晶圓鍵合方法以及晶圓鍵合結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶圓鍵合方法以及晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，晶圓鍵合方法包括：提供第一襯底、第二襯底；形成第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第一頂層介質(zhì)層、第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第二頂層介質(zhì)層、第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；使第一晶圓與第二晶圓鍵合。晶圓鍵合結(jié)構(gòu)包括：第一襯底、第二襯底、第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第一頂層介質(zhì)層、第二頂層介質(zhì)層、第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果在于簡化了整個(gè)工藝的復(fù)雜程度，提升了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，簡化了工藝步驟也意味著增加了工藝流程的可靠性。
【專利說明】
晶圓鍵合方法以及晶圓鍵合結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓鍵合方法以及晶圓鍵合結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]封裝技術(shù)為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的常用技術(shù)，其中包括以芯片層疊為代表的三維封裝(3D Package)。三維立體封裝包括封裝層疊的三維封裝、芯片層疊的三維封裝以及以3D IC技術(shù)為背景的晶圓層疊三維封裝。
[0003]但是，現(xiàn)有的晶圓層疊三維封裝技術(shù)仍然較為復(fù)雜。因此，如何改善這種封裝方式的可靠性，盡力簡化工藝難度成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的問題是提供一種晶圓鍵合方法以及晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，以盡量簡化晶圓結(jié)合工藝的復(fù)雜程度，提升生產(chǎn)效率。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶圓鍵合方法，用于將第一晶圓和第二晶圓相互鍵合；所述晶圓鍵合方法包括:
[0006]分別提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓具有形成有第一襯底的正面，所述第二晶圓具有形成有第二襯底的正面；
[0007]分別在所述第一襯底上形成第一介質(zhì)層、在第二襯底上形成第二介質(zhì)層；
[0008]在所述第一介質(zhì)層中形成與第一襯底相接觸的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在所述第二介質(zhì)層中形成與第二襯底相接觸的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；
[0009]在所述第一介質(zhì)層以及第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第一頂層介質(zhì)層，并在所述第一頂層介質(zhì)層中形成與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并使所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述第一頂層介質(zhì)層的表面露出；
[0010]在第二介質(zhì)層以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二頂層介質(zhì)層，并在所述第二頂層介質(zhì)層中形成與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；
[0011]使位于第一晶圓正面的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與位于第二晶圓正面的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相互鍵合。
[0012]可選的，形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0013]在所述第一介質(zhì)層中形成第一導(dǎo)電插塞；
[0014]在所述第一介質(zhì)層中的第一導(dǎo)電插塞上形成與所述第一導(dǎo)電插塞電連接的第一導(dǎo)電線；
[0015]形成的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0016]形成與所述第一導(dǎo)電線相接觸的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0017]可選的，形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0018]在所述第二介質(zhì)層中形成第二導(dǎo)電插塞；
[0019]在所述第二介質(zhì)層中的第二導(dǎo)電插塞上形成與所述第二導(dǎo)電插塞電連接的第二導(dǎo)電線；
[0020]形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0021 ] 形成與所述第二導(dǎo)電線相接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0022]可選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材料均為銅。
[0023]可選的，第一頂層介質(zhì)層和第二頂層介質(zhì)層的材料均為氮化娃。
[0024]可選的，形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0025]在所述第一頂層介質(zhì)層中形成開口 ；
[0026]在所述第一頂層介質(zhì)層的開口中填充第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層還覆蓋于第一頂層介質(zhì)層表面；
[0027]去除部分第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，使剩余的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層與所述第一頂層介質(zhì)層表面齊平，以形成所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0028]可選的，形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟還包括:去除部分厚度的第一頂層介質(zhì)層，以使剩余的第一頂層介質(zhì)層的表面低于所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面。
[0029]可選的，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材料為銅。
[0030]可選的，形成第二頂層介質(zhì)層的步驟包括:
[0031 ] 形成與所述第二介質(zhì)層材料相同的第二頂層介質(zhì)層。
