導(dǎo)電性基板、導(dǎo)電性基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種導(dǎo)電性基板、導(dǎo)電性基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 如專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的那樣，自W往W來(lái)使用一種觸摸面板用的透明導(dǎo)電性薄膜， 該薄膜在高分子薄膜上形成作為透明導(dǎo)電膜的ITO(氧化銅錫)膜。
[0003] 另一方面，近些年具有觸摸面板的顯示器的大畫(huà)面化正在發(fā)展，與其對(duì)應(yīng)地，對(duì)于 觸摸面板用的透明導(dǎo)電性膜等導(dǎo)電性基板也在尋求大面積化。然而，ITO由于其電阻值較 高，因此存在無(wú)法對(duì)應(yīng)導(dǎo)電性基板的大面積化的問(wèn)題。
[0004] 因此，例如如專利文獻(xiàn)2、3所公開(kāi)的那樣，正在研究使用銅等金屬錐來(lái)代替ITO膜。 然而，例如當(dāng)將銅用于配線層時(shí)，由于銅具有金屬光澤，因此存在由于反射而帶來(lái)的顯示器 的可視性降低的問(wèn)題。
[0005] 因而，正在研究一種導(dǎo)電性基板，其形成由銅等金屬錐所構(gòu)成的配線層的同時(shí)，形 成具有能抑制配線層表面上的光反射的顏色的黑化層。然而，為了形成具有配線圖案的導(dǎo) 電性基板，需要在形成配線和黑化層之后，對(duì)配線層和黑化層進(jìn)行蝕刻而形成所需的圖案， 但是存在配線層和黑化層的相對(duì)于蝕刻液的反應(yīng)性不同的問(wèn)題。換言之，如果要對(duì)配線層 和黑化層同時(shí)進(jìn)行蝕刻，則存在無(wú)法將哪個(gè)層蝕刻成目標(biāo)形狀的問(wèn)題。此外，當(dāng)利用另外的 步驟來(lái)實(shí)施配線層的蝕刻和黑化層的蝕刻時(shí)，存在步驟數(shù)增加的問(wèn)題。
[0006] <現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)〉
[0007] <專利文獻(xiàn)〉
[000引專利文獻(xiàn)1:日本國(guó)特開(kāi)2003-151358號(hào)公報(bào)
[0009] 專利文獻(xiàn)2:日本國(guó)特開(kāi)2011-018194號(hào)公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)3:日本國(guó)特開(kāi)2013-069261號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011 ] <本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題〉
[0012]鑒于上述【背景技術(shù)】的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種能同時(shí)進(jìn)行蝕刻處理的、 具有銅層和黑化層的導(dǎo)電性基板。
[OOU] <用于解決技術(shù)問(wèn)題的方案〉
[0014] 為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性基板，其包括:透明基材;銅層，其形成 在所述透明基材的至少一個(gè)表面?zhèn)?；W及黑化層，其形成在所述透明基材的至少一個(gè)表面 側(cè)，并且含有氧、氮、儀、及鶴。
[0015] <發(fā)明的效果〉
