晶硅制絨槽的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及制絨設(shè)備，具體涉及一種制絨槽。
【背景技術(shù)】
[0002]在光伏產(chǎn)業(yè)中，為了提高硅基太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，需要對硅片進(jìn)行制絨刻蝕處理，從而獲得減反射絨面結(jié)構(gòu)。
[0003]基于單晶硅制絨和多晶硅制絨的原理，目前市場上存在兩種制絨設(shè)備，即槽式制絨設(shè)備和鏈?zhǔn)街平q設(shè)備。其中槽式制絨設(shè)備用于單晶硅堿制絨，從而得到金字塔狀絨面；鏈?zhǔn)街平q設(shè)備用于多晶硅酸制絨，從而得到蟲孔狀絨面。
[0004]但是目前市場上并不存在能分別對多晶硅和單晶硅進(jìn)行制絨的制絨設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能對多晶硅和單晶硅制絨的制絨槽。
[0006]本發(fā)明的一個實施例提供了一種晶硅制絨槽，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金屬催化刻蝕槽、殘余金屬清洗槽、二次清洗槽和干燥預(yù)處理槽。
[0007]優(yōu)選的，所述金屬催化刻蝕槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的酸制絨槽和第一水槽。
[0008]優(yōu)選的，所述金屬催化刻蝕槽還包括:溫控裝置，其用于控制所述酸制絨槽中的酸性制絨液的溫度恒定；以及位于所述第一水槽開口上方的第一噴頭。
[0009]優(yōu)選的，所述金屬催化刻蝕槽還包括位于所述酸制絨槽中的鼓泡裝置。
[0010]優(yōu)選的，所述金屬催化刻蝕槽還包括:
[0011 ] 銅離子檢測裝置，所述銅離子檢測裝置的電極插入所述酸制絨槽中的酸性制絨液中；
[0012]氟離子檢測裝置，所述氟離子檢測裝置的電極插入所述酸制絨槽中的酸性制絨液中；以及
[0013]酸性制絨液輸送裝置，其用于向所述酸制絨槽中輸送酸性制絨液。
[0014]優(yōu)選的，所述殘余金屬清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第一酸槽和第二水槽。
[0015]優(yōu)選的，所述殘余金屬清洗槽還包括位于所述第一酸槽中的超聲波清洗裝置和位于所述第二水槽開口上方的第二噴頭。
[0016]優(yōu)選的，所述二次清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第二酸槽、第三水槽、堿槽和第四水槽。
[0017]優(yōu)選的，所述二次清洗槽還包括分別位于所述第三水槽和第四水槽的開口上方的第三噴頭和第四噴頭。
[0018]優(yōu)選的，所述干燥預(yù)處理槽包括:沿所述晶硅的操作方向排列的第三酸槽和第五水槽；以及位于所述第五水槽開口上方的第五噴頭。
[0019]本發(fā)明的晶硅制絨槽成本低、通用性好，能用于單晶硅和多晶硅的制絨工藝中。
【附圖說明】
[0020]以下參照附圖對本發(fā)明實施例作進(jìn)一步說明，其中:
[0021]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個實施例的晶硅制絨槽的俯視圖。
[0022]圖2是根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的晶硅制絨槽的俯視圖。
【具體實施方式】
[0023]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖通過具體實施例對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的晶硅制絨槽的俯視圖。如圖1所示，晶硅制絨槽10包括沿晶硅的操作方向D依次排列的金屬催化刻蝕槽11、殘余金屬清洗槽12、二次清洗槽13和干燥預(yù)處理槽14。其中晶硅的操作方向D是晶硅在制絨工藝線上的移動或運動方向。
[0025]金屬催化刻蝕槽11包括沿晶硅的操作方向D排列的酸制絨槽111和水槽112 ;還包括用于控制酸制絨槽111中的酸性制絨液的溫度的溫控裝置(圖1未示出)、位于酸制絨槽111中的鼓泡裝置113和位于水槽112開口上方的噴頭114。在制作時，首先將晶硅放置在酸制絨槽111中，由于鼓泡裝置113用于向酸性制絨液中鼓入氣泡，從而晶硅表面在酸性制絨液作用下得到分布均勻的倒金字塔絨面。將制絨后的晶硅移動到水槽112中，通過噴頭114向晶硅噴淋去離子水去除晶硅表面的酸性制絨液。
[0026]殘余金屬清洗槽12包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽121和水槽122 ;還包括位于酸槽121中的超聲波清洗裝置123和位于水槽122開口上方的噴頭124。將晶硅移動到裝有硝酸溶液的酸槽121中，在硝酸溶液和超聲清洗作用下將晶硅表面殘余金屬氧化成金屬離子并進(jìn)入硝酸溶液中。之后將晶硅移動到水槽122中，通過噴頭124向晶硅噴淋去離子水去除晶硅表面的酸性液體。
[0027]二次清洗槽13包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽131、水槽132、堿槽133和水槽134 ;還包括位于水槽132開口上方的噴頭135和位于水槽134開口上方的噴頭136。將晶硅依次放置在酸槽131、水槽132、堿槽133和水槽134進(jìn)行兩次清洗，以去除晶硅表面的各種附著物。
