本發(fā)明屬于印制線路板加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種用于印制電路板高密線路干膜顯影工藝。
背景技術(shù)：
印制線路板干膜顯影工藝，傳統(tǒng)使用碳酸鈉溶液進行，其工藝存在如下缺失：1)只能顯影線路寬度與線路間距>0.15mm的線路板，無法顯影線路寬度與線路間距≤0.1mm的線路板；2)易產(chǎn)生顯影毛邊；3)易產(chǎn)生線路鋸齒；4)無法確保高密線路(線路寬度與線路間距≤0.1mm)的電氣性能要求，隨著電子產(chǎn)品的日益小型化多功能化，印制線路的密度越來越高(線路寬度與線路間距越來越小)，傳統(tǒng)的碳酸鈉體系顯影工藝無法滿足工業(yè)化需求。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種用于高密度印制線路板(線路寬度與線路間距≤0.1mm)干膜顯影工藝，以解決高密線路的線邊毛邊，線路鋸齒及提供高密線路電氣性能。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種用于高密度印制線路板的干膜顯影工藝，所述高密線路干膜顯影工藝包括如下步驟：1)將干膜顯影槽工作液完全排放后用自來水沖洗干凈；2)繼續(xù)用去離子水循環(huán)清洗；3)向干膜顯影槽加入干膜顯影劑水溶液，所述干膜顯影劑包括碳酸鉀，加熱至28-32℃；4)啟動循環(huán)過濾泵；5)將待顯影的印制線路已曝光的干膜板放入所述干膜顯影劑中，噴淋浸泡；6)取出已顯影印制線路板，用自來水清洗；7)熱風(fēng)吹干；以及8)轉(zhuǎn)入圖形電鍍工序或內(nèi)層蝕刻工序。
作為對本發(fā)明所述的高密線路干膜顯影工藝的進一步說明，優(yōu)選地，碳酸鉀為每升20-30克。
作為對本發(fā)明所述的高密線路干膜顯影工藝的進一步說明，優(yōu)選地，所述干膜顯影劑的ph>10，比重為1.02-1.05g/cm3。
作為對本發(fā)明所述的高密線路干膜顯影工藝的進一步說明，優(yōu)選地，步驟2)中，所述去離子水清洗的時間為30分鐘。
作為對本發(fā)明所述的高密線路干膜顯影工藝的進一步說明，優(yōu)選地，步驟5)中，所述噴淋浸泡的時間為1-2分鐘。
作為對本發(fā)明所述的高密線路干膜顯影工藝的進一步說明，優(yōu)選地，步驟6)中，所述自來水清洗的時間為1-2分鐘。
作為對本發(fā)明所述的高密線路干膜顯影工藝的進一步說明，優(yōu)選地，步驟7)中，所述熱風(fēng)吹干的時間為0.4-0.6分鐘。
本發(fā)明的高密度印制線路板干膜顯影工藝具有以下有益效果：(1)無需增加工序便可對高密度(線路寬度與線路間距≤0.1mm)印制線路板干膜完成顯影；(2)顯影后的高密線路無毛邊；(3)顯影后的高密線路無鋸齒；(4)品質(zhì)表現(xiàn)由傳統(tǒng)碳酸鈉體系顯影的報廢率2％降低為0.02％；(5)解決了高密線路的微短路問題；(6)解決了高密線路因干膜顯影問題不良造成的高密線路電氣性能降低的問題(如對阻抗要求高的印制線路板)，原料來源廣、價格低廉、成本低、生產(chǎn)過程無污染，因此在印制線路板領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
具體實施方式
為了使審查員能夠進一步了解本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、特征及其他目的，現(xiàn)結(jié)合所附較佳實施例詳細說明如下，所附較佳實施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，并非限定本發(fā)明。
實施例1
先將干膜顯影槽工作液完全排放后用自來水沖洗干凈，繼續(xù)用去離子水循環(huán)清洗30min。配置1升碳酸鉀水溶液，其中，碳酸鉀為20克。向干膜顯影槽加入1升碳酸鉀水溶液，加熱至28℃，碳酸鉀水溶液的ph為10.5，比重為1.02g/cm3。啟動循環(huán)過濾泵，將待顯影的印制線路已曝光的干膜板放入碳酸鉀水溶液中，噴淋浸泡1min；接著取出已顯影印制線路板，用自來水清洗1min；最后熱風(fēng)吹干0.4min，轉(zhuǎn)入圖形電鍍工序或內(nèi)層蝕刻工序。
從實驗結(jié)果可以看出：該工藝使使高密線路干膜顯影后線邊齊平，沒有毛邊，顯影徹底，不會因顯影不良造成線路鋸齒，從而銷除了影響電路的電氣性能的因素(參見表1，表1中列出了不同干膜線寬/線距對蝕刻后線路質(zhì)量的影響)。
表1
實施例2
先將干膜顯影槽工作液完全排放后用自來水沖洗干凈，繼續(xù)用去離子水循環(huán)清洗30min。配置1升碳酸鉀水溶液，其中，碳酸鉀為25克。向干膜顯影槽加入1升碳酸鉀水溶液，加熱至30℃，碳酸鉀水溶液的ph為12，比重為1.03g/cm3。啟動循環(huán)過濾泵，將待顯影的印制線路已曝光的干膜板放入碳酸鉀水溶液中，噴淋浸泡1.5min；接著取出已顯影印制線路板，用自來水清洗1.5min；最后熱風(fēng)吹干0.5min，轉(zhuǎn)入圖形電鍍工序或內(nèi)層蝕刻工序。
從實驗結(jié)果可以看出：該工藝使使高密線路干膜顯影后線邊齊平，沒有毛邊，顯影徹底，不會因顯影不良造成線路鋸齒，從而銷除了影響電路的電氣性能的因素(參見表2，表2中列出了不同干膜線寬/線距對蝕刻后線路質(zhì)量的影響)。
表2
實施例3
先將干膜顯影槽工作液完全排放后用自來水沖洗干凈，繼續(xù)用去離子水循環(huán)清洗30min。配置1升碳酸鉀水溶液，其中，碳酸鉀為30克。向干膜顯影槽加入1升碳酸鉀水溶液，加熱至32℃，碳酸鉀水溶液的ph為13.5，比重為1.05g/cm3。啟動循環(huán)過濾泵，將待顯影的印制線路已曝光的干膜板放入干膜顯影劑中，噴淋浸泡2min；接著取出已顯影印制線路板，用自來水清洗2min；最后熱風(fēng)吹干0.6min，轉(zhuǎn)入圖形電鍍工序或內(nèi)層蝕刻工序。
從實驗結(jié)果可以看出：該工藝使使高密線路干膜顯影后線邊齊平，沒有毛邊，顯影徹底，不會因顯影不良造成線路鋸齒，從而銷除了影響電路的電氣性能的因素(參見表3，表3中列出了不同干膜線寬/線距對蝕刻后線路質(zhì)量的影響)。
表3
此外，經(jīng)統(tǒng)計通過本發(fā)明干膜顯影工藝由傳統(tǒng)碳酸鈉體系顯影的報廢率2％降低為碳酸鉀顯影的報廢率0.02％。
需要聲明的是，上述發(fā)明內(nèi)容及具體實施方式意在證明本發(fā)明所提供技術(shù)方案的實際應(yīng)用，不應(yīng)解釋為對本發(fā)明保護范圍的限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明的精神和原理內(nèi)，當(dāng)可作各種修改、等同替換或改進。本發(fā)明的保護范圍以所附權(quán)利要求書為準(zhǔn)。