[0032]可選的，形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0033]在所述第二頂層介質(zhì)層中形成開口 ；
[0034]在所述第二頂層介質(zhì)層的開口中填充第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層還覆蓋于第二頂層介質(zhì)層表面；
[0035]去除部分第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，使剩余的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層與所述第二頂層介質(zhì)層表面齊平。
[0036]可選的，形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟還包括:
[0037]形成表面凹陷的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0038]可選的，形成表面凹陷的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0039]在所述第二頂層介質(zhì)層上形成露出第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的掩模；
[0040]采用濕法刻蝕以去除部分第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以使所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面凹陷；
[0041]去除所述掩模。
[0042]此外，本發(fā)明還提供一種晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，包括:
[0043]第一晶圓，所述第一晶圓具有形成有第一襯底的正面，
[0044]和所述第一晶圓相互鍵合的第二晶圓，所述第二晶圓具有形成有第二襯底的正面；
[0045]位于所述第一襯底上的第一介質(zhì)層和位于第二襯底上第二介質(zhì)層；
[0046]位于所述第一介質(zhì)層中的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和位于所述介質(zhì)層中的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；
[0047]位于述第一介質(zhì)層的第一頂層介質(zhì)層和位于所述第二介質(zhì)層上的第二頂層介質(zhì)層；
[0048]形成在所述第一頂層介質(zhì)層中且與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接接觸的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述第一頂層介質(zhì)層的表面露出；
[0049]形成在所述第二頂層介質(zhì)層中，且與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0050]可選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括:
[0051]形成于所述第一介質(zhì)層中的第一導(dǎo)電插塞；
[0052]形成于所述第一介質(zhì)層中第一導(dǎo)電插塞上的第一導(dǎo)電線，所述第一導(dǎo)電線與所述第一導(dǎo)電插塞電連接；
[0053]所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第一導(dǎo)電線相接觸。
[0054]可選的，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括:
[0055]形成于第二介質(zhì)層中的第二導(dǎo)電插塞；
[0056]形成于所述第二介質(zhì)層中、第二導(dǎo)電插塞上的第二導(dǎo)電線，所述第二導(dǎo)電線與所述第二導(dǎo)電插塞電連接；
[0057]所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第二導(dǎo)電線接觸。
[0058]可選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材料均為銅。
[0059]可選的，所述第一頂層介質(zhì)層的材料為氮化娃。
[0060]可選的，第二頂層介質(zhì)層的材料與所述第二介質(zhì)層的材料相同。
[0061]可選的，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面高于所述第一頂層介質(zhì)層的表面。
[0062]可選的，所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面為凹陷結(jié)構(gòu)。
[0063]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0064]本發(fā)明分別在第一晶圓以及第二晶圓中分別形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，然后在第一晶圓的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在第二晶圓的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，然后將第一晶圓的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二晶圓正面的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相互鍵合，進(jìn)而將第一晶圓和第二晶圓鍵合，與現(xiàn)有技術(shù)中形成頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前形成多層層間互連結(jié)構(gòu)的方法相比，節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟，這在一定程度上簡化了工藝步驟(節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟)，進(jìn)而簡化了整個(gè)工藝的復(fù)雜程度，提升了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，簡化了工藝步驟也意味著增加了工藝流程的可靠性。
【附圖說明】
[0065]圖1至圖19是本發(fā)明晶圓鍵合方法一實(shí)施例各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0066]在現(xiàn)有的鍵合晶圓的工藝中，在制作兩片需相互鍵合的晶圓的步驟之前，各片晶圓中往往需要形成很多層互連結(jié)構(gòu)，這么做是為了和現(xiàn)有的常規(guī)流程相配合。但是，將兩片晶圓鍵合實(shí)際并不需要制作多層互連結(jié)構(gòu)，這么做會(huì)使整個(gè)工藝變得復(fù)雜繁瑣，并且將整個(gè)生產(chǎn)效率變低，并且，由于工藝流程復(fù)雜，工藝的可靠性也會(huì)變低，可靠性低的工藝會(huì)影響形成的產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0067]因此，本發(fā)明提供一種鍵合晶圓的方法，用于將第一晶圓的正面和第二晶圓的正面相互鍵合；所述方法包括以下步驟:
