一種金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法
【專利摘要】一種金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，包括以下步驟：(1)將金剛線硅片傳送至設(shè)備的高溫區(qū)；(2)所述硅片在該高溫區(qū)停留若干時間，硅片表面受熱，非晶硅發(fā)生熔化，而硅片的主體不熔化；(3)所述硅片表面的非晶硅層完成熔化或者稍微過熔后，將所述硅片傳送出該高溫區(qū)，所述硅片表面冷卻重結(jié)晶，形成多晶結(jié)構(gòu)；(4)將所述硅片進行濕法酸制絨。對所述硅片表面絨面進行全系太陽光譜的反射率測量，所述硅片絨面反射率低于現(xiàn)有普通多晶硅片酸制絨面的反射率。本發(fā)明通過非晶硅重結(jié)晶，解決了金剛線硅片直接用濕法酸制絨失效的問題，制得了太陽光反射率低的理想絨面，提高光伏電池的轉(zhuǎn)換效率的同時，也降低了整個光伏發(fā)電的成本。
【專利說明】
一種金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種金剛線硅片制絨的方法，尤其涉及一種金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]能源和環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展始終是人類最關(guān)注的問題之一。目前的主流能源還是以化石能源為主，煤和石油在帶給人類進步的同時，也極大地污染了人類賴以生存的環(huán)境，逐步改變能源消費結(jié)構(gòu)，大力發(fā)展清潔源技術(shù)是解決這一問題的唯一選擇。
[0003]太陽能以其取之不盡、用之不竭和無污染等獨有的優(yōu)勢，成為新能源的焦點。太陽能能量的利用，目前來說主要是光伏發(fā)電，光伏發(fā)電是借助于光電轉(zhuǎn)化器件將太陽光能轉(zhuǎn)化成電能，由于光伏發(fā)電具有清潔、無污染，傳輸便捷，可儲存等優(yōu)點，促使其在能源、環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展中占據(jù)著重要的地位。目前，光伏電池發(fā)展的種類已很多，例如有晶硅電池、薄膜太陽能電池、聚合物太陽能電池、鈣鈦礦太陽能電池，其中晶硅太陽能電池發(fā)展最成熟。
[0004]晶娃電池的廣業(yè)鏈路徑是:金屬娃_尚純娃_娃徒-娃片-電池片_組件-系統(tǒng)，其中硅片是由硅錠多線切割而成，用于生產(chǎn)電池片。其中多線切割是以鋼絲帶入切縫的硬質(zhì)磨粒對硅錠進行切磨作用。按磨粒類型可分為游離磨料多線鋸切割(砂漿切割，磨料為碳化硅)和固結(jié)磨料多線鋸切割(也稱金剛石線切割，磨料為金剛石)。由于游離磨料的多線切割生產(chǎn)效率低，耗材多而成本高，且污染環(huán)境，目前太陽能硅片的生產(chǎn)逐漸向金剛線切割的工藝轉(zhuǎn)移，因此我們稱目前的金剛線切割的硅片為金剛線硅片。
[0005]電池片是把太陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能的裝置，其晶體硅的折射率為3.42，照射在娃片上的太陽光很大一部分被反射掉，娃電池對太陽光的利用率不高，從而使電池的轉(zhuǎn)化效率降低;常用的方法是在電池形成前，在硅片表面制成粗糙的絨面結(jié)構(gòu)，該絨面結(jié)構(gòu)可以減少電池表面光的反射從而增加光吸收，太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率會有所提高。
[0006]通常工業(yè)上使用堿或者酸化學腐蝕的方法對硅片表面形貌進行修飾，使硅片表面形成凹凸不平的絨面陷光結(jié)構(gòu)。其中多晶硅片在晶硅電池領(lǐng)域中占據(jù)了80%以上市場份額，是市場的主流，而多晶硅片則是采取酸腐蝕的方法進行制絨。但是普通多晶硅片通用的濕法酸腐蝕制絨的方法卻對金剛線多晶硅片基本失效，主要表現(xiàn)為腐蝕緩慢，切割線痕無法去除。金剛線多晶硅片的酸刻蝕的失效與硅片表面特性有關(guān)，但是國內(nèi)對金剛線多晶硅片的研究較少，到目前為止，業(yè)界還未能找到適合的，與電池工藝匹配的低成本金剛線多晶硅片的制絨工藝。
[0007]通過相關(guān)實驗發(fā)現(xiàn)其金剛線硅片部分表面存在一層微米級厚度的非晶硅膜，普遍認為該膜是在機械切割過程中由強烈塑性變形造成。該非晶硅膜對于濕法的酸刻蝕有著明顯的阻擋作用，這也就直接導致在酸制絨過程中金剛線多晶硅片腐蝕不均勻，部分表觀形貌很難改變，不能達到預(yù)期的制絨效果。
