本發(fā)明涉及觸控面板制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半加成法制作印制電路板的方法。

背景技術(shù)：

隨著近年來(lái)電子設(shè)備的快速發(fā)展，對(duì)電路板的要求越來(lái)越高，如手機(jī)、平板電腦、顯示器、導(dǎo)航儀等。

現(xiàn)有的電路板，其導(dǎo)電層通常采用銅制成，在電子產(chǎn)品不斷追求越輕越薄的趨勢(shì)下，也要求電路板越來(lái)越薄，因此，電路板的厚度的減小，直接影響了企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益；現(xiàn)有的電路板采用電鍍銅材料層作為導(dǎo)電層，存在以下缺點(diǎn)：1)電鍍銅材料在金屬刻蝕的時(shí)候易被蝕刻，需要預(yù)留一定尺寸的銅材料作，且在蝕刻時(shí)，只能制作較寬的線路，產(chǎn)品的等級(jí)較低；2)在第一次鍍銅材料層的時(shí)候，銅材料層的厚度為3微米以上，使得電路板厚度較厚。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供了一種制作方法簡(jiǎn)單、且制作出的電路板更薄的半加成法制作印制電路板的方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：半加成法制作印制電路板的方法，包括表面設(shè)置有銀材料層的基板，銀材料層的厚度為0.05～1微米；所述方法包括以下步驟：

a、鉆孔，在設(shè)置有銀材料層的基板上鉆通孔或者盲孔；

b、在銀材料層及通孔或者盲孔的孔壁進(jìn)行導(dǎo)電化處理，形成通孔導(dǎo)電層；

c、壓膜，在基板的表面貼感光膜層，通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移在基板上形成干膜層；

d、第二次電鍍，在含有干膜層的基板上電鍍銅材料層；

e、去膜，將基板表面的干膜層去除；

f、通過(guò)金屬蝕刻的方法，將沒(méi)有被銅材料層覆蓋的銀材料層去除，露出基板的表面，得到電路板。

在設(shè)置有銀材料層的基板上開(kāi)孔、壓膜，然后再在基板的表面電鍍銅材料導(dǎo)電層，銀材料層的厚度在1微米以內(nèi)，使得金屬導(dǎo)電層的厚度小，電路板的厚度??；且在刻蝕的時(shí)候可以根據(jù)需要選擇刻蝕所用的溶劑，使得電路板上的金屬導(dǎo)線可以做的更細(xì)，電路板的等級(jí)更高。

進(jìn)一步的是：所述步驟a與步驟b之間還包括以下步驟：

a1、對(duì)通孔進(jìn)行去孔污除渣。

進(jìn)一步的是：所述步驟b中，采用化學(xué)沉積或者物理沉積的方法在通孔或者盲孔的孔壁上形成通孔導(dǎo)電層。

進(jìn)一步的是：所述步驟c的壓膜包括以下步驟：

c1、在銀材料層的表面壓制感光膜層；

c2、曝光，在感光膜層上鋪設(shè)帶有圖案的底片，然后進(jìn)行曝光；

c3、顯影，曝光后感光膜層的中部區(qū)域被去除，留下邊框結(jié)構(gòu)的干膜層。

本發(fā)明的有益效果是：銀材料層的厚度僅為0.05～1微米，厚度小，使得電路板的厚度減小，且銀材料層與基板的結(jié)合力更強(qiáng)；然后進(jìn)行鉆孔去孔污；然后在基板上壓制干膜層，之后在壓制有干膜層的基板上電鍍銅材料層，再將干膜層去除；干膜層去除后進(jìn)行金屬刻蝕，留下金屬導(dǎo)電層，即電路圖形，得到電路板。因?yàn)殂y材料層以及銅材料層為不同的材料，在金屬刻蝕的時(shí)候可以根據(jù)金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸選擇金屬刻蝕的溶液，使得金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸更加的精確，金屬導(dǎo)線可以可以做的更細(xì)，使得電路板的等級(jí)更高。

附圖說(shuō)明

圖1為電路板主視圖示意圖；

圖2為電路板俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為采用半加成法制作電路版的流程示意圖；

圖4為壓膜流程示意圖；

圖中標(biāo)記為：基板1，通孔2，通孔導(dǎo)電層21，銀材料層31，干膜層32，感光膜層32a，底片32b，銅材料層33。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步加以說(shuō)明。