[0068]分別提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓具有形成有第一襯底的正面，所述第二晶圓具有形成有第二襯底的正面；分別在所述第一襯底上形成第一介質(zhì)層、在第二襯底上形成第二介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層中形成與第一襯底相接觸的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在所述第二介質(zhì)層中形成與第二襯底相接觸的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；在所述第一介質(zhì)層以及第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第一頂層介質(zhì)層，并在所述第一頂層介質(zhì)層中形成與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并使所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述第一頂層介質(zhì)層的表面露出；在第二介質(zhì)層以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二頂層介質(zhì)層，并在所述第二頂層介質(zhì)層中形成與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；使位于第一晶圓正面的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與位于第二晶圓正面的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相互鍵合。
[0069]本發(fā)明直接在第一晶圓的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在第二晶圓的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，然后將第一晶圓和第二晶圓鍵合，與現(xiàn)有技術(shù)中形成頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前形成多層層間互連結(jié)構(gòu)的方法相比，本發(fā)明直接分別在第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上分別形成用于鍵合的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，相對節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟，這在一定程度上簡化了工藝步驟(節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟)，進(jìn)而簡化了整個(gè)工藝的復(fù)雜程度，提升了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，簡化了工藝步驟也意味著增加了工藝流程的可靠性，進(jìn)而可以使得到的產(chǎn)品質(zhì)量增加。
[0070]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0071]參考圖1至圖19，為本發(fā)明晶圓鍵合方法在本實(shí)施例中各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。為了方便描述，圖1至圖8表不形成第一晶圓A的不意圖，圖9至圖18表不形成第一■晶圓B的不意圖，圖19為第一晶圓A和第一■晶圓B鍵合后的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0072]需要說明的是，雖然按照附圖順序依次說明第一晶圓A和第二晶圓B，但這并不代表必須先形成第一晶圓A的各個(gè)部件然后在形成第二晶圓B的各個(gè)部件，它們的形成步驟的順序可以互換，也就是說也可以先形成第二晶圓B的各個(gè)部件；或者，第一晶圓A、第二晶圓B各個(gè)部件的形成同時(shí)進(jìn)行，本發(fā)明對此不作限定。
[0073]同時(shí)，本實(shí)施例以鍵合形成CMOS圖像傳感器(CMOS Image sensor，CIS)為例進(jìn)行說明。但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，本發(fā)明提供的晶圓鍵合方法并不僅限于形成CMOS圖像傳感器，其他需要晶圓鍵合的工藝同樣適用本發(fā)明。
[0074]首先參考圖1，提供第一晶圓A，并在所述第一晶圓A具有形成有第一襯底50的正面。所述第一襯底50中可以形成有諸如源極、漏極和柵極等基本晶體管部件。第一襯底50表面形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51，用于與后續(xù)形成的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸以實(shí)現(xiàn)電連接。
[0075]然后，在所述第一襯底50 (以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51)上形成第一介質(zhì)層100，所述第一介質(zhì)層100用于作為后續(xù)形成的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)。
[0076]在本實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)層100可以采用二氧化硅作為材料。但是本發(fā)明對此并不作限定。
[0077]在這之后，在所述第一介質(zhì)層100中形成與第一襯底50相接觸的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，可以采用雙大馬士革的方式形成所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu):
[0078]首先參考圖2，在所述第一介質(zhì)層100中形成若干對應(yīng)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51的通孔(via) 101，所述通孔101將所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51露出。所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一部分將形成于所述通孔101中以形成第一導(dǎo)電插塞。
[0079]然后參考圖3，繼續(xù)對所述第一介質(zhì)層100對應(yīng)于通孔101的位置進(jìn)行刻蝕，以在所述通孔101上繼續(xù)形成溝槽(trench) 102，后續(xù)步驟中將在所述溝槽102中形成第一導(dǎo)電線。
[0080]結(jié)合參考圖4，在所述階梯狀的通孔101以及溝槽102中形成表面與所述第一介質(zhì)層100齊平的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110。所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110通過與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51電連接進(jìn)而與第一襯底50中的晶體管連接。
