一種窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體元件IC技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的表面布滿整齊排列多個芯片，每個芯片上設(shè)有多個CP測試晶粒。其結(jié)構(gòu)特點是，在每個光照的部分芯片上置有多個測試晶粒，各芯片之間的劃片槽采用激光劃片的方式進行窄縫隙切割。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以不受測試晶粒尺寸的影響而縮減劃片槽的寬度，降低芯片成本。
【專利說明】
一種窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件IC技術(shù)領(lǐng)域，特別是圓片流片和圓片切割的窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，晶圓的結(jié)構(gòu)如圖1所示，劃片槽4寬度一般在60um以上，劃片槽4中分布著測試晶粒2。由于測試晶粒2有最小尺寸要求，傳統(tǒng)的輪刀切割要求劃片槽4寬度最小在50um以上，所以目前劃片槽寬度以傳統(tǒng)的流片及切割模式已經(jīng)到達一個技術(shù)極限，無法再縮減。
[0003]但流片工藝正在飛速發(fā)展，線寬從um級已經(jīng)發(fā)展到nm級，這樣使得芯片I的面積變得更小，芯片I面積變小導(dǎo)致單位晶圓上劃片槽4面積增加，而劃片槽4部分沒有電路功能，使得芯片I成本無法降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明的目的是提供一種窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)。它可以不受測試晶粒尺寸的影響而縮減劃片槽的寬度，降低芯片成本。
[0005]為了達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案以如下方式實現(xiàn):
一種窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)，它的表面布滿整齊排列多個芯片，每個芯片上設(shè)有多個CP測試晶粒。其結(jié)構(gòu)特點是，在每個光照的部分芯片上置有多個測試晶粒，各芯片之間的劃片槽采用激光劃片的方式進行窄縫隙切割。
[0006]本發(fā)明由于采用了上述結(jié)構(gòu)，將原本置于劃片槽中的測試晶粒集中放置在每個光照的某一個或者某幾個區(qū)域的芯片上。同時，采用激光劃片方式，使得劃片槽寬度可以大大縮減，有效節(jié)約了芯片成本。
[0007]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步說明。
【附圖說明】
[0008]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中晶圓及芯片的結(jié)構(gòu)TJK意圖；
圖2為本發(fā)明晶圓及芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0009]參看圖2，本發(fā)明晶圓結(jié)構(gòu)，它的表面布滿整齊排列多個芯片1，每個芯片I上設(shè)有多個CP測試晶粒3。在每個光照的部分芯片I上置有多個測試晶粒2，各芯片I之間的劃片槽4采用激光劃片的方式進行窄縫隙切割。
[0010]本發(fā)明中，將測試晶粒2放置在芯片I上并在放置測試晶粒2的芯片I表面保留芯片I上原有的CP測試晶粒3。
[0011]影響劃片槽4寬度的第二個因素是切割的要求，現(xiàn)有技術(shù)中的輪刀切割要求劃片槽4最小寬度為50um。本發(fā)明采用隱形激光切割的方式，這種方式的刀痕寬度可以做到Ium以內(nèi)，并且沒有崩齒的影響。隨著激光劃片設(shè)備的發(fā)展，劃片槽4寬度會進一步減小，所以本發(fā)明方案理論上可以將劃片槽4做到無限窄，這將大大降低光照芯片I的生產(chǎn)成本。
【主權(quán)項】
1.一種窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)，它的表面布滿整齊排列的多個芯片(I)，每個芯片(I)上設(shè)有多個CP測試晶粒(3)，其特征在于，在每個光照的部分芯片(I)上置有多個測試晶粒(2)，各芯片(I)之間的劃片槽(4)采用激光劃片的方式進行窄縫隙切割。
【文檔編號】H01L23/544GK105895618SQ201410191891
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2014年5月7日
【發(fā)明人】陳志龍, 王國兵, 高鳳來
【申請人】北京同方微電子有限公司