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采用半加成法制作電路板的方法與流程

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采用半加成法制作電路板的方法與流程

本發(fā)明涉及觸控面板制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種采用半加成法制作電路板的方法。



背景技術(shù):

隨著近年來(lái)電子設(shè)備的快速發(fā)展,對(duì)電路板的要求越來(lái)越高,如手機(jī)、平板電腦、顯示器、導(dǎo)航儀等。

現(xiàn)有的電路板,其導(dǎo)電層通常采用銅制成,在電子產(chǎn)品不斷追求越輕越薄的趨勢(shì)下,也要求電路板越來(lái)越薄,因此,電路板的厚度的減小,直接影響了企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益;現(xiàn)有的電路板采用電鍍銅材料層作為導(dǎo)電層,存在以下缺點(diǎn):1)電鍍銅材料在金屬刻蝕的時(shí)候易被蝕刻,需要預(yù)留一定尺寸的銅材料作,且在蝕刻時(shí),只能制作較寬的線路,產(chǎn)品的等級(jí)較低;2)在第一次鍍銅材料層的時(shí)候,銅材料層的厚度為3微米以上,使得電路板厚度較厚。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供了一種制作方法簡(jiǎn)單、且制作出的電路板更薄的采用半加成法制作電路板的方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:采用半加成法制作電路板的方法,包括以下步驟:

a、涂布,在基板的表面涂上絕緣層;

b、第一次電鍍,在涂布后的基板的上表面和下表面電鍍銀材料層;

c、鉆孔,在電鍍有銀材料層的基板上鉆通孔或者盲孔;

d、在銀材料層及通孔或者盲孔的孔壁進(jìn)行導(dǎo)電化處理,形成通孔導(dǎo)電層;

e、壓膜,在基板的表面貼感光膜層,通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移在基板上形成干膜層;

f、第二次電鍍,在含有干膜層的基板上電鍍銅材料層;

g、去膜,將基板表面的干膜層去除;

h、通過(guò)金屬蝕刻的方法,將沒(méi)有被銅材料層覆蓋的銀材料層去除,露出基板的表面,得到電路板。

在基板的表面電鍍銀材料層,銀材料層的厚度在1微米以內(nèi),再在鍍有銀材料層的基板上開孔、壓膜,然后再在基板的表面電鍍銅材料導(dǎo)電層,銀材料層的厚度小,使得金屬導(dǎo)電層的厚度小,電路板的厚度??;且在刻蝕的時(shí)候可以根據(jù)需要選擇刻蝕所用的溶劑,使得電路板上的金屬導(dǎo)線可以做的更細(xì),電路板的等級(jí)更高。

進(jìn)一步的是:所述步驟c與步驟d之間還包括以下步驟:

c1、對(duì)通孔進(jìn)行去孔污除渣。

進(jìn)一步的是:所述步驟d中,采用化學(xué)沉積或者物理沉積的方法在通孔或者盲孔的孔壁 上形成通孔導(dǎo)電層。

進(jìn)一步的是:所述步驟e的壓膜包括以下步驟:

e1、在銀材料層的表面壓制感光膜層;

e2、曝光,在感光膜層上鋪設(shè)帶有圖案的底片,然后進(jìn)行曝光;

e3、顯影,曝光后感光膜層的中部區(qū)域被去除,留下邊框結(jié)構(gòu)的干膜層。

進(jìn)一步的是:所述銀材料層的厚度為0.05~1微米。

本發(fā)明的有益效果是:在基板的表面涂上絕緣層,再電鍍銀材料層,銀材料層與基板的結(jié)合力更強(qiáng),銀材料層的厚度僅為0.05~1微米,厚度小,使得電路板的厚度減小;然后進(jìn)行鉆孔去孔污;然后在基板上壓制干膜層,之后在壓制有干膜層的基板上電鍍銅材料層,再將干膜層去除;干膜層去除后進(jìn)行金屬刻蝕,留下金屬導(dǎo)電層,即電路圖形,得到電路板。因?yàn)殂y材料層以及銅材料層為不同的材料,在金屬刻蝕的時(shí)候可以根據(jù)金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸選擇金屬刻蝕的溶液,使得金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸更加的精確,金屬導(dǎo)線可以可以做的更細(xì),使得電路板的等級(jí)更高。

附圖說(shuō)明

圖1為電路板主視圖示意圖;

圖2為電路板俯視結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3為采用半加成法制作電路板的流程示意圖;

圖4為壓膜流程示意圖;

圖中標(biāo)記為:基板1,通孔2,通孔導(dǎo)電層21,銀材料層31,干膜層32,感光膜層32a,底片32b,銅材料層33。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步加以說(shuō)明。