[0081]具體來說，可以先在所述通孔101、溝槽102中以及第一介質(zhì)層100表面形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料，然后采用平坦化工藝去除位于第一介質(zhì)層100表面的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料，剩余的位于階梯狀的通孔101中的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料便成為所述第一導(dǎo)電插塞，位于溝槽102中的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料成為第一導(dǎo)電線，所述第一導(dǎo)電插塞和第一導(dǎo)電線電連接，并共同構(gòu)成本實(shí)施例的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110。
[0082]在本實(shí)施例中形成銅材料的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110。但是本發(fā)明對此不作限定，其他導(dǎo)電材料(例如鋁)也可作為第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110的材料。
[0083]具體的，可以采用電化學(xué)鍍(Electro chemical plating, ECP)的方式形成銅材料的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110。但是本發(fā)明對采用何種方法形成所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110不作限定。
[0084]參考圖5，在形成所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110之后，在所述第一介質(zhì)層100以及第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110上形成第一頂層介質(zhì)層200。在后續(xù)步驟中，所述第一頂層介質(zhì)層200中將形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0085]與現(xiàn)有技術(shù)中形成頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前形成多層層間互連結(jié)構(gòu)的方法相比，本發(fā)明直接在第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110上形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，后續(xù)的步驟中第一晶圓A將通過第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接與第二晶圓鍵合，不需要形成其他互連結(jié)構(gòu)，這在一定程度上簡化了工藝步驟(節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟)，簡化了整個(gè)工藝的復(fù)雜程度，提升了生產(chǎn)效率，在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，縮短了生產(chǎn)周期的耗時(shí)。由于節(jié)省了形成其它互連結(jié)構(gòu)的步驟，因此降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，簡化了工藝步驟也意味著增加了工藝流程的可靠性，進(jìn)而可以使得到的產(chǎn)品質(zhì)量增加。
[0086]在本實(shí)施例中，可以形成氮化硅材料的第一頂層介質(zhì)層200。氮化硅與本實(shí)施例中二氧化硅材料的第一介質(zhì)層100之間有較大的刻蝕選擇比，在后續(xù)刻蝕第一頂層介質(zhì)層200時(shí)，不容易影響到第一介質(zhì)層100。
[0087]并且，所述氮化硅材料的第一頂層介質(zhì)層200還可以起到阻擋第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110以及后續(xù)形成的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的材料擴(kuò)散的作用，并且，所述第一頂層介質(zhì)層200在后續(xù)第一晶圓A與第二晶圓鍵合時(shí)也可以起到阻擋第二晶圓中的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料擴(kuò)散的作用。
[0088]結(jié)合參考圖6，在所述第一頂層介質(zhì)層200中形成對應(yīng)于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110位置的開口 201，所述開口 201將所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110露出(具體來說，在本實(shí)施例中是將第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110的第一導(dǎo)電線露出)，后續(xù)的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)將形成于所述開口 201中，并與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110接觸以實(shí)現(xiàn)電連接。
[0089]參考圖7，在形成開口 201后，在所述開口 201中以及第一頂層介質(zhì)層200表面形成所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層。
[0090]通過平坦化工藝去除位于第一頂層介質(zhì)層200表面的部分第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，剩余的位于開口 201中的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層與第一頂層介質(zhì)層200表面齊平，以形成所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210。所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210與所述第一導(dǎo)電線相接觸，且從所述第一頂層介質(zhì)層200的表面露出，用于與第二晶圓的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)鍵合以實(shí)現(xiàn)第一晶圓A和第二晶圓之間的鍵合。
[0091]在本實(shí)施例中，可以形成銅材料的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210。但是本發(fā)明對此不作限定，其他導(dǎo)電材料(例如鋁)也可作為第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210的材料。
[0092]具體的，可以采用電化學(xué)鍍(Electro chemical plating, ECP)的方式形成銅材料的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210。但是本發(fā)明對采用何種方法形成所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210不作限定。
[0093]參考圖8，為了方便第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210與后續(xù)形成的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)鍵合，在本實(shí)施例中，形成所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210之后，還包括以下步驟:
[0094]去除部分厚度的第一頂層介質(zhì)層200，以使所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210的表面高于剩余的第一頂層介質(zhì)層200的表面。
[0095]接下來將對形成第二晶圓B進(jìn)行說明:
[0096]首先參考圖9，提供第二晶圓B，所述第二晶圓B具有形成有第二襯底50'的正面。所述第二襯底50'中可以形成有諸如源極、漏極和柵極等基本晶體管部件。第二襯底50'表面形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51'，用于與后續(xù)形成的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸以實(shí)現(xiàn)電連接。
[0097]繼續(xù)參考圖9，與第一晶圓A—樣，然后，在所述第二襯底50' (以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51')上形成第二介質(zhì)層100'，所述第二介質(zhì)層100'用于作為后續(xù)形成的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)。
[0098]在本實(shí)施例中，所述第二介質(zhì)層100'可以采用二氧化硅作為材料。但是本發(fā)明對此并不作限定。
[0099]在這之后，在所述第二介質(zhì)層100'中形成與第二襯底50'相接觸的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，可以采用雙大馬士革的方式形成所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu):
[0100]首先參考圖10，在所述第二介質(zhì)層100'中形成若干對應(yīng)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51'的通孔(via) 101'，所述通孔101'將所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51'露出。所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一部分將形成于所述通孔101'中以形成第二導(dǎo)電插塞。
[0101]然后參考圖11，繼續(xù)對所述第二介質(zhì)層100'對應(yīng)于通孔101'的位置進(jìn)行刻蝕，以在所述通孔101'上繼續(xù)形成溝槽(trench) 102'，后續(xù)步驟中將在所述溝槽102'中形成第二導(dǎo)電線。
[0102]結(jié)合參考圖12，在所述階梯狀的通孔101'以及溝槽102'中形成表面與所述第二介質(zhì)層100'齊平的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'。所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'通過與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51'電連接進(jìn)而與第二襯底50'中的晶體管連接。
[0103]具體來說，與第一晶圓A—樣，可以先在所述通孔101'、溝槽102'中以及第二介質(zhì)層100'表面形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料，然后采用平坦化工藝去除位于第二介質(zhì)層100'表面的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料，剩余的位于階梯狀的通孔101中的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料便成為所述第二導(dǎo)電插塞，位于溝槽102'中的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料成為第二導(dǎo)電線，所述第二導(dǎo)電插塞和第二導(dǎo)電線電連接，并共同構(gòu)成本實(shí)施例的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'。
[0104]在本實(shí)施例中形成銅材料的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'。但是本發(fā)明對此不作限定，其他導(dǎo)電材料(例如鋁)也可作為第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'的材料。
[0105]具體的，可以采用電化學(xué)鍍(Electro chemical plating, ECP)的方式形成銅材料的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'。但是本發(fā)明對采用何種方法形成所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'不作限定。
[0106]參考圖13，在這之后，在所述第二介質(zhì)層100'以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'上形成第二頂層介質(zhì)層200'。所述第二頂層介質(zhì)層200'中將形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)中形成頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前形成多層層間互連結(jié)構(gòu)的方法相比，本發(fā)明直接在第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'上形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，后續(xù)的步驟中第二晶圓B將通過第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接與第一晶圓A鍵合，不需要形成其他互連結(jié)構(gòu)，這在一定程度上簡化了工藝步驟(節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟)，簡化了整個(gè)工藝的復(fù)雜程度，提升了生產(chǎn)效率并降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，簡化了工藝步驟也意味著增加了工藝流程的可靠性，進(jìn)而可以使得到的產(chǎn)品質(zhì)量增加。
[0107]在本實(shí)施例中，所述第二頂層介質(zhì)層200'可以采用與所述第二介質(zhì)層100'相同的二氧化硅作為材料。但是本發(fā)明對此不作不限定。
[0108]結(jié)合參考圖14，在所述第二頂層介質(zhì)層200'中形成對應(yīng)于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'位置的開口 201'，所述開口將所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'露出(具體來說，在本實(shí)施例中是將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'的第二導(dǎo)電線露出)，后續(xù)的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)將形成于所述開口 201'中，并與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'相接觸以實(shí)現(xiàn)電連接。