如圖1至圖4所示，半加成法制作印制電路板的方法，包括表面設(shè)置有銀材料層31的基板1，銀材料層31的厚度為0.05～1微米；銀材料層的厚度僅為0.05～1微米，銀材料的電阻率小，與基板的結(jié)合力強(qiáng)，使得電路板厚度??；且使用的銀材料層的材料少，成本低；銀材料層31與基板1的結(jié)合力是銅材料與基板的結(jié)合力的三倍以上。所述方法包括以下步驟：

a、鉆孔，在設(shè)置有銀材料層31的基板1上鉆通孔2或者盲孔；鉆孔為常用的電路板加工時(shí)鉆孔的方式，比如機(jī)械鉆孔或者激光鉆孔，通孔2用于設(shè)置將基板的上表面以及下表面導(dǎo)通的導(dǎo)電層，以實(shí)現(xiàn)電路板的高度集成化。

a1、對(duì)通孔2或者盲孔進(jìn)行去孔污除渣，在基板1上鉆通孔2或者盲孔時(shí)，通孔2或者盲孔處可能有孔污或者殘?jiān)?，在鉆孔后需要進(jìn)行去孔污除渣，以確保通孔2的光滑整齊無(wú)污；

b、在銀材料層31及通孔2或者盲孔的孔壁進(jìn)行導(dǎo)電化處理，形成通孔導(dǎo)電層21；具體的，可以是通過(guò)化學(xué)沉積或者物理沉積的方法在通孔2或者盲孔的孔壁上以及基板的表面形成通孔導(dǎo)電層。

c、壓膜，在基板1的表面貼感光膜層，通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移在基板上形成干膜層32；具體包括以下步驟：

c1、在銀材料層21的表面壓制一層感光膜層32a；感光膜層32a的厚度為20～45微米；

c2、曝光，在一層感光膜層32a上鋪設(shè)帶有圖案的底片，然后進(jìn)行曝光；

c3、顯影，曝光后感光膜層32a的中部區(qū)域被去除，留下邊框結(jié)構(gòu)的干膜層32；基板1上沒(méi)有被干膜層32覆蓋的區(qū)域?yàn)樾枰O(shè)置金屬導(dǎo)電層的區(qū)域，即線路圖形的區(qū)域，且壓制干膜層32時(shí)為電路圖形留有一定的余量。

d、第二次電鍍，在壓制有干膜層32的基板1上電鍍銅材料層33；因?yàn)闆](méi)有被干膜層32覆蓋的位置電鍍有銀材料層31，在電鍍銅材料層33時(shí)，銅材料層33與銀材料層的結(jié)合力強(qiáng)；且被干膜層32覆蓋的區(qū)域不會(huì)電鍍上銅材料層，通孔2或者盲孔的內(nèi)壁上也電鍍有銅材料層33。

e、去膜，將基板1表面的干膜層31去除；當(dāng)干膜層32的寬度大于或者等于25微米時(shí)，采用無(wú)機(jī)去膜液即可將干膜層32去除；當(dāng)干膜層32的寬度小于25微米時(shí)，采用有機(jī)去膜液將干膜層32去除，去膜效果好，去膜后基板1上留下銀材料層31以及銅材料層33。

f、通過(guò)金屬蝕刻的方法，將沒(méi)有被銅材料層33覆蓋的銀材料層31去除，露出基板1的表面，得到電路板；具體的，可以是使用蝕刻銀材料的溶劑將沒(méi)有被銅材料層覆蓋的銀材料層刻蝕去除，留下的銅材料層33以及被銅材料層覆蓋的銀材料層形成金屬導(dǎo)電層，即得到電路圖型，得到電路板。

本發(fā)明的采用半加成法制作電路版的方法，銀材料層的厚度僅為0.05～1微米，厚度小，使得電路板的厚度減小，且銀材料層與基板的結(jié)合力更強(qiáng)；然后進(jìn)行鉆孔去孔污；然后在基板上壓制干膜層，之后在壓制有干膜層的基板上電鍍銅材料層，再將干膜層去除；干膜層去除后進(jìn)行金屬刻蝕，留下金屬導(dǎo)電層，即電路圖形，得到電路板。因?yàn)殂y材料層以及銅材料層為不同的材料，在金屬刻蝕的時(shí)候可以根據(jù)金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸選擇金屬刻蝕的溶液，使得金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸更加的精確，金屬導(dǎo)線可以可以做的更細(xì)，使得電路板的等級(jí)更高。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。