如圖1至圖4所示,采用半加成法制作電路板的方法,包括以下步驟:

a、涂布,在基板1的表面涂上絕緣層;涂布為常用的涂布方式,在基板的表面涂上絕緣層;

b、第一次電鍍,在涂布后的基板1的上表面和下表面電鍍銀材料層31;基板1為常用的基板,在基板1的表面電鍍銀材料層31,銀材料層的導(dǎo)電效果好,且厚度僅為0.05~1微米,銀材料的電阻率小,與基板的結(jié)合力強(qiáng),使得電路板厚度小;且使用的銀材料層的材料少,成本低;銀材料層31與基板的結(jié)合力是銅材料與基板的結(jié)合力的三倍以上。

c、鉆孔,在電鍍有銀材料層31的基板1上鉆通孔2或者盲孔;鉆孔為常用的電路板加工時(shí)鉆孔的方式,比如機(jī)械鉆孔或者激光鉆孔,通孔2用于設(shè)置將基板的上表面以及下表面 導(dǎo)通的導(dǎo)電層,以實(shí)現(xiàn)電路板的高度集成化。

c1、對(duì)通孔2或者盲孔進(jìn)行去孔污除渣,在基板1上鉆通孔2或者盲孔時(shí),通孔2或者盲孔處可能有孔污或者殘?jiān)阢@孔后需要進(jìn)行去孔污除渣,以確保通孔2的光滑整齊無(wú)污;

d、在銀材料層31及通孔2或者盲孔的孔壁進(jìn)行導(dǎo)電化處理,形成通孔導(dǎo)電層21;具體的,可以是通過(guò)化學(xué)沉積或者物理沉積的方法在通孔2或者盲孔的孔壁上以及基板的表面形成通孔導(dǎo)電層。

e、壓膜,在基板1的表面貼感光膜層,通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移在基板上形成干膜層32;具體包括以下步驟:

e1、在銀材料層21的表面壓制一層感光膜層32a;感光膜層32a的厚度為20~45微米;

e2、曝光,在一層感光膜層32a上鋪設(shè)帶有圖案的底片,然后進(jìn)行曝光;

e3、顯影,曝光后感光膜層32a的中部區(qū)域被去除,留下邊框結(jié)構(gòu)的干膜層32;基板1上沒(méi)有被干膜層32覆蓋的區(qū)域?yàn)樾枰O(shè)置金屬導(dǎo)電層的區(qū)域,即線路圖形的區(qū)域,且壓制干膜層32時(shí)為電路圖形留有一定的余量。

f、第二次電鍍,在壓制有干膜層32的基板1上電鍍銅材料層33;因?yàn)闆](méi)有被干膜層32覆蓋的位置電鍍有銀材料層31,在電鍍銅材料層33時(shí),銅材料層33與銀材料層的結(jié)合力強(qiáng);且被干膜層32覆蓋的區(qū)域不會(huì)電鍍上銅材料層,通孔2或者盲孔的內(nèi)壁上也電鍍有銅材料層33。

g、去膜,將基板1表面的干膜層31去除;當(dāng)干膜層32的寬度大于或者等于25微米時(shí),采用無(wú)機(jī)去膜液即可將干膜層32去除;當(dāng)干膜層32的寬度小于25微米時(shí),采用有機(jī)去膜液將干膜層32去除,去膜效果好,去膜后基板1上留下銀材料層31以及銅材料層33。

h、通過(guò)金屬蝕刻的方法,將沒(méi)有被銅材料層33覆蓋的銀材料層31去除,露出基板1的表面,得到電路板;具體的,可以是使用蝕刻銀材料的溶劑將沒(méi)有被銅材料層覆蓋的銀材料層刻蝕去除,留下的銅材料層33以及被銅材料層覆蓋的銀材料層形成金屬導(dǎo)電層,即得到電路圖型,得到電路板。

本發(fā)明的采用半加成法制作電路板的方法,在基板的表面涂上絕緣層,再電鍍銀材料層,銀材料層與基板的結(jié)合力更強(qiáng),銀材料層的厚度僅為0.05~1微米,厚度小,使得電路板的厚度減?。蝗缓筮M(jìn)行鉆孔去孔污;然后在基板上壓制干膜層,之后在壓制有干膜層的基板上電鍍銅材料層,再將干膜層去除;干膜層去除后進(jìn)行金屬刻蝕,留下金屬導(dǎo)電層,即電路圖形,得到電路板。因?yàn)殂y材料層以及銅材料層為不同的材料,在金屬刻蝕的時(shí)候可以根據(jù)金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸選擇金屬刻蝕的溶液,使得金屬導(dǎo)電單元以及金屬導(dǎo)線的尺寸更加的精確,金屬導(dǎo)線可以可以做的更細(xì),使得電路板的等級(jí)更高。

以上所述的具體實(shí)施方式,對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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