源，向祀施加電流0.6A、電壓330V(電力值大約 200W)〇
[0201] 利用上述瓣射法，成膜形成厚度為30皿的黑化層13。需要說明的是，為便于說明， W成膜的層為黑化層13進(jìn)行了說明，但如下所述所成膜的是WNi為主相的層，并具有金屬 光澤，因此為不起到黑化層13作用的層。
[0202] 對于由W上步驟所得到的導(dǎo)電性基板，實施反射率測定和溶解試驗。反射率和溶 解試驗的評價結(jié)果如表2所示。
[0203] 另外，制作用于進(jìn)行比電阻的測定和黑化層的組成評價的比電阻等測定用試料。
[0204] 比電阻等測定用材料是使用與上述透明基材11相同的縱5cm、橫5cm、厚0.02mm的 聚乙締對苯二甲酸醋(PET)制的透明基材11。接著，在透明基材的一個表面的整面上W膜厚 為500nm的方式進(jìn)行成膜形成黑化層13,除了未形成銅層12W外與上述步驟同樣地制作試 料，W供評價。
[0205] 關(guān)于比電阻的測定結(jié)果、利用X光繞射測定所鑒定的黑化層的主相，表2中表示其 結(jié)果。
[0206] [實驗例2-2]
[0207] 對黑化層13進(jìn)行成膜時，除了 W氮和氣合計為15SCCM的方式向腔室內(nèi)供給氮和氣 同時進(jìn)行，W氮為50體積％、殘余部為氣的方式向腔室內(nèi)供給各氣體進(jìn)行瓣射之點W外，與 實驗例2-1同樣地制作導(dǎo)電性基板、及比電阻等測定用試料。另外，對所制作的試料進(jìn)行評 價。需要說明的是，在本實驗例中為了便于說明，在此也W成膜的層為黑化層13進(jìn)行說明， 然而在此作為黑化層13成膜的層由于不含有氧因此未成為能抑制光的反射的顏色，未起到 作為黑化層的功能。
[0208] 關(guān)于溶解試驗的評價結(jié)果及比電阻的測定結(jié)果、W及利用X光繞射測定所鑒定的 黑化層的主相，其結(jié)果如表2所示。
[0209] [實驗例2-3]
[0210] 對黑化層13進(jìn)行成膜時，除了 W氮、氧、氣合計為15SCCM的方式向腔室內(nèi)供給氮和 氣同時進(jìn)行，W氮為45體積％、氧為5體積％、殘余部為氣的方式向腔室內(nèi)供給各氣體進(jìn)行 瓣射之點W外，與實驗例2-1同樣地制作導(dǎo)電性基板、及比電阻等測定用試料。另外，對所制 作的試料進(jìn)行評價。
[0211] 關(guān)于反射率、溶解試驗的評價結(jié)果及比電阻的測定結(jié)果、W及利用X光繞射測定所 鑒定的黑化層的主相，其結(jié)果如表2所示。
[0212] 另外，當(dāng)對比電阻等測定用試料的黑化層進(jìn)行抓S分析時，可確認(rèn)黑化層含有氧、 氮、儀、及鶴。
[0213] [實驗例2-4]
[0214] 對黑化層13進(jìn)行成膜時，除了 W氮、氧、氣合計為15SCCM的方式向腔室內(nèi)供給氮和 氣同時進(jìn)行，W氮為30體積％、氧為5體積％、殘余部為氣的方式向腔室內(nèi)供給各氣體進(jìn)行 瓣射之點W外，與實驗例2-1同樣地制作導(dǎo)電性基板、及比電阻等測定用試料。另外，對所制 作的試料進(jìn)行評價。
[0215] 關(guān)于反射率、溶解試驗的評價結(jié)果及比電阻的測定結(jié)果、W及利用X光繞射測定所 鑒定的黑化層的主相，其結(jié)果如表2所示。
[0216] 另外，當(dāng)對比電阻等測定用試料的黑化層進(jìn)行抓S分析時，可確認(rèn)黑化層含有氧、 氮、儀、及鶴。
[0217] [實驗例2-引
[0218] 對黑化層13進(jìn)行成膜時，除了 W氮、氧、氣合計為15SCCM的方式向腔室內(nèi)供給氮和 氣同時進(jìn)行，W氮為40體積％、氧為10體積％、殘余部為氣的方式向腔室內(nèi)供給各氣體進(jìn)行 瓣射之點W外，與實驗例2-1同樣地制作導(dǎo)電性基板、及比電阻等測定用試料。另外，對所制 作的試料進(jìn)行評價。
[0219] 關(guān)于反射率、溶解試驗的評價結(jié)果及比電阻的測定結(jié)果、W及利用X光繞射測定所 鑒定的黑化層的主相，其結(jié)果如表2所示。
[0220] 另外，當(dāng)對比電阻等測定用試料的黑化層進(jìn)行抓S分析時，可確認(rèn)黑化層含有氧、 氮、儀、及鶴。