[0016] 根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能同時(shí)進(jìn)行蝕刻處理的、具有銅層和黑化層的導(dǎo)電性基 板。
【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的導(dǎo)電性基板的剖面圖。
[0018] 圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的導(dǎo)電性基板的剖面圖。
[0019] 圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式的具有網(wǎng)狀的配線的導(dǎo)電性基板的俯視圖。
[0020] 圖4是圖3的A-A'線的剖視圖。
[0021] 圖5是實(shí)驗(yàn)例1的導(dǎo)電性基板的反射率的波長(zhǎng)依存性。
【具體實(shí)施方式】
[0022] W下，對(duì)本發(fā)明的導(dǎo)電性基板、及導(dǎo)電性基板的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō) 明。
[0023] (導(dǎo)電性基板）
[0024] 本實(shí)施方式的導(dǎo)電性基板可被構(gòu)成為包括:透明基材;形成在所述透明基材的至 少一個(gè)表面?zhèn)鹊你~層；W及形成在所述透明基材的至少一個(gè)表面?zhèn)?、并且含有氧、氮、儀、及 鶴的黑化層（W下，也僅記載為"黑化層"）。
[0025] 需要說(shuō)明的是，本實(shí)施方式中的所謂的導(dǎo)電性基板包括在對(duì)銅層等進(jìn)行圖案化之 前的透明基材的表面上具有銅層或黑化層的基板、W及對(duì)銅層或黑化層進(jìn)行圖案化并設(shè)為 配線的形狀的基板、也即配線基板。
[0026] 在此，首先對(duì)本實(shí)施方式的導(dǎo)電性基板中所包括的各部件進(jìn)行說(shuō)明。
[0027] 作為透明基材并無(wú)特別限定，可優(yōu)選使用使可見(jiàn)光穿透的絕緣體薄膜、或玻璃基 板等。
[0028] 作為使可見(jiàn)光穿透的絕緣體薄膜，例如可優(yōu)選使用聚酷胺薄膜、聚乙締對(duì)苯二甲 酸醋薄膜、聚二甲酸乙二醇醋薄膜、環(huán)締控薄膜、聚亞酷胺薄膜等樹(shù)脂薄膜等。
[0029] 作為使可見(jiàn)光穿透的樹(shù)脂基板的材料，特別可優(yōu)選使用PET(聚乙締對(duì)苯二甲酸 醋）、C0P(環(huán)締控聚合物）、PEN(聚二甲酸乙二醇醋）、聚亞酷胺、聚碳酸醋等。
[0030] 關(guān)于透明基材的厚度并無(wú)特別限定，可根據(jù)作為導(dǎo)電性基板時(shí)所要求的強(qiáng)度、靜 電容量、或光的穿透率等任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可W設(shè)為lOwnW上200wiiW 下。特別是用于觸摸面板的用途時(shí)，透明基材的厚度優(yōu)選設(shè)為20wiiW上I2OW11W下，更優(yōu)選 設(shè)為20皿W上lOOwnW下。在用于觸摸面板的用途的情況下，例如特別當(dāng)尋求對(duì)顯示器整體 的厚度進(jìn)行薄化的用途時(shí)，透明基材的厚度優(yōu)選為20wiiW上SOwiiW下。
[0031] 接著，對(duì)銅層進(jìn)行說(shuō)明。
[0032] 關(guān)于銅層也無(wú)特別限定，為了降低光的穿透率，優(yōu)選在銅層與透明基材之間、或與 黑化層之間不配置粘結(jié)劑。換言之，優(yōu)選將銅層直接形成在其他部件的上表面上。
