絕緣層的制造方法、陣列的制造方法及陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種絕緣層的制造方法、陣列基板的制造方法及陣列基板，其中絕緣層的制造方法包括步驟：在基板上沉積一絕緣層，對絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層；對具有開口的絕緣層進行光固化處理；對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。采用本發(fā)明的絕緣層制造方法能夠減少絕緣層開口發(fā)生變形的情況。
【專利說明】
絕緣層的制造方法、陣列的制造方法及陣列基板
技術(shù)領域
[0001]本發(fā)明涉及面板制造領域，特別是涉及一種絕緣層的制造方法、陣列基板的制造方法及陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶面板作為主流顯示面板已廣泛應用到人們?nèi)粘Ｉ詈凸ぷ髦?，液晶面板通常由陣列基板進行電路控制，以實現(xiàn)顯示。陣列基板中通常會使用到有機絕緣層，其能夠降低金屬電極之間的寄生電容，以降低面板的功耗，還可用于使各個膜層更為平坦化，從而改善面板顯示的暗態(tài)，提高顯示的對比度。
[0003]有機絕緣層的制造基本算是陣列基板中必不可少的工藝，而現(xiàn)有的制造工藝中，絕緣層上所形成的開口通常會出現(xiàn)的嚴重的變形，容易導致開口被堵住，絕緣層解析度下降的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種絕緣層的制造方法、陣列基板的制造方法及陣列基板，以解決現(xiàn)有的制造工藝中絕緣層開口容易出現(xiàn)變形的情況。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提出一種絕緣層的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟:在基板上沉積一絕緣層;對所述絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層;對具有開口的絕緣層進行光固化處理;對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。
[0006]其中，所述對具有開口的絕緣層進行光固化處理的步驟包括:對具有開口的絕緣層進行紫外線固化處理。
[0007]其中，所述在基板上沉積一絕緣層的步驟之后包括:將具有絕緣層的基板在真空中放置一段時間。
[0008]其中，所述沉積一絕緣層后的步驟包括:對所述絕緣層進行烘烤處理。
[0009]其中，所述沉積一絕緣層的步驟包括:使用化學氣相沉積得到一絕緣層。
[0010]為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，其中，在形成數(shù)據(jù)線和形成公共電極線的步驟之間包括形成絕緣層的步驟，所述形成絕緣層的步驟包括:沉積一絕緣層;對所述絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層;對具有開口的絕緣層進行光固化處理;對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。
[0011]其中，所述對具有開口的絕緣層進行光固化處理的步驟包括:對具有開口的絕緣層進行紫外線固化處理。
[0012]其中，所述沉積一絕緣層的步驟之后包括:將沉積一絕緣層后的陣列基板在真空中放置一段時間。
[0013]其中，所述沉積一絕緣層后的步驟包括:對所述絕緣層進行烘烤處理。
[0014]為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種陣列基板，該陣列基板由上述制造方法制得。
[0015]本發(fā)明絕緣層的制造方法包括步驟:在基板上沉積一絕緣層，對絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層;對具有開口的絕緣層進行光固化處理;對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。絕緣層在曝光顯影得到開口后，對絕緣層進行進一步的光固化處理，使絕緣層發(fā)生交聯(lián)反應，絕緣層的交聯(lián)程度越高，在高溫退火時就越不容易出現(xiàn)流動變形，因此避免了高溫退火時出現(xiàn)流動而導致開口堵塞的問題。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明絕緣層的制造方法一實施方式的流程示意圖；
[0017]圖2是圖1所示絕緣層的制造方法一實施方式中絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明陣列基板的制造方法一實施方式的流程示意圖；
[0019]圖4是圖3所示陣列基板的制造方法一實施方式中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖5是本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0021]為使本領域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對發(fā)明所提供的一種絕緣層的制造方法、陣列基板的制造方法及陣列基板做進一步詳細描述。
[0022]參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明絕緣層的制造方法一實施方式的流程示意圖，圖2是圖1所示絕緣層的制造方法一實施方式中絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]本實施方式絕緣層的制造方法包括以下步驟。
[0024]SlOl:在基板上沉積一絕緣層。
[0025]本實施方式絕緣層20的制造是陣列基板制造中的一個工藝，本步驟中基板10不是指陣列基板中單一的某一層，而是指包括玻璃基板、金屬層等的廣義概念。本步驟中絕緣層20由化學氣相沉積形成在基板10上。
[0026]化學氣相沉積中一般有溶劑的揮發(fā)步驟，本實施方式中將沉積了絕緣層20的基板10于真空中放置一段時間，以加快溶劑的揮發(fā)。還可進一步的對絕緣層20進行烘烤處理。
[0027]S102:對絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層。
[0028]利用光罩對絕緣層20進行曝光顯影處理，得到具有開口 21的絕緣層20。本實施方式中絕緣層20為負型，即采用遮住開口 21的光罩實現(xiàn)曝光顯影，未被光照到的開口 21被刻蝕，而被光照到的其他部分能夠發(fā)生輕微的交聯(lián)反應。
[0029]S103:對具有開口的絕緣層進行光固化處理。
[0030]本步驟S103中采用紫外線對絕緣層20進行光固化處理，即使得具有開口 21的絕緣層20進一步的發(fā)生交聯(lián)反應，絕緣層20能夠進一步的被固化，而不容易發(fā)生變形流動。