[0008]盡管學術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界都提出了一些可能解決金剛線多晶硅片的制絨方案，如噴砂技術(shù)，濕法黑硅技術(shù)以及干法等離子體刻蝕技術(shù)稱(RIE技術(shù))。但是噴砂技術(shù)，RIE技術(shù)均需要更換成新的制絨設(shè)備，其附加成本高，工藝復雜，產(chǎn)業(yè)界難以接受;而濕法黑硅技術(shù)是預(yù)先在硅片表面反應(yīng)生成納米貴金屬顆粒來作為酸腐蝕的催化劑，盡管濕法黑硅制絨可以與現(xiàn)有濕法設(shè)備兼容，但是貴金屬銀的引入無形中增加了成本，而且如果后續(xù)處理不當，極容易對電池片造成金屬污染，進而影響轉(zhuǎn)換效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種使金剛線硅片便于形成良好陷光結(jié)構(gòu)的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，應(yīng)用該方法可以制得太陽光反射率低于傳統(tǒng)硅片的絨面，從而提高光的吸收效率，提高光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0010]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，包括以下步驟:
[0011](I)將金剛線硅片傳送至設(shè)備的高溫區(qū)；設(shè)備中具有2個不同溫度段的熱區(qū)，分別為預(yù)熱區(qū)，高溫區(qū)，所述高溫區(qū)的溫度低于晶體硅的熔點；
[0012](2)將步驟(I)的所述金剛線硅片在該高溫區(qū)停留若干時間，所述金剛線硅片表面受熱，非晶層發(fā)生熔化，而所述金剛線硅片的主體不變；
[0013](3)步驟(2)的所述金剛線硅片表面的非晶硅層完成熔化或者稍微過熔后，將所述金剛線硅片傳送出所述高溫區(qū)，將所述金剛線硅片表面冷卻重結(jié)晶，形成多晶結(jié)構(gòu)；
[0014](4)將經(jīng)步驟(3)處理后的所述金剛線硅片冷卻后進行濕法酸制絨。
[0015]進一步，步驟(I)中，所述高溫區(qū)的溫度范圍為600-1400°C;優(yōu)選溫度范圍為1000-1350。。。
[0016]進一步，步驟(2)中，所述金剛線硅片在所述高溫區(qū)停留時間為10-300秒;優(yōu)選停留時間為30-120秒。
[0017]進一步，步驟(2)中，所述金剛線硅片表面受熱的方式為激光照射、微波加熱、電阻加熱，紅外加熱中的一種。
[0018]進一步，步驟(4)中，所述濕法酸制絨的腐蝕溶液成分按摩爾配比為H2O: HF: HNO3 =(2-3):1: (3-3.5)，制絨腐蝕反應(yīng)溫度為8-1 (TC，腐蝕反應(yīng)時間為50-100秒。
[0019]進一步，所述金剛線硅片為多線金剛線切割生產(chǎn)的太陽能級多晶硅片。
[0020]進一步，所述金剛線硅片的出入料方式，采用耐高溫傳送帶或片槽的方式，所述金剛線硅片表面非晶硅熔化后，不與載板產(chǎn)生浸潤或粘連。
[0021]由于非晶硅不具有完整的晶胞結(jié)構(gòu)，非晶硅與晶硅有著很多性質(zhì)上的不同，尤其是非晶硅的熔點、密度及硬度都遠低于晶硅(也就是硅片本身)，因此在工藝過程中，僅有金剛線硅片表面的非晶硅熔化，而硅片本身無影響。僅使得金剛線硅片表面非晶層重結(jié)晶，形成有利于濕法酸腐蝕的多晶結(jié)構(gòu)，然后進行后續(xù)的多晶硅片濕法酸制絨；而且金剛線硅片表面的再結(jié)晶也是一種陷光結(jié)構(gòu)的制備工藝。重結(jié)晶處理的金剛線硅片與未處理的金剛線硅片制絨后，用掃描電鏡圖進行比較，可以發(fā)現(xiàn)重結(jié)晶處理后的硅片表面出現(xiàn)了眾多、均勻的微納米級的腐蝕坑，形成了有效的吸光絨面，而未重結(jié)晶處理的硅片則出現(xiàn)了明顯的腐蝕不均勻的現(xiàn)象，嚴重影響了制絨效果。
[0022]將本發(fā)明方法制備的硅片完成后續(xù)擴散，鍍膜及金屬化等電池片工藝，并且檢測電池效率，電池絕對效率約有0.1 %左右的提升，主要表現(xiàn)在短路電流的提升，這個主要是由于入射光吸收增強了。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0024](I)本發(fā)明通過對待制絨的金剛線多晶硅片進行表面加熱重結(jié)晶處理，熔化了金剛線硅片表面的非晶硅層，冷卻形成了與硅片基底一致的多晶硅結(jié)構(gòu)，使得后續(xù)濕法酸制絨能夠容易發(fā)生，從而可以制得太陽光反射率低于20%的理想絨面，增加了光的吸收，進而能夠提高光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率；