[0033] 為了在其他部件的上表面上直接形成銅層，優(yōu)選銅層具有銅薄膜層。另外，銅層可 W具有銅薄膜層和鍛銅層。
[0034] 例如可W在透明基材或黑化層上利用干電鍛法形成銅薄膜層，將該銅薄膜層作為 銅層。由此，能不經(jīng)由粘結(jié)劑而在透明基材或黑化層上直接形成銅層。
[0035] 另外，當(dāng)銅層的膜厚較厚時(shí)，也可W通過(guò)將該銅薄膜層作為供電層，利用濕電鍛法 形成鍛銅層，從而形成具有銅薄膜層和鍛銅層的銅層。由于銅層具有銅薄膜層和鍛銅層，因 此此情況中也可不經(jīng)由粘結(jié)劑而在透明基材或黑化層上直接形成銅層。
[0036] 銅層的厚度并無(wú)特別限定，當(dāng)將銅層用作配線時(shí)，可根據(jù)向該配線供給的電流的 大小或配線寬度等任意選擇。特別是，銅層的厚度優(yōu)選為50nmW上，更優(yōu)選設(shè)為ISOnmW上， 使得能充分地供給電流。銅層厚度的上限值并無(wú)特別限定，若銅層變厚，則當(dāng)為了形成配線 而進(jìn)行蝕刻時(shí)由于蝕刻需要時(shí)間因此產(chǎn)生旁側(cè)蝕刻、容易在蝕刻途中發(fā)生抗蝕劑剝離等問(wèn) 題。因此，銅層的厚度優(yōu)選3wiiW下，更優(yōu)選700nmW下，最優(yōu)選200nmW下。需要說(shuō)明的是，例 如在大畫(huà)面的觸摸面板等配線長(zhǎng)度變長(zhǎng)的用途中，由于W將配線的電阻值充分降低為佳， 因此可W根據(jù)適用畫(huà)面的尺寸、配線長(zhǎng)度來(lái)對(duì)銅層進(jìn)行增厚。
[0037] 當(dāng)如上所述銅層具有銅薄膜層、鍛銅層時(shí)，優(yōu)選銅薄膜層厚度與鍛銅層厚度的合 計(jì)為上述范圍。
[0038] 接著，對(duì)含有氧、氮、儀、及鶴的黑化層進(jìn)行說(shuō)明。
[0039] 由于銅層具有金屬光澤，因此存在當(dāng)僅在透明基板上形成對(duì)銅層進(jìn)行蝕刻的配線 時(shí)銅對(duì)光進(jìn)行反射，例如當(dāng)用作觸摸面板用的導(dǎo)電性基板時(shí)，顯示器的可見(jiàn)性下降的問(wèn)題。 因此，盡管對(duì)設(shè)置黑化層的方法進(jìn)行了研究，然而由于黑化層有時(shí)不充分具有對(duì)蝕刻液的 反應(yīng)性，難W同時(shí)將銅層和黑化層蝕刻成所需的形狀。因此，本發(fā)明的發(fā)明人通過(guò)進(jìn)行研究 發(fā)現(xiàn)，含有氧、氮、儀及鶴的層由于具有能抑制光反射的顏色因此能夠用于黑化層，再有其 顯示出對(duì)蝕刻液的充分的反應(yīng)性，因此能夠與銅層同時(shí)進(jìn)行蝕刻處理。
[0040] 黑化層的成膜方法并無(wú)特別限定，可利用任意方法來(lái)進(jìn)行成膜。但是，由于能夠比 較容易地成膜出黑化層，因此優(yōu)選利用瓣射法來(lái)進(jìn)行成膜。
[0041] 黑化層例如可W使用儀鶴合金的祀，通過(guò)向腔室內(nèi)供給氧和氮，同時(shí)利用瓣射法 進(jìn)行成膜。需要說(shuō)明的是，也可W使用儀祀和鶴祀，向腔室內(nèi)供給氧和氮，同時(shí)利用瓣射法 來(lái)進(jìn)行成膜。向腔室內(nèi)供給的氧和氮的供給比例并無(wú)特別限定，優(yōu)選W氧為5體積％^上20 體積％ W下、氮為30體積％ W上55體積％ W下的比例向腔室內(nèi)供給氧和氮，同時(shí)利用瓣射 法進(jìn)行成膜。