[0109]參考圖15，在形成開口 201'后，在所述開口 201'中以及第二頂層介質(zhì)層200'表面形成所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層。
[0110]然后，參考圖16，通過平坦化工藝去除位于第二頂層介質(zhì)層200'表面的部分第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，剩余的位于開口 201'中的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層與第二頂層介質(zhì)層200'表面齊平，以形成所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'。所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'與所述第二導(dǎo)電線相接觸，且從所述第二頂層介質(zhì)層200'的表面露出，用于與第一晶圓A的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210鍵合以實(shí)現(xiàn)第二晶圓B和第一晶圓A之間的鍵合。
[0111]在本實(shí)施例中，可以形成銅材料的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'。但是本發(fā)明對此不作限定，其他導(dǎo)電材料(例如鋁)也可作為第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的材料。
[0112]具體的，可以采用電化學(xué)鍍(Electro chemical plating, ECP)的方式形成銅材料的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'。但是本發(fā)明對采用何種方法形成所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'不作限定。
[0113]參考圖17和圖18，為了方便所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'與第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210鍵合，在本實(shí)施例中，形成所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的步驟之后，本實(shí)施例還包括以下步驟:
[0114]使所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的表面凹陷，這樣有利于與高于剩余的第一頂層介質(zhì)層200的表面的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210對齊并鍵合。
[0115]具體的，可以采用以下方式使第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的表面凹陷211':
[0116]在所述第二頂層介質(zhì)層200'上形成露出第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的掩模20' ;
[0117]采用濕法刻蝕以去除部分第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'，以使所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的表面產(chǎn)生凹陷211' ；
[0118]去除所述掩模20' (圖中未示出)。
[0119]在這之后，參考圖19，為第一晶圓A和第二晶圓B之間鍵合的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中，可以通過對第一晶圓A和第二晶圓B加溫加壓的方式，使第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210與第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的原子相互滲透、擴(kuò)散或者相互熔融以達(dá)到將第一晶圓A和第二晶圓B鍵合的目的。
[0120]此外，參考圖19，本發(fā)明還提供一種晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，包括:
[0121]第一晶圓A，所述第一晶圓具有形成有第一襯底50的正面，
[0122]和所述第一晶圓相互鍵合的第二晶圓B，所述第二晶圓具有形成有第二襯底50'的正面；
[0123]所述第一襯底50和第二襯底50'中可以形成有諸如源極、漏極和柵極等基本晶體管部件。第一襯底50和第二襯底50'的表面分別形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51'，分別用于與后續(xù)形成的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相接觸以實(shí)現(xiàn)電連接。
[0124]分別位于所述第一襯底50和第二襯底50'上的第一介質(zhì)層100和第二介質(zhì)層100' ;所述第一介質(zhì)層100和第二介質(zhì)層100'分別用于作為后續(xù)形成的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)。
[0125]在本實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)層100和第二介質(zhì)層100'均可以采用二氧化娃作為材料。但是本發(fā)明對此并不作限定。
[0126]晶圓鍵合結(jié)構(gòu)還包括:分別形成于所述第一介質(zhì)層100和第二介質(zhì)層100'中的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110' ；
[0127]具體的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110包括:
[0128]形成于所述第一介質(zhì)層100中的第一導(dǎo)電插塞；
[0129]形成于所述第一介質(zhì)層100中、第一導(dǎo)電插塞上的第一導(dǎo)電線，所述第一導(dǎo)電線與所述第一導(dǎo)電插塞電連接，所述第一導(dǎo)電插塞和第一導(dǎo)電線構(gòu)成本實(shí)施例的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu) IlOo
[0130]所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'包括:
[0131]形成于第二介質(zhì)層100'中的第二導(dǎo)電插塞；
[0132]形成于所述第二介質(zhì)層100'中、第二導(dǎo)電插塞上的第二導(dǎo)電線，所述第二導(dǎo)電線與所述第二導(dǎo)電插塞電連接，所述第二導(dǎo)電插塞和第二導(dǎo)電線構(gòu)成本實(shí)施例的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 110'O
[0133]具體的，在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'可以采用銅作為材料。但是本發(fā)明對此不作限定，其他導(dǎo)電材料(例如鋁)也可作為第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110'的材料。