[0031]S104:對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。
[0032]本步驟S104中的高溫退火處理能夠使絕緣層20充分交聯(lián)，并且由于步驟S103中已經(jīng)對絕緣層20做了一定的固化，因此本步驟S104中的高溫對絕緣層20的影響較小，使開口21處的絕緣層材料變形回流變得輕微，從而減少開口 21堵塞等問題。
[0033]本發(fā)明絕緣層的制造方法包括步驟:在基板上沉積一絕緣層，對絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層;對具有開口的絕緣層進行光固化處理;對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。絕緣層在曝光顯影得到開口后，對絕緣層進行進一步的光固化處理，使絕緣層發(fā)生交聯(lián)反應，絕緣層的交聯(lián)程度越高，在高溫退火時就越不容易出現(xiàn)流動變形，因此避免了高溫退火時出現(xiàn)流動而導致開口堵塞的問題。
[0034]請參閱圖3和圖4，圖3是本發(fā)明陣列基板的制造方法一實施方式的流程示意圖，圖4是圖3所示陣列基板的制造方法一實施方式中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]本實施方式陣列基板的制造方法包括以下步驟。
[0036]S301:在一基板上形成數(shù)據(jù)線。
[0037]S302:在數(shù)據(jù)線上形成絕緣層。
[0038]S303:在絕緣層上形成公共電極線。
[0039]本實施方式得到的陣列基板400中絕緣層42形成在數(shù)據(jù)線41與公共電極線43之間，而數(shù)據(jù)線41即公共電極線43的形成的先后順序并不做限定，即本實施方式中步驟S301及S303可以對換，先形成公共電極線43，然后形成絕緣層42，最后形成數(shù)據(jù)線41，具體采用哪種方式需根據(jù)陣列基板的結(jié)構(gòu)確定。
[0040]本實施方式中數(shù)據(jù)線與絕緣層之間還形成有材料為氮化硅(SiNx)的鈍化層44。步驟S301形成數(shù)據(jù)線之前進一步包括步驟:在玻璃基板45上形成柵極層46以及柵極絕緣層47。
[0041 ] 其中步驟S302為形成絕緣層42，具體包括步驟:I)沉積一絕緣層，并將沉積一絕緣層后的陣列基板在真空中放置一段時間，且對絕緣層進行烘烤處理;2)對絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口 421的絕緣層42;3)對具有開口 421的絕緣層42進行紫外線光固化處理;4)對完成光固化處理的具有開口 421的絕緣層42進行高溫退火處理。本步驟S302與上述實施方式絕緣層的制造方法類似，具體不再贅述。
[0042]通過本發(fā)明陣列基板的制造方法所得到的陣列基板中絕緣層在曝光顯影得到開口后，進行高溫退火之前對其實施光固化處理，使其在高溫退火時受到高溫作用發(fā)生變形的程度變小。陣列基板中開口的質(zhì)量較高，相應的陣列基板的質(zhì)量也較高。
[0043]請參閱圖5，圖5是本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]本實施方式陣列基板500由上述實施方式陣列基板的制造方法制得。
[0045]具體來說，本實施方式陣列基板500包括玻璃基板51，在玻璃基板51上依次形成的柵極層52、柵極絕緣層53、數(shù)據(jù)線54、鈍化層55、絕緣層56以及公共電極57。其中絕緣層56在曝光顯影得到開口 561后，進一步進行光固化處理，然后進行高溫退火。
[0046]在其他實施方式中，柵極層52、數(shù)據(jù)線54以及公共電極57的位置關系可以根據(jù)陣列基板500的類型確定，例如在某些陣列基板中，柵極層52與公共電極57同層設置，因此本發(fā)明中對于柵極層52、數(shù)據(jù)線54以及公共電極57的位置關系不做限制。
[0047]以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術(shù)領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種絕緣層的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟: 在基板上沉積一絕緣層； 對所述絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層； 對具有開口的絕緣層進行光固化處理； 對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述對具有開口的絕緣層進行光固化處理的步驟包括: 對具有開口的絕緣層進行紫外線固化處理。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在基板上沉積一絕緣層的步驟之后包括: 將具有絕緣層的基板在真空中放置一段時間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沉積一絕緣層后的步驟包括: 對所述絕緣層進行烘烤處理。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沉積一絕緣層的步驟包括: 使用化學氣相沉積得到一絕緣層。6.—種陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成數(shù)據(jù)線和形成公共電極線的步驟之間包括形成絕緣層的步驟， 所述形成絕緣層的步驟包括: 沉積一絕緣層； 對所述絕緣層進行曝光顯影處理，得到具有開口的絕緣層； 對具有開口的絕緣層進行光固化處理； 對完成光固化處理的具有開口的絕緣層進行高溫退火處理。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述對具有開口的絕緣層進行光固化處理的步驟包括: 對具有開口的絕緣層進行紫外線固化處理。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述沉積一絕緣層的步驟之后包括: 將沉積一絕緣層后的陣列基板在真空中放置一段時間。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述沉積一絕緣層后的步驟包括: 對所述絕緣層進行烘烤處理。10.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板由權(quán)利要求6-9中任一項制造方法制得。
【文檔編號】H01L21/768GK105977148SQ201610519435
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月1日
【發(fā)明人】范德勇
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司