[0042] 如上所述通過(guò)將向腔室內(nèi)供給的氧的比例設(shè)為5體積％ ^上，從而能使黑化層的 顏色為可充分抑制光反射的顏色，能充分發(fā)揮作為黑化層的功能，因此較佳。更優(yōu)選向腔室 內(nèi)供給的氧的供給比例為10體積％^上。另外，通過(guò)使氧的供給量為20體積％ ^下，從而能 特別提高黑化層對(duì)蝕刻液的反應(yīng)性，當(dāng)與銅層一同進(jìn)行蝕刻時(shí)能容易地使銅層和黑化層為 所需的圖案，因此較佳。更優(yōu)選向腔室內(nèi)的氧的供給比例為15體積％ W下。
[0043] 關(guān)于氮，盡管在對(duì)黑化層進(jìn)行成膜時(shí)通過(guò)在該氣氛中添加氮使得蝕刻變得容易， 但若添加量過(guò)多則無(wú)法充分抑制光反射，作為黑化層的性能有降低的風(fēng)險(xiǎn)。因此，優(yōu)選瓣射 時(shí)的氮的供給比例為30體積％^上55體積％^下，更優(yōu)選35體積％^上40體積％^下。需 要說(shuō)明的是，通過(guò)使氮的供給比例為55體積％^下，能確保黑化層的瓣射速度，因此較佳。 當(dāng)W向腔室內(nèi)的氮的供給比例為40體積％ W下的方式進(jìn)行供給時(shí)，由于進(jìn)一步提高黑化層 的瓣射速度，因此更佳。
[0044] 需要說(shuō)明的是，在進(jìn)行瓣射時(shí)，對(duì)于供給至腔室內(nèi)的氣體，除了氧和氮W外的殘余 部?jī)?yōu)選為惰性氣體。關(guān)于除了氧和氮W外的殘余部，例如可W供給氣或氮。
[0045] 另外，作為進(jìn)行瓣射時(shí)使用的祀，如上所述例如可W使用儀鶴合金的祀。對(duì)祀的組 成并無(wú)特別限定，優(yōu)選儀鶴合金的祀W5重量％ W上且30重量％^下的比例含有鶴，更優(yōu)選 W18重量％ W上30重量％ W下的比例含有鶴。此時(shí)，殘余部可W由儀構(gòu)成。
[0046] 通過(guò)使儀鶴合金祀中的鶴含有量為5重量％^上，從而能將祀的磁性抑制得較低， 因此較佳。特別是當(dāng)使鶴含有量為18重量％ W上時(shí)，能使祀的磁性更低因此更佳。
[0047] 另外，若儀鶴合金祀中的鶴含有量增加，則有時(shí)該祀的加工性會(huì)降低。換言之，有 時(shí)會(huì)變得難W形成祀。然而，當(dāng)鶴含有量為30重量％ W下時(shí)，儀鶴合金的加工性可充分提 高，容易形成祀，因此較佳。
[0048] 成膜的黑化層中只要含有氧、氮、儀、及鶴即可，可W W任何形態(tài)來(lái)包含氧、氮、儀、 及鶴。例如可W使儀和鶴形成合金，含有氧和/或氮的儀鶴合金被包含在黑化層中。另外，可 W使儀或鶴生成例如氧化儀(NiO)或氮化儀(NisN)、氧化鶴(W〇3、W〇2、W2化)或氮化鶴(化W)等 氧化物或氮化物，該化合物被包含在黑化層中。
[0049] 需要說(shuō)明的是，黑化層例如可W是如含有氧和氮的儀鶴合金那樣，僅由同時(shí)含有 氧、氮、儀及鶴的1種物質(zhì)所形成的層。另外，可W是例如具有選自上述的含有氧和/或氮的 儀鶴合金、儀的氧化物、儀的氮化物、鶴的氧化物、及鶴的氮化物的1種W上的物質(zhì)的層。
[0050] 黑化層的厚度并無(wú)特別限定，例如優(yōu)選為15nmW上，更優(yōu)選設(shè)為20nmW上。如上所 述，盡管黑化層具有抑制光反射的功能，但當(dāng)黑化層的厚度較薄時(shí)，有時(shí)無(wú)法充分抑制光的 反射。對(duì)此，通過(guò)使黑化層的厚度為上述范圍，從而能進(jìn)一步抑制光的反射。
[0051] 黑化層的厚度的上限值并無(wú)特別限定，即使使其厚到所需W上的厚度，則成膜所 需的時(shí)間、或形成配線時(shí)蝕刻所需的時(shí)間也會(huì)變長(zhǎng)，會(huì)招致成本的上升