[0134]所述晶圓鍵合結(jié)構(gòu)還包括:分別位于述第一介質(zhì)層100和第二介質(zhì)層100'上的第一頂層介質(zhì)層200和第二頂層介質(zhì)層200' ；
[0135]在本實(shí)施例中，所述第一頂層介質(zhì)層200的材料為氮化硅；所述氮化硅材料的第一頂層介質(zhì)層200還可以起到阻擋第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110以及第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的材料擴(kuò)散的作用，并且，所述第一頂層介質(zhì)層200也可以起到阻擋第二晶圓中的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料擴(kuò)散的作用。
[0136]第二頂層介質(zhì)層200'的材料與所述第二介質(zhì)層100'的材料相同。
[0137]晶圓鍵合結(jié)構(gòu)還包括:形成在所述第一頂層介質(zhì)層200中，且與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110相接觸(具體為本實(shí)施例中的第一導(dǎo)電線)的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210從所述第一頂層介質(zhì)層200的表面露出；
[0138]在本實(shí)施例中，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210的表面高于所述第一頂層介質(zhì)層200的表面，這樣可以方便第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210與第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'鍵合；
[0139]晶圓鍵合結(jié)構(gòu)還包括:形成在所述第二頂層介質(zhì)層200'中，且與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110' (具體為本實(shí)施例中的第二導(dǎo)電線)相接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'。
[0140]在本實(shí)施例中，所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的表面凹陷，這樣可以方便與高于所述第一頂層介質(zhì)層200的表面的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210對齊并鍵合。
[0141]在本實(shí)施例中，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210和第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的材料均為銅。但是本發(fā)明對此不作限定，其他導(dǎo)電材料(例如鋁)也可作為第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210或第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210'的材料。
[0142]與現(xiàn)有技術(shù)中形成頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前形成多層層間互連結(jié)構(gòu)的方法相比，本發(fā)明直接分別在第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上分別形成用于鍵合的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，相對節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟，這在一定程度上簡化了工藝步驟(節(jié)省了形成其他互連結(jié)構(gòu)的步驟)，進(jìn)而簡化了整個(gè)工藝的復(fù)雜程度，提升了生產(chǎn)效率，在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，縮短了生產(chǎn)周期的耗時(shí)。由于節(jié)省了形成其它互連結(jié)構(gòu)的步驟，因此降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，簡化了工藝步驟也意味著增加了工藝流程的可靠性，進(jìn)而可以使得到的產(chǎn)品質(zhì)量增加。
[0143]需要說明的是，本發(fā)明的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)可以但不限于通過上述的晶圓鍵合方法得到。
[0144]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓鍵合方法，用于將第一晶圓和第二晶圓相互鍵合；其特征在于，所述晶圓鍵合方法包括: 分別提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓具有形成有第一襯底的正面，所述第二晶圓具有形成有第二襯底的正面； 分別在所述第一襯底上形成第一介質(zhì)層、在第二襯底上形成第二介質(zhì)層； 在所述第一介質(zhì)層中形成與第一襯底相接觸的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在所述第二介質(zhì)層中形成與第二襯底相接觸的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)； 在所述第一介質(zhì)層以及第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第一頂層介質(zhì)層，并在所述第一頂層介質(zhì)層中形成與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并使所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述第一頂層介質(zhì)層的表面露出； 在第二介質(zhì)層以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二頂層介質(zhì)層，并在所述第二頂層介質(zhì)層中形成與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)； 使位于第一晶圓正面的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與位于第二晶圓正面的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相互鍵合。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 在所述第一介質(zhì)層中形成第一導(dǎo)電插塞； 在所述第一介質(zhì)層中的第一導(dǎo)電插塞上形成與所述第一導(dǎo)電插塞電連接的第一導(dǎo)電線； 形成的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 形成與所述第一導(dǎo)電線相接觸的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 在所述第二介質(zhì)層中形成第二導(dǎo)電插塞； 在所述第二介質(zhì)層中的第二導(dǎo)電插塞上形成與所述第二導(dǎo)電插塞電連接的第二導(dǎo)電線； 形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 形成與所述第二導(dǎo)電線相接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材料均為銅。