專(zhuān)利名稱(chēng):一種提高太陽(yáng)能電池rie均勻性的制絨設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的RIE制絨設(shè)備領(lǐng)域,特別是一種提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的制絨設(shè)備及方法。
背景技術(shù):
反應(yīng)性離子蝕刻簡(jiǎn)稱(chēng)RIE是結(jié)合物理性的離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)的蝕刻。此種方式兼具非等向性與高蝕刻選擇比等雙重優(yōu)點(diǎn),蝕刻的進(jìn)行主要靠化學(xué)反應(yīng)來(lái)達(dá)成,以獲得高選擇比。加入離子轟擊的作用有二 一是將被蝕刻材質(zhì)表面的原子鍵結(jié)破壞,以加速反應(yīng)速率。二是將再沉積于被蝕刻表面的產(chǎn)物或聚合物打掉,以使被蝕刻表面能再與蝕刻氣體接觸。而非等向性蝕刻的達(dá)成,則是靠再沉積的產(chǎn)物或聚合物沉積在蝕刻圖形上,在表面的沉積物可為離子打掉,故蝕刻可繼續(xù)進(jìn)行,而在側(cè)壁上的沉積物,因未受離子轟擊而保留下來(lái),阻隔了蝕刻表面與反應(yīng)氣體的接觸,使得側(cè)壁不受蝕刻,而獲得非等向性蝕刻。通過(guò)調(diào)整氣體流量及射頻能量可獲得非常低的反射率,因而可應(yīng)用于多晶太陽(yáng)能電池的制絨工藝上。RIE制絨工藝是通過(guò)等離子體的轟擊和化學(xué)反應(yīng)的刻蝕在硅片表面形成< Ium的微小絨面,以降低表面反射率,增加陷光效果,提升電池片的短路電流。在工業(yè)化的生產(chǎn)中, 為了提升產(chǎn)能,RIE制絨時(shí)一般是多片同時(shí)作業(yè),數(shù)量可達(dá)100片,而目前的RIE制絨設(shè)備的反應(yīng)氣體只是從反應(yīng)腔頂部的噴淋頭通入,這樣會(huì)造成在反應(yīng)時(shí)中間與邊緣氣體比例有差別,造成邊緣與中間的反射率相差較大,批內(nèi)均勻性很差,工藝調(diào)整困難。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的制絨設(shè)備,改善現(xiàn)有RIE太陽(yáng)能電池制絨工藝均勻性差問(wèn)題。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的方案是一種提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的制絨設(shè)備,包括反應(yīng)腔、頂部氣體管路和噴淋頭,電池片放置在反應(yīng)腔內(nèi),噴淋頭位于反應(yīng)腔的頂部,反應(yīng)氣體通過(guò)頂部氣體管路輸送,從噴淋頭進(jìn)入反應(yīng)腔,在反應(yīng)腔側(cè)壁上設(shè)置側(cè)壁氣體管路,在頂部氣體管路和側(cè)壁氣體管路上都設(shè)置單獨(dú)的流量控制器,可分別調(diào)整流量。反應(yīng)腔側(cè)壁兩側(cè)都設(shè)置側(cè)壁氣體管路?!N提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的方法為使用該制絨設(shè)備,如果邊緣反射率較高則可增加側(cè)壁氣體管路流量,反之則降低側(cè)壁氣體管路流量。側(cè)壁氣體流量與噴淋頭氣體流量比例一般為0. 5 1. 5之間。本發(fā)明的有益效果是通過(guò)本發(fā)明可改善RIE制絨工藝的均勻性,增加工藝的可控性,解決電池性能不穩(wěn)定的問(wèn)題。
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明;
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;圖中,1.頂部氣體管路、2.噴淋頭,3.反應(yīng)腔側(cè)壁,4.電池片,5.側(cè)壁氣體管路, 6.流量控制器。
