酸、1-5份檸檬酸鈉、0.5-1份咪唑啉、0.04-0.09份二甲基甲酰胺以及900-1000份的去離子水。

實(shí)施例8

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲?。?/p>

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為170℃；直流磁鍍時(shí)間分別為120秒，磁鍍功率為55W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為120℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1500秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括65份聚氯乙烯、0.12份二氧化硅、0.5份3-吡啶磺酸以及3份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為17ASF，電鍍時(shí)間為110min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括25份的焦磷酸銅、6份乙二胺四乙酸、4份檸檬酸鈉、0.8份咪唑啉、0.07份二甲基甲酰胺以及950份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1000V，占空比為40%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1500V，占空比為50%，活化時(shí)間為70分鐘。

實(shí)施例9

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲?。?/p>

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

本實(shí)施例中，所述絕緣基體選用環(huán)氧樹(shù)脂制成。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為170℃；直流磁鍍時(shí)間分別為120秒，磁鍍功率為55W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為120℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1500秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括65份聚氯乙烯、0.12份二氧化硅、0.2份巴比妥酸、0.5份3-吡啶磺酸以及3份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為17ASF，電鍍時(shí)間為110min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括25份的焦磷酸銅、6份乙二胺四乙酸、4份檸檬酸鈉、0.07份二甲基甲酰胺以及950份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1000V，占空比為40%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1500V，占空比為50%，活化時(shí)間為70分鐘。

實(shí)施例10

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲??；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

本實(shí)施例中，所述絕緣基體選用環(huán)氧樹(shù)脂制成。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為170℃；直流磁鍍時(shí)間分別為120秒，磁鍍功率為55W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為120℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1500秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括65份聚氯乙烯、0.12份二氧化硅、0.2份巴比妥酸以及3份磷酸二氫鉀。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為17ASF，電鍍時(shí)間為110min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括25份的焦磷酸銅、6份乙二胺四乙酸、4份檸檬酸鈉、0.8份咪唑啉、0.07份甲酰胺以及950份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1000V，占空比為40%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1500V，占空比為50%，活化時(shí)間為70分鐘。

實(shí)施例11

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲印；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

本實(shí)施例中，所述絕緣基體選用環(huán)氧樹(shù)脂制成。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為170℃；直流磁鍍時(shí)間分別為120秒，磁鍍功率為55W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為120℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1500秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括65份聚氯乙烯、0.12份二氧化硅、0.2份巴比妥酸、0.5份3-吡啶磺酸。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為17ASF，電鍍時(shí)間為110min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括25份的焦磷酸銅、6份乙二胺四乙酸、4份檸檬酸鈉以及950份的去離子水。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1000V，占空比為40%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1500V，占空比為50%，活化時(shí)間為70分鐘。

實(shí)施例12

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲??；

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

進(jìn)一步的，所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：

（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；

（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；

（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；

（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。

本實(shí)施例中，所述絕緣基體選用環(huán)氧樹(shù)脂制成。

進(jìn)一步的，所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為170℃；直流磁鍍時(shí)間分別為120秒，磁鍍功率為55W。

更進(jìn)一步的，所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10^-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為120℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1500秒，磁鍍功率為60W。

更進(jìn)一步的，所述隔離層其原料按重量計(jì)包括65份聚氯乙烯、0.12份二氧化硅。

優(yōu)選的，所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為17ASF，電鍍時(shí)間為110min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括25份的焦磷酸銅、6份乙二胺四乙酸、4份檸檬酸鈉、0.8份咪唑啉、0.07份二甲基甲酰胺以及950份的去離子水。

優(yōu)選的，S2后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；S3后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。

本實(shí)施例優(yōu)選的，還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為1000V，占空比為40%。

更進(jìn)一步的，還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1500V，占空比為50%，活化時(shí)間為70分鐘。

實(shí)施例13

一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：

(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；

(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;

(3) 形成阻焊層 ;

(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;

(5) 靶沖、分條、電測(cè)試；

(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙；

(7) 三次疊層前處理、SET 絲?。?/p>

(8) 四次疊層前處理、一次成型；

(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型；

(10) 成品檢查。

所述磁控濺鍍可選用任意一種現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

實(shí)驗(yàn)例1

附著性測(cè)定：用劃格器在金屬層表面劃100個(gè)1mm×1mm的正方形格，用美國(guó)3M公司生產(chǎn)的型號(hào)為600的透明膠帶平整粘結(jié)在方格上，然后以最快垂直速度揭起，觀察劃痕邊緣、線路圖形邊緣處是否有無(wú)脫落。如碎屑脫落量在0-5%之間為5B，在5-10%之間為4B，在10-20%之間為3B，在20-30%之間為2B，在30-50之間為B，在50%以上為0B。

結(jié)果如表1。

實(shí)驗(yàn)例2

耐磨性測(cè)試：將所獲得的線路圖形線路板放入震動(dòng)研磨機(jī)中振動(dòng)研磨2小時(shí)后取出產(chǎn)品，觀察工件表面的金屬層是否有脫落。其結(jié)果如表2。

實(shí)驗(yàn)例3

隔離膜附著性測(cè)試：測(cè)量隔離層上附著的金屬厚度，并用劃格法測(cè)試金屬在隔離膜上的附著性。其結(jié)果如表3所示。

實(shí)驗(yàn)例4

平整度測(cè)試：

用劃格器在金屬層表面劃100個(gè)50mm×50mm的正方形格，計(jì)算每個(gè)格內(nèi)的毛刺、凸粒、缺口、粘連的數(shù)量。少于1個(gè)為1級(jí)，2-5個(gè)為2級(jí)，6-10個(gè)為3級(jí)，多于10個(gè)為4級(jí)。

以上為本發(fā)明的其中具體實(shí)現(xiàn)方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些顯而易見(jiàn)的替換形式均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。