[0025](2)本發(fā)明操作簡單，僅增加了一個金剛線硅片表面非晶硅層熔化再結(jié)晶的一個過程，與現(xiàn)有技術(shù)的濕法鏈式制絨工藝兼容;生產(chǎn)成本較低，容易實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)；而且硅片表面的再結(jié)晶也是一種陷光結(jié)構(gòu)的制備工藝，可以達到后續(xù)電池片的制絨要求。
【附圖說明】
[0026]圖1是本發(fā)明實施例1的金剛線硅片表面重結(jié)晶前、后的拉曼光譜圖；
[0027]圖2是本發(fā)明實施例1的金剛線硅片表面重結(jié)晶后絨面的掃描電鏡圖；
[0028]圖3是本發(fā)明實施例2的金剛線硅片表面重結(jié)晶后絨面的掃描電鏡圖；
[0029]圖4是現(xiàn)有技術(shù)的金剛線硅片絨面的掃描電鏡圖a;
[0030]圖5是現(xiàn)有技術(shù)的金剛線硅片絨面的掃描電鏡圖b。
【具體實施方式】
[0031 ]以下結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0032]實施例1
[0033]本實施例之一種金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，包括以下步驟:
[0034](I)將金剛線硅片傳送至設(shè)備的高溫區(qū)；設(shè)備中具有預(yù)熱溫區(qū)溫度設(shè)定為600°C，高溫區(qū)設(shè)定為1400°C，冷卻區(qū)設(shè)定為500°C;所述高溫區(qū)的溫度低于晶體硅的熔點(1420°C)；
[0035](2)將步驟(I)的所述金剛線硅片在所述高溫區(qū)停留10秒鐘，所述金剛線硅片表面受熱，所述金剛線硅片表面受熱的方式為激光照射，非晶硅層發(fā)生熔化，而所述金剛線硅片的主體不熔化；
[0036](3)步驟(2)的所述金剛線硅片表面的非晶硅層完成熔化后，將所述金剛線硅片傳送出所述高溫區(qū)，進入所述冷卻區(qū)，所述金剛線硅片表面冷卻重結(jié)晶，形成多晶硅結(jié)構(gòu)；本實施例的金剛線硅片表面重結(jié)晶前、后的拉曼光譜圖如圖1所示；
[0037](4)將經(jīng)步驟(3)處理后的所述金剛線硅片冷卻至室溫后進行濕法酸制絨;所述濕法酸制絨的腐蝕溶液成分按摩爾配比為H20:HF:HN03 = 2:1:3.5，制絨腐蝕反應(yīng)溫度為8°〇，腐蝕反應(yīng)時間為100秒。
[0038]所述金剛線硅片為多線金剛線切割生產(chǎn)的太陽能級多晶硅片。
[0039]所述金剛線硅片的出入料方式，采用耐高溫傳送帶，所述金剛線硅片表面非晶硅熔化后，不與載板產(chǎn)生浸潤或粘連。
[0040]圖2與圖4、圖5進行比較，可以發(fā)現(xiàn)重結(jié)晶處理后的金剛線硅片表面出現(xiàn)了眾多、均勻的微納米級的腐蝕坑，形成了有效的吸光絨面，而未重結(jié)晶處理的金剛線硅片則出現(xiàn)了明顯的腐蝕不均勻的現(xiàn)象，嚴重影響了制絨效果。
[0041]對本實施例制得的金剛線多晶硅片絨面進行D8全系太陽光譜的反射率測量，所述硅片絨面平均反射率為18%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線上的硅片絨面的反射率(20%-21%)。本實施例方法制備的金剛線多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進行后續(xù)擴散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測量得到平均電池效率18.38% (現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%),比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.08%。
[0042]實施例2
[0043]本實施例與實施例1的區(qū)別僅在于:
[0044]步驟(I)預(yù)熱溫區(qū)溫度設(shè)定為350°C，高溫區(qū)設(shè)定為600°C，冷卻區(qū)設(shè)定為300°C;
[0045]步驟(2)所述金剛線硅片在高溫區(qū)停留300秒鐘，所述金剛線硅片表面受熱的方式為微波加熱；
[0046]步驟(3)所述金剛線硅片表面的非晶硅層稍微過熔后，將所述金剛線硅片傳送出所述高溫區(qū)，進入冷卻區(qū)；
[0047]步驟(4)所述濕法酸制絨的腐蝕溶液成分按摩爾配比為H20:HF:HN03 = 3:1:3，制絨腐蝕反應(yīng)溫度為10°c，腐蝕反應(yīng)時間為50秒。
[0048]所述金剛線硅片的出入料方式，采用片槽的方式，所述金剛線硅片表面非晶硅熔化后，不與載板產(chǎn)生浸潤或粘連。
[0049]圖3與圖4、圖5進行比較，可以發(fā)現(xiàn)重結(jié)晶處理后的金剛線硅片表面出現(xiàn)了眾多、均勻的微納米級的腐蝕坑，形成了有效的吸光絨面，而未重結(jié)晶處理的金剛線硅片則出現(xiàn)了明顯的腐蝕不均勻的現(xiàn)象，嚴重影響了制絨效果。
[0050]對本實施例制得的金剛線多晶硅片絨面進行D8全系太陽光譜的反射率測量，所述硅片絨面平均反射率為18.5%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線上的硅片絨面的反射率(20%-21%)。本實施例方法制備的金剛線多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進行后續(xù)擴散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測量得到平均電池效率18.39% (現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30%),比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.09%。
[0051 ]其余同實施例1。
[0052]實施例3
[0053]本實施例與實施例1的區(qū)別僅在于:
[0054]步驟(I)預(yù)熱溫區(qū)溫度設(shè)定為500°C，高溫區(qū)設(shè)定為1350°C，冷卻區(qū)設(shè)定為450°C;
[0055]步驟(2)所述金剛線硅片在高溫區(qū)停留30秒鐘，所述金剛線硅片表面受熱的方式為電阻絲加熱；
[0056]步驟(4)所述濕法酸制絨的腐蝕溶液成分按摩爾配比為H2O: HF = HNO3 = 2.5:1:3.3,制絨腐蝕反應(yīng)溫度為9°C，腐蝕反應(yīng)時間為75秒。
[0057]對本實施例制得的金剛線多晶硅片絨面進行D8全系太陽光譜的反射率測量，所述硅片絨面平均反射率為17.2%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線上的硅片絨面的反射率(20%-21%)。本實施例方法制備的金剛線多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進行后續(xù)擴散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測量得到平均電池效率18.41 % (現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30% )，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.11 %。
[0058]其余同實施例1。
[0059]實施例4
[0060]本實施例與實施例1的區(qū)別僅在于:
[0061 ] 步驟(I)預(yù)熱溫區(qū)溫度設(shè)定為550°C，高溫區(qū)設(shè)定為1000°C，冷卻區(qū)設(shè)定為500°C ；
[0062]步驟(2)所述金剛線硅片在高溫區(qū)停留120秒鐘，所述金剛線硅片表面受熱的方式為紅外加熱；
[0063]步驟(4)所述濕法酸制絨的腐蝕溶液成分按摩爾配比為H2O: HF: HNO3 = 2.8:1:3.4,制絨腐蝕反應(yīng)溫度為9°C，腐蝕反應(yīng)時間為80秒。
[0064]對本實施例制得的金剛線多晶硅片絨面進行D8全系太陽光譜的反射率測量，所述硅片絨面平均反射率為17.5%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線上的硅片絨面的反射率(20%-21%)。本實施例方法制備的金剛線多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進行后續(xù)擴散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測量得到平均電池效率18.40% (現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30% )，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.10%。
[0065]其余同實施例1。
[0066]實施例5
[0067]本實施例與實施例1的區(qū)別僅在于:
[0068]步驟(I)預(yù)熱溫區(qū)溫度設(shè)定為500°C，高溫區(qū)設(shè)定為1200°C，冷卻區(qū)設(shè)定為300°C;
[0069]步驟(2)所述金剛線硅片在高溫區(qū)停留75秒鐘，所述金剛線硅片表面受熱的方式為微波加熱；
[0070]步驟(4)所述濕法酸制絨的腐蝕溶液成分按摩爾配比為H20:HF:HN03 = 2:1:3.5，制絨腐蝕反應(yīng)溫度為10°C，腐蝕反應(yīng)時間為90秒。
[0071]對本實施例制得的金剛線多晶硅片絨面進行D8全系太陽光譜的反射率測量，所述硅片絨面平均反射率為17.8%，低于正常(現(xiàn)有技術(shù))生產(chǎn)線上的硅片絨面的反射率(20%-21%)。本實施例方法制備的金剛線多晶硅片應(yīng)用于光伏電池:將所述多晶硅片進行后續(xù)擴散，鍍膜等電池片工藝，制備成完整的電池片，測量得到平均電池效率18.42% (現(xiàn)有技術(shù)工業(yè)生產(chǎn)的平均電池效率為18.30% )，比現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的光伏電池轉(zhuǎn)換效率高0.12%。
[0072]其余同實施例1。
[0073]綜合上述，本發(fā)明通過高溫熔化非晶硅-重結(jié)晶技術(shù)，解決了金剛線多晶硅片的表面非晶硅層阻礙濕法酸腐蝕的問題，同時兼容性好;適用于主流的多晶硅濕法酸制絨工藝；另外，通過重結(jié)晶處理后，硅片表面的腐蝕變得均勻溫和，絨面結(jié)構(gòu)一致，太陽光的反射率也有所降低，進而電池效率有所提高。按照目前多晶硅片電池的轉(zhuǎn)換效率18.3%來計算，可提高0.1%左右的電池轉(zhuǎn)換效率，按每瓦售價2.1元，則多晶硅電池片的售價可以增加0.15元/片，同時金剛線切片技術(shù)又使得硅片的成本降低了 0.40元/片，因此本發(fā)明的經(jīng)濟效益十分明顯。
[0074]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例，并非對本發(fā)明作任何限制，凡是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變換，均仍屬本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)將金剛線硅片傳送至設(shè)備的高溫區(qū)； (2)將步驟(I)的所述金剛線硅片在所述高溫區(qū)停留若干時間，所述金剛線硅片表面受熱，非晶層發(fā)生熔化，而所述金剛線硅片的主體不熔化； (3)將步驟(2)的所述金剛線硅片表面的非晶硅層完成熔化或者稍微過熔后，將所述金剛線硅片傳送出所述高溫區(qū)，將所述金剛線硅片表面冷卻重結(jié)晶，形成多晶結(jié)構(gòu)； (4)將經(jīng)步驟(3)處理后的所述金剛線硅片冷卻后進行濕法酸制絨。2.如權(quán)利要求1所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(I)中，所述高溫區(qū)的溫度范圍為600-1400°C。3.如權(quán)利要求1或2所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(I)中，所述高溫區(qū)的溫度范圍為1000-1350°C。4.如權(quán)利要求1或2或3所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述金剛線硅片在所述高溫區(qū)停留時間為10-300秒。5.如權(quán)利要求4所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述金剛線硅片在所述高溫區(qū)停留時間為30-120秒。6.如權(quán)利要求1-5之一所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述金剛線硅片表面受熱的方式為激光照射、微波加熱、電阻加熱，紅外加熱中的一種。7.如權(quán)利要求1-6之一所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(4)中，所述濕法酸制絨的腐蝕溶液成分按摩爾配比為H2O:HF:HNO3 = (2-3):1: (3-3.5) 08.如權(quán)利要求7所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(4)中，所述濕法酸制絨的腐蝕反應(yīng)溫度為8-10°C。9.如權(quán)利要求7所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，步驟(4)中，所述濕法酸制絨的腐蝕反應(yīng)時間為50-100秒。10.如權(quán)利要求1-9之一所述的金剛線硅片重結(jié)晶濕法制絨的方法，其特征在于，所述金剛線硅片為多線金剛線切割生產(chǎn)的太陽能級多晶硅片。
【文檔編號】H01L31/0236GK106087070SQ201610539356
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月11日
【發(fā)明人】呂鐵錚, 趙麗麗
【申請人】呂鐵錚, 趙麗麗