具體實(shí)施例方式如圖1所示,該提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的制絨設(shè)備,包括反應(yīng)腔、頂部氣體管路1和噴淋頭2,電池片4放置在反應(yīng)腔內(nèi),噴淋頭2位于反應(yīng)腔的頂部,反應(yīng)氣體通過(guò)頂部氣體管路1輸送,從噴淋頭2進(jìn)入反應(yīng)腔,在反應(yīng)腔側(cè)壁3上設(shè)置側(cè)壁氣體管路5,在頂部氣體管路1和側(cè)壁氣體管路5上都設(shè)置單獨(dú)的流量控制器6,可分別調(diào)整流量。反應(yīng)腔側(cè)壁3 兩側(cè)都設(shè)置側(cè)壁氣體管路5。本發(fā)明在反應(yīng)腔側(cè)壁3加入側(cè)壁氣體管路5,反應(yīng)氣體可同時(shí)從頂部氣體管路1 及側(cè)壁氣體管路5流出,通過(guò)調(diào)節(jié)側(cè)壁氣體管路5的氣體流量,可調(diào)整邊緣電池片4的反射率。通過(guò)調(diào)整側(cè)壁氣體管路5的氣體流量與噴淋頭2的氣體流量的比例達(dá)到改善均勻性的目的。具體方式為如果邊緣電池片4的反射率較高則可增加側(cè)壁氣體管路5的氣體流量, 反之則降低側(cè)壁氣體管路5的氣體流量。側(cè)壁氣體流量根據(jù)射頻能量,噴淋頭2與底座距離進(jìn)行調(diào)整,側(cè)壁氣體流量與噴淋頭氣體流量比例一般為0. 5 1. 5之間。
權(quán)利要求
1.一種提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的制絨設(shè)備,包括反應(yīng)腔、頂部氣體管路(1)和噴淋頭0),電池片(4)放置在反應(yīng)腔內(nèi),噴淋頭(2)位于反應(yīng)腔的頂部,反應(yīng)氣體通過(guò)頂部氣體管路(1)輸送,從噴淋頭( 進(jìn)入反應(yīng)腔,其特征是在所述的反應(yīng)腔側(cè)壁C3)上設(shè)置側(cè)壁氣體管路(5),在頂部氣體管路(1)和側(cè)壁氣體管路( 上都設(shè)置單獨(dú)的流量控制器(6), 可分別調(diào)整流量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的制絨設(shè)備,其特征是所述的反應(yīng)腔側(cè)壁( 兩側(cè)都設(shè)置側(cè)壁氣體管路(5)。
3.一種提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的方法,其特征是使用權(quán)利要求1所述的制絨設(shè)備,如果邊緣反射率較高則可增加側(cè)壁氣體管路流量,反之則降低側(cè)壁氣體管路流量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的方法,其特征是側(cè)壁氣體流量與噴淋頭氣體流量比例為0. 5 1. 5之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的RIE制絨設(shè)備領(lǐng)域,本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的RIE制絨設(shè)備領(lǐng)域,特別是一種提高太陽(yáng)能電池RIE均勻性的制絨設(shè)備及方法,制絨設(shè)備包括反應(yīng)腔、頂部氣體管路和噴淋頭,電池片放置在反應(yīng)腔內(nèi),噴淋頭位于反應(yīng)腔的頂部,反應(yīng)氣體通過(guò)頂部氣體管路輸送,從噴淋頭進(jìn)入反應(yīng)腔,在反應(yīng)腔側(cè)壁上設(shè)置側(cè)壁氣體管路,在頂部氣體管路和側(cè)壁氣體管路上都設(shè)置單獨(dú)的流量控制器,可分別調(diào)整流量。該方法為使用該制絨設(shè)備,如果邊緣反射率較高則可增加側(cè)壁氣體管路流量,反之則降低側(cè)壁氣體管路流量,通過(guò)本發(fā)明可改善RIE制絨工藝的均勻性,增加工藝的可控性,解決電池性能不穩(wěn)定的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK102364662SQ20111018014
公開(kāi)日2012年2月29日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者鐘明 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司