反應(yīng)室壓力優(yōu)選為50?300Pa，更優(yōu)選為100?300Pa ;所述等離子體的射頻功率為500?5000W，更優(yōu)選為1000?4000W，再優(yōu)選為2000?3000W ；所述等離子體的氣體流量?jī)?yōu)選為50?500cm3/s，更優(yōu)選為80?400cm3/s，再優(yōu)選為100?400cm3/s，最優(yōu)選為 150 ?350cm3/s。
[0028]所述高能粒子輻射優(yōu)選為高能電子輻照。
[0029]所述激光處理優(yōu)選為采用Q開關(guān)Nd YV04 532nm激光或Q開關(guān)Nd YAG1064nm激光對(duì)多晶硅片表面進(jìn)行處理。在本發(fā)明中激光處理中光斑在硅片表面形成的孔洞的直徑優(yōu)選為I?10 μ m，更優(yōu)選為2?10 μ m，再優(yōu)選為4?10 μ m，最優(yōu)選為4?8 μ m ;孔洞之間的中心距優(yōu)選為I?15 μm，更優(yōu)選為4?10 μm，再優(yōu)選為5?9 μπι。
[0030]在多晶硅片表面形成物理?yè)p傷層后，再進(jìn)行酸制絨。所述酸制絨的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的工藝即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選采用硝酸、氫氟酸與水的混酸溶液進(jìn)行酸制絨。所述硝酸、氫氟酸與水的體積比優(yōu)選為(3?6):1:(2?6)。所述酸制絨的溫度優(yōu)選為5°C?20 °C，更優(yōu)選為5°C?15°C。
[0031]本發(fā)明在多晶硅片表面形成物理?yè)p傷層，相當(dāng)于形成了缺陷點(diǎn)，在酸制絨的過程中反應(yīng)激活能較低，相當(dāng)于反應(yīng)激活點(diǎn)，因此可在硅片表面形成均勻的絨面結(jié)構(gòu)，且該方法簡(jiǎn)單可控，成本較低，與現(xiàn)有砂漿切割多晶硅片產(chǎn)線完全兼容，適合大規(guī)模量產(chǎn)。
[0032]為了進(jìn)一步說明本發(fā)明，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種硅片的制絨方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0033]以下實(shí)施例中所用的試劑均為市售。
[0034]實(shí)施例1
[0035]1.1準(zhǔn)備156mmX 156mm的P型金剛線切割的多晶硅片。
[0036]1.2米用等咼子體設(shè)備，利用SF6產(chǎn)生的F咼子腐蝕娃片表面(反應(yīng)式壓力150Pa，射頻功率為1500W，SF6氣體流量為100cm 3/s)，形成物理?yè)p傷層，厚度為2 μ m，表面粗糙度Ra為0.2 μπι;物理?yè)p傷層作為缺陷點(diǎn)，為后續(xù)常規(guī)的酸制絨做準(zhǔn)備。
[0037]1.3進(jìn)行常規(guī)的酸制絨工藝，形成均勻的絨面結(jié)構(gòu):酸制絨溶液為體積比為4:1:3硝酸、氫氟酸和去離子水的混合溶液，溫度為10°C，反應(yīng)去除的硅片厚度平均為5 μπι。
[0038]實(shí)施例1中制絨后的多晶硅片在350?IlOOnm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均反射率為22%?26%，達(dá)到與砂漿切割的多晶硅片反射率相當(dāng)?shù)乃健?br>[0039]實(shí)施例2
[0040]2.1準(zhǔn)備156mmX 156mm的P型金剛線切割的多晶硅片。
[0041]2.2采用等離子體設(shè)備，利用SF6產(chǎn)生的F離子腐蝕硅片表面(反應(yīng)式壓力200Pa，射頻功率為500W，SF6氣體流量為500cm 3/s)，形成物理?yè)p傷層，厚度為3 μ m，表面粗糙度Ra為0.2 μπι ;物理?yè)p傷層作為缺陷點(diǎn)，為后續(xù)常規(guī)的酸制絨做準(zhǔn)備。
[0042]2.3進(jìn)行常規(guī)的酸制絨工藝，形成均勻的絨面結(jié)構(gòu):酸制絨溶液為體積比為4:1:4硝酸、氫氟酸和去離子水的混合溶液，溫度為8°C，反應(yīng)去除的硅片厚度平均為6 μ m。
[0043]實(shí)施例2中制絨后的多晶硅片在350?IlOOnm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均反射率為23%?26%，基本達(dá)到與砂漿切割的多晶硅片反射率相當(dāng)?shù)乃健?br>[0044]實(shí)施例3