5.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，第一頂層介質(zhì)層和第二頂層介質(zhì)層的材料均為氮化硅。6.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 在所述第一頂層介質(zhì)層中形成開口； 在所述第一頂層介質(zhì)層的開口中填充第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層還覆蓋于第一頂層介質(zhì)層表面； 去除部分第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，使剩余的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層與所述第一頂層介質(zhì)層表面齊平，以形成所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。7.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟還包括:去除部分厚度的第一頂層介質(zhì)層，以使剩余的第一頂層介質(zhì)層的表面低于所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面。8.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材料為銅。9.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成第二頂層介質(zhì)層的步驟包括: 形成與所述第二介質(zhì)層材料相同的第二頂層介質(zhì)層。10.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 在所述第二頂層介質(zhì)層中形成開口； 在所述第二頂層介質(zhì)層的開口中填充第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層還覆蓋于第二頂層介質(zhì)層表面； 去除部分第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層，使剩余的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料層與所述第二頂層介質(zhì)層表面齊平。11.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟還包括: 形成表面凹陷的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。12.如權(quán)利要求11所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，形成表面凹陷的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟包括: 在所述第二頂層介質(zhì)層上形成露出第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的掩模； 采用濕法刻蝕以去除部分第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以使所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面凹陷； 去除所述掩模。13.—種晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 第一晶圓，所述第一晶圓具有形成有第一襯底的正面， 和所述第一晶圓相互鍵合的第二晶圓，所述第二晶圓具有形成有第二襯底的正面； 位于所述第一襯底上的第一介質(zhì)層和位于第二襯底上第二介質(zhì)層； 位于所述第一介質(zhì)層中的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和位于所述介質(zhì)層中的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)； 位于述第一介質(zhì)層的第一頂層介質(zhì)層和位于所述第二介質(zhì)層上的第二頂層介質(zhì)層；形成在所述第一頂層介質(zhì)層中且與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接接觸的第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述第一頂層介質(zhì)層的表面露出； 形成在所述第二頂層介質(zhì)層中，且與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接接觸的第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。14.如權(quán)利要求13所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括:形成于所述第一介質(zhì)層中的第一導(dǎo)電插塞； 形成于所述第一介質(zhì)層中第一導(dǎo)電插塞上的第一導(dǎo)電線，所述第一導(dǎo)電線與所述第一導(dǎo)電插塞電連接； 所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第一導(dǎo)電線相接觸。15.如權(quán)利要求13所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括:形成于第二介質(zhì)層中的第二導(dǎo)電插塞； 形成于所述第二介質(zhì)層中、第二導(dǎo)電插塞上的第二導(dǎo)電線，所述第二導(dǎo)電線與所述第二導(dǎo)電插塞電連接； 所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第二導(dǎo)電線接觸。16.如權(quán)利要求13所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材料均為銅。17.如權(quán)利要求13所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一頂層介質(zhì)層的材料為氮化娃。18.如權(quán)利要求13所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二頂層介質(zhì)層的材料與所述第二介質(zhì)層的材料相同。19.如權(quán)利要求13所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面高于所述第一頂層介質(zhì)層的表面。20.如權(quán)利要求13所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二頂層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面為凹陷結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK105826213SQ201510006070
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2015年1月6日
【發(fā)明人】陳政, 張海芳, 包德君, 王偉
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司