[022U [實驗例 2-6]
[0222] 對黑化層13進(jìn)行成膜時，除了 W氮、氧、氣合計為15SCCM的方式向腔室內(nèi)供給氮和 氣同時進(jìn)行，W氮為37體積％、氧為13體積％、殘余部為氣的方式向腔室內(nèi)供給各氣體進(jìn)行 瓣射之點W外，與實驗例2-1同樣地制作導(dǎo)電性基板、及比電阻等測定用試料。另外，對所制 作的試料進(jìn)行評價。
[0223] 關(guān)于反射率、溶解試驗的評價結(jié)果及比電阻的測定結(jié)果、W及利用X光繞射測定所 鑒定的黑化層的主相，其結(jié)果如表2所示。
[0224] 另外，當(dāng)對比電阻等測定用試料的黑化層進(jìn)行抓S分析時，可確認(rèn)黑化層含有氧、 氮、儀、及鶴。
[0225] [實驗例2-7]
[0226] 對黑化層13進(jìn)行成膜時，除了 W氮、氧、氣合計為15SCCM的方式向腔室內(nèi)供給氮和 氣同時進(jìn)行，W氮為10體積％、氧為40體積％、殘余部為氣的方式向腔室內(nèi)供給各氣體進(jìn)行 瓣射之點W外，與實驗例2-1同樣地制作導(dǎo)電性基板、及比電阻等測定用試料。另外，對所制 作的試料進(jìn)行評價。
[0227] 關(guān)于反射率、溶解試驗的評價結(jié)果及比電阻的測定結(jié)果、W及利用X光繞射測定所 鑒定的黑化層的主相，其結(jié)果如表2所示。
[0228] 另外，當(dāng)對比電阻等測定用試料的黑化層進(jìn)行抓S分析時，可確認(rèn)黑化層含有氧、 氮、儀、及鶴。
[0229] [表 2]
[0231] 根據(jù)表2所示的結(jié)果，關(guān)于實驗例2-1~2-7,在其溶解試驗中評價均為O或A，銅 層及黑化層能同時溶解。
[0232] 然而，關(guān)于作為比較例的實驗例2-1、2-2,黑化層13由于不含有氧因此未起到黑化 層的功能。具體而言，關(guān)于實驗例2-1由于黑化層也不含有氮，因此金屬Ni為黑化層的主相， 具有金屬光澤，不具有任何抑制光反射的效果。另外，關(guān)于實驗例2-2由于作為黑化層形成 的層不含有氧，因此未成為能抑制光反射的顏色、未起到黑化層的功能。需要說明的是，盡 管在實驗例2-U2-2中為便于說明使用了黑化層的用語，但如上所述并非起到黑化層功能 的層。
[0233] W從實驗例2-1至實驗例2-2~實驗例2-7的順序，對黑化層進(jìn)行成膜時的氧濃度 變高的方式選擇黑化層的成膜條件。關(guān)于該些實驗例利用X光繞射測定所鑒定的黑化層的 主相，首先，在黑化層成膜時未供給氮及氧的實驗例2-1中金屬Ni為黑化層的主相。并且，在 黑化層成膜時進(jìn)行氮的供給的實驗例2-2W后作為黑化層的主相觀察到NisN,在進(jìn)一步增 加黑化層成膜時的氧的供給量的實驗例2-5~實驗例2-7中，可確認(rèn)黑化層的主相變化為 NiO。
[0234] 并且，在實施例之中的、黑化層成膜時的氧濃度為15體積％ W下的實驗例2-3~實 驗例2-6中，可確認(rèn)黑化層的比電阻降低為2.OOXlO-2Q . cmW下。
[0235] W上在實施方式及實施例等中對導(dǎo)電性基板及導(dǎo)電性基板的制造方法進(jìn)行了說 明，但本發(fā)明并不限定于上述特定的實施方式及實施例等，在權(quán)利要求書所記載的本發(fā)明 的主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種變形、變更。
[0236] 本申請W于2013年10月31日向日本國特許廳申請的特愿2013-227517號、及于 2014年3月31日向日本國特許廳申請的特愿2014-074591號作為要求優(yōu)先權(quán)的基礎(chǔ)，本國際 申請援引特愿2013-227517號、及特愿2014-074591號的全部內(nèi)容。
[0237] 符號說明
[023引 10A、10B、20A、20B、30、60 導(dǎo)電性基板
[0239] 11、11A、11B 透明基材
[0240] 12、12A、12B 銅層
[0241] 13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B 黑化層
[0242] 31A、31B 配線
【主權(quán)項】
