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一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液及其制備方法

文檔序號(hào):8123330閱讀:420來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于太陽(yáng)能電池中多晶硅制絨后的清洗液及其制備方法,屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能是人類取之不盡,用之不歇的可再生資源,具有應(yīng)用方便,不需要燃料,無(wú)氣體排放,不會(huì)破壞生態(tài)環(huán)境的特點(diǎn),是一種清潔能源,一種綠色能源。在煤、石油、天然氣等這些不可再生資源日益枯竭的情況下,太陽(yáng)能作為一種新型的能源,有望超過(guò)風(fēng)能、水能、地?zé)崮?、核能等資源,成為未來(lái)電力供應(yīng)的主要支柱。全球太陽(yáng)能電池正處于欣欣向榮的景象,各國(guó)的太陽(yáng)能電池制造業(yè)爭(zhēng)相投入巨資,擴(kuò)大生產(chǎn),以爭(zhēng)一席之地。在全球光伏市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求帶動(dòng)下,大型光伏企業(yè)紛紛擴(kuò)產(chǎn),全球光伏電池產(chǎn)能將再攀新高,因此,著力加強(qiáng)對(duì)太陽(yáng)能電池等光伏產(chǎn)業(yè)的研究開(kāi)發(fā),不斷提高光電轉(zhuǎn)換效率、降低成本成為企業(yè)在今后激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中取勝、不斷推動(dòng)光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步和更大規(guī)模推廣應(yīng)用的關(guān)鍵。多晶硅硅片成本較低,性價(jià)比較高,著力發(fā)展多晶硅太陽(yáng)能電池片已經(jīng)是現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的主流。 利用多晶硅在氫氟酸和硝酸的各向同性腐蝕,把硅片表面織構(gòu)化是提高效率的非常重要的途徑。然而硅片在制絨后表面會(huì)殘留很多制絨液,這些制絨液里面含有很多的雜質(zhì),也會(huì)使硅片染色,所以必須要經(jīng)過(guò)堿清洗來(lái)中和這些制絨后表面殘留的酸。因?yàn)槎嗑Ч璞砻嬗泻芏嗑娼M成,硅片經(jīng)過(guò)傳統(tǒng)的堿清洗工藝,表面特別的亮,硅片反射率高,各個(gè)晶面之間顏色差距明顯。而且傳統(tǒng)的堿清洗工藝特別難控制,硅片在堿槽中的時(shí)間稍微長(zhǎng)一點(diǎn),就會(huì)造成硅片表面拋光,加工成的電池片全部降級(jí)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液及其制備方法,使用該清洗液既能完全清洗掉硅片制絨后表面殘留的制絨液,也能讓硅片各個(gè)晶面之間顏色一致,降低反射率,從而形成模糊晶界。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案,一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液,特征是,包括以下組份,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)氫氧化鈉0. 1 0. 2份、制絨添加劑0. 1 0. 2份、去離子水99. 6 99. 8份;
將去離子水注入清洗槽中,加入氫氧化鈉和制絨添加劑即得到所述的清洗液。一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液的制備方法,特征是,包括以下步驟,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)
取99. 6 99. 8份去離子注入到清洗槽中,加入0. 1 0. 2份氫氧化鈉充分?jǐn)嚢杈鶆颍?攪拌速度為55 65轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為4 6分鐘;再加入0. 1 0. 2份制絨添加劑, 充分?jǐn)嚢杈鶆蚝?,攪拌速度?5 65轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為4 6分鐘;即得到所述的清洗液成品。本發(fā)明與已有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明在傳統(tǒng)的工藝基礎(chǔ)上引入一種添加劑,提高了腐蝕因子,降低了反應(yīng)速度,方便控制;
2、多晶硅片制絨堿清洗后表面一致性,反射率低;
3、硅片拋光現(xiàn)象徹底解決;
4、電池片的轉(zhuǎn)化效率和質(zhì)量都比傳統(tǒng)工藝有很大的提高。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明所使用的制絨添加劑可采用上海晶太光伏科技有限公司單晶制絨添加劑。實(shí)施例一一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液的制備方法,包括以下步驟,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)
取99. 6份去離子注入到清洗槽中,加入0. 1份氫氧化鈉充分?jǐn)嚢杈鶆?,攪拌速度?0 轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為5分鐘;再加入0. 1份制絨添加劑,充分?jǐn)嚢杈鶆蚝?,即得到所述的清洗液成品;所述攪拌速度為?yáng)轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為6分鐘。使用時(shí),將200片制好絨的硅片放入150L配置好的清洗液中進(jìn)行清洗,160秒后達(dá)到最佳的清洗效果,硅片表面殘留的酸被徹底清洗干凈,表面晶界模糊,反射率為23