[0045]3.1準(zhǔn)備156mmX 156mm的P型金剛線切割的多晶硅片。
[0046]3.2采用Q開關(guān)Nd YAG, 1064nm波長(zhǎng)的納秒激光對(duì)硅片表面處理，光斑形成的孔洞直徑為6 μ m，孔洞之間的中心距7 μ m，孔洞的平均深度為2 μ m，表面粗糙度Ra為0.3 μ m。
[0047]3.3進(jìn)行常規(guī)的酸制絨工藝，形成均勻的絨面結(jié)構(gòu):酸制絨溶液為體積比為4:1:3硝酸、氫氟酸和去離子水的混合溶液，溫度為10°C，反應(yīng)去除的硅片厚度平均為6 μπι。
[0048]實(shí)施例3中制絨后的多晶硅片在350?IlOOnm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均反射率為26%?30%，比砂漿切割的多晶硅片的反射率略高。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅片的制絨方法，其特征在于，包括以下步驟: 在金剛線切割的多晶硅片表面形成物理?yè)p傷層，然后進(jìn)行酸制絨。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法，其特征在于，所述物理?yè)p傷層的厚度為I?10 μ mD3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法，其特征在于，所述物理?yè)p傷層的表面粗糙度Ra為0.1 ?0.5 μ m04.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法，其特征在于，所述形成物理?yè)p傷層的方法為機(jī)械摩擦、等離子體轟擊、高能粒子輻射與激光處理中的一種或多種。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制絨方法，其特征在于，所述機(jī)械摩擦為硅片自旋轉(zhuǎn)磨削。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制絨方法，其特征在于，所述硅片自旋轉(zhuǎn)磨削的砂輪軸向給進(jìn)速度為10?50 μ m/s ;砂輪的轉(zhuǎn)速為100?1000r/min。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制絨方法，其特征在于，所述等離子體轟擊為等離子體F離子腐蝕硅片表面。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制絨方法，其特征在于，所述等離子體F離子腐蝕硅片表面的反應(yīng)室壓力為50?300Pa ;射頻功率為500?5000W ;氣體流量為50?500cm3/s。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制絨方法，其特征在于，所述高能粒子輻射為高能電子輻照。10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制絨方法，其特征在于，所述激光處理為采用Q開關(guān)NdYV04532nm激光或Q開關(guān)Nd YAG 1064nm激光對(duì)多晶硅片表面進(jìn)行處理。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種硅片的制絨方法，包括以下步驟：在金剛線切割的多晶硅片表面形成物理?yè)p傷層，然后進(jìn)行酸制絨。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在多晶硅片表面形成物理?yè)p傷層，相當(dāng)于形成了缺陷點(diǎn)，在酸制絨的過程中反應(yīng)激活能較低，相當(dāng)于反應(yīng)激活點(diǎn)，因此可在硅片表面形成均勻的絨面結(jié)構(gòu)，且該方法簡(jiǎn)單可控，成本較低，與現(xiàn)有砂漿切割多晶硅片產(chǎn)線完全兼容，適合大規(guī)模量產(chǎn)。
【IPC分類】C30B33/10, H01L31/18
【公開號(hào)】CN105047764
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510552341
【發(fā)明人】金井升
【申請(qǐng)人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年9月1日