1. 一種導(dǎo)電性基板，其包括： 透明基材； 銅層，其形成在所述透明基材的至少一個表面?zhèn)龋灰约? 黑化層，其形成在所述透明基材的至少一個表面?zhèn)龋⑶液醒?、氮、鎳、及鎢。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性基板，其中， 所述黑化層 使用鎳鎢合金的靶， 以氧為5體積％以上且20體積％以下、氮為30體積％以上且55體積％以下的比例向腔 室內(nèi)供給氧和氮，同時利用濺射法進(jìn)行成膜。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性基板，其中， 所述鎳鎢合金的靶以5重量％以上且30重量％以下的比例包含鎢。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的導(dǎo)電性基板，其中， 所述黑化層的比電阻為2.00X10-2Ω · cm以下。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的導(dǎo)電性基板，其中， 所述銅層的厚度為50nm以上， 所述黑化層的厚度為15nm以上。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的導(dǎo)電性基板，其中， 所述導(dǎo)電性基板的波長550nm的光的反射率為40%以下。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的導(dǎo)電性基板，其中， 所述導(dǎo)電性基板具有網(wǎng)狀的配線。8. -種導(dǎo)電性基板的制造方法，其包括： 準(zhǔn)備透明基材的透明基材準(zhǔn)備步驟； 在所述透明基材的至少一個表面?zhèn)刃纬摄~層的銅層形成步驟；以及 在所述透明基材的至少一個表面?zhèn)刃纬珊醒酢⒌?、鎳、及鎢的黑化層的黑化層形成步 驟。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電性基板的制造方法，其中， 所述黑化層形成步驟中， 使用鎳鎢合金的靶， 以氧為5體積％以上且20體積％以下、氮為30體積％以上且55體積％以下的比例向腔 室內(nèi)供給氧和氮，同時利用濺射法進(jìn)行成膜而形成所述黑化層。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電性基板的制造方法，其中， 所述鎳鎢合金的靶以5重量％以上且30重量％以下的比例包含鎢。11. 根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項所述的導(dǎo)電性基板的制造方法，其中， 所述銅層的厚度為50nm以上， 所述黑化層的厚度為15nm以上。12. 根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項所述的導(dǎo)電性基板的制造方法，其中， 所得到的導(dǎo)電性基板的波長550nm的光的反射率為40%以下。13. 根據(jù)權(quán)利要求8至12中任一項所述的導(dǎo)電性基板的制造方法，其中， 所述導(dǎo)電性基板的制造方法進(jìn)一步包括通過對所述銅層和所述黑化層進(jìn)行蝕刻從而 形成配線的蝕刻步驟， 所得到的導(dǎo)電性基板具有網(wǎng)狀的配線。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性基板，其包括：透明基材；銅層，其形成在所述透明基材的至少一個表面?zhèn)?；以及黑化層，其形成在所述透明基材的至少一個表面?zhèn)龋⑶液醒?、氮、鎳、及鎢。
【IPC分類】G06F3/041, B32B7/02, H05K9/00, B32B15/08, B32B9/00, H01B5/14
【公開號】CN105706182
【申請?zhí)枴緾N201480059111
【發(fā)明人】渡邊宏幸, 山岸浩一, 永田純一, 高塚裕二, 橫林貞之
【申請人】住友金屬礦山股份有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2014年10月29日
【公告號】WO2015064664A1