專(zhuān)利名稱(chēng)：一種晶體硅rie制絨的表面損傷層清洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝，尤其是涉及一種晶體硅RIE制絨的表面 損傷層清洗工藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中一般會(huì)采用強(qiáng)堿性化學(xué)品(NaOH、KOH等)， 或者強(qiáng)酸性化學(xué)品(HF+HNO3)的水溶液對(duì)硅片表面的損傷層進(jìn)行清洗。一般應(yīng)用在電池表 面絨面制備中的表面處理過(guò)程，目的為消除硅片表面的切割損傷層，硅片減薄一般在5 15 μ m。在采用RIE(反應(yīng)離子刻蝕)的晶體硅表面絨面制備過(guò)程中，會(huì)引入一定的表面損 傷層，但此種表面的損傷層厚度在0. 1-0. 4 μ m，使用常規(guī)去損傷工藝會(huì)出現(xiàn)過(guò)度刻蝕，影響 到表面的陷光效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種晶體硅RIE制絨的 表面損傷層清洗工藝，使得在RIE精細(xì)化的絨面上去除損傷層的同時(shí)能夠降低對(duì)表面絨面 結(jié)構(gòu)的影響。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種晶體硅RIE制絨的表面損傷層 清洗工藝，首先對(duì)反應(yīng)離子刻蝕后的硅片表面損傷層進(jìn)行去離子水表面預(yù)清洗；然后利用 HF、HNO3與緩沖腐蝕劑按體積比HF HNO3 緩沖腐蝕劑=1 50 100的混合溶液進(jìn) 行第一次去損傷清洗；之后再次進(jìn)行去離子水清洗；然后采用HN40H、H2O2與H2O按體積比 HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5的混合溶液在60°C 75°C進(jìn)行二次清洗刻蝕，二次清洗 時(shí)間控制在5 15分鐘的范圍；完成后用0. 5%濃度的HF溶液進(jìn)行沾洗；最后用去離子水 進(jìn)行清洗。進(jìn)一步地，所述的緩沖腐蝕劑為水或醋酸。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明為了盡可能在去除損傷的情況下不對(duì)正常絨面產(chǎn)生 影響，采用兩次清洗去損傷刻蝕工藝，以降低刻蝕過(guò)程中對(duì)硅片本身的RIE絨面產(chǎn)生的影 響，同時(shí)，在第一次去損傷清洗中加入緩沖腐蝕劑，因此，清洗工藝對(duì)損傷層的刻蝕速率較 慢，在未完全去除損傷層的情況下即停止第一次去損傷清洗，區(qū)別于正常去損傷工藝。本 發(fā)明的刻蝕過(guò)程采用二次刻蝕，更好地保證刻蝕過(guò)程不對(duì)硅片表面精細(xì)的絨面結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影 響。本發(fā)明對(duì)損傷層的刻蝕速率較慢，適用于晶體硅RIE制絨的精細(xì)化表面結(jié)構(gòu)的去損傷 過(guò)程。
具體實(shí)施例方式一種晶體硅RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，具體工藝步驟如下(1)對(duì)反應(yīng)離子刻蝕后的硅片表面損傷層進(jìn)行去離子水表面預(yù)清洗；
(2)利用HF、HN03與水或醋酸按體積比HF HNO3 水或醋酸=1 50 100的
混合溶液進(jìn)行第一次去損傷清洗；(3)再次進(jìn)行去離子水清洗；(4)采用而40!1、!1202 與!120 按體積比 HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5 的混合溶液 在60°C 75°C進(jìn)行二次清洗刻蝕，二次清洗時(shí)間控制在5 15分鐘的范圍；(5)用0. 5%濃度的HF溶液進(jìn)行沾洗；(6)最后用去離子水進(jìn)行清洗。本發(fā)明的清洗工藝對(duì)損傷層的刻蝕速率較慢，適用于晶體硅RIE制絨的精細(xì)化表 面結(jié)構(gòu)的去損傷過(guò)程，本發(fā)明區(qū)別于正常去損傷工藝，本發(fā)明的刻蝕過(guò)程采用二次刻蝕，更 好地保證刻蝕過(guò)程不對(duì)硅片表面精細(xì)的絨面結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，其特征在于首先對(duì)反應(yīng)離子刻蝕后 的硅片表面損傷層進(jìn)行去離子水表面預(yù)清洗；然后利用HF、HNO3與緩沖腐蝕劑按體積比 HF HNO3 緩沖腐蝕劑=1 50 100的混合溶液進(jìn)行第一次去損傷清洗；之后再次進(jìn) 行去離子水清洗；然后采用而40!1、!1202與!120按體積比HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5的 混合溶液在60°C 75°C進(jìn)行二次清洗刻蝕，二次清洗時(shí)間控制在5 15分鐘的范圍；完成 后用0. 5%濃度的HF溶液進(jìn)行沾洗；最后用去離子水進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，其特征在于所述 的緩沖腐蝕劑為水或醋酸。 v
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶體硅RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，首先對(duì)硅片表面損傷層進(jìn)行去離子水表面預(yù)清洗；然后利用HF、HNO3與水或醋酸按體積比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液進(jìn)行第一次去損傷清洗；之后再次進(jìn)行去離子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2與H2O按體積比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃進(jìn)行二次清洗刻蝕，二次清洗時(shí)間控制在5～15分鐘的范圍；完成后用0.5％濃度的HF溶液進(jìn)行沾洗；最后用去離子水進(jìn)行清洗。本發(fā)明適用于晶體硅RIE制絨的精細(xì)化表面結(jié)構(gòu)的去損傷過(guò)程，更好地保證刻蝕過(guò)程不對(duì)硅片表面精細(xì)的絨面結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102097526SQ20101029888
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月8日
發(fā)明者盛健 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司