[0028]干燥預(yù)處理槽14包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽141和水槽142 ;還包括位于水槽142開口上方的噴頭143。將晶硅移動到裝有氫氟酸的酸槽141中處理，最后移動到水槽142中用去離子水清洗氫氟酸，這樣在對晶硅進(jìn)行后續(xù)干燥處理過程中，可保證晶硅表面不存在水痕跡。
[0029]圖2是根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的晶硅制絨槽的俯視圖。圖2的晶硅制絨槽20與圖1的晶硅制絨槽10基本相同，區(qū)別在于，金屬催化刻蝕槽11還包括銅離子檢測裝置115和氟離子檢測裝置116，其可以選用市場上已有的銅離子濃度測定儀和氟離子濃度測定儀。銅離子檢測裝置115和氟離子檢測裝置116的電極插入酸性制絨液中，分別用于檢測酸性制絨液中銅離子和氟離子的濃度。金屬催化刻蝕槽11還包括酸性制絨液輸送裝置117，用于持續(xù)地或間斷地向酸制絨槽111中輸送酸性制絨液，使得銅離子和氟離子的濃度在預(yù)定的范圍內(nèi)。
[0030]在對晶硅進(jìn)行制絨過程中，根據(jù)一次批量處理的晶硅的大小和數(shù)量設(shè)計每一個槽的容納空間大小。每個槽都可以選用能同時耐酸耐堿的材質(zhì)制成。
[0031]本發(fā)明的晶硅制絨槽10、20能用于單晶硅和多晶硅產(chǎn)業(yè)化的制絨工藝中，通用性能好，解決了現(xiàn)有的制絨設(shè)備用途單一的問題。本發(fā)明的晶硅制絨槽10、20僅具有一個用于控制酸制絨槽111中酸性制絨液的溫度恒定的溫控裝置，因此設(shè)備成本較低。
[0032]雖然本發(fā)明已經(jīng)通過優(yōu)選實施例進(jìn)行了描述，然而本發(fā)明并非局限于這里所描述的實施例，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下還包括所作出的各種改變以及變化。
【主權(quán)項】
1.一種晶硅制絨槽，其特征在于，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金屬催化刻蝕槽、殘余金屬清洗槽、二次清洗槽和干燥預(yù)處理槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述金屬催化刻蝕槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的酸制絨槽和第一水槽。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述金屬催化刻蝕槽還包括: 溫控裝置，其用于控制所述酸制絨槽中的酸性制絨液的溫度恒定；以及 位于所述第一水槽開口上方的第一噴頭。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述金屬催化刻蝕槽還包括位于所述酸制絨槽中的鼓泡裝置。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述金屬催化刻蝕槽還包括: 銅離子檢測裝置，所述銅離子檢測裝置的電極插入所述酸制絨槽中的酸性制絨液中； 氟離子檢測裝置，所述氟離子檢測裝置的電極插入所述酸制絨槽中的酸性制絨液中；以及 酸性制絨液輸送裝置，其用于向所述酸制絨槽中輸送酸性制絨液。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述殘余金屬清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第一酸槽和第二水槽。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述殘余金屬清洗槽還包括位于所述第一酸槽中的超聲波清洗裝置和位于所述第二水槽開口上方的第二噴頭。8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述二次清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第二酸槽、第三水槽、堿槽和第四水槽。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述二次清洗槽還包括分別位于所述第三水槽和第四水槽的開口上方的第三噴頭和第四噴頭。10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的晶硅制絨槽，其特征在于，所述干燥預(yù)處理槽包括: 沿所述晶硅的操作方向排列的第三酸槽和第五水槽；以及 位于所述第五水槽開口上方的第五噴頭。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種晶硅制絨槽，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金屬催化刻蝕槽、殘余金屬清洗槽、二次清洗槽和干燥預(yù)處理槽。本發(fā)明的晶硅制絨槽成本低、通用性好，能用于單晶硅和多晶硅的制絨工藝中。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN105047763
【申請?zhí)枴緾N201510541923
【發(fā)明人】劉堯平, 陳偉, 楊麗霞, 杜小龍
【申請人】中國科學(xué)院物理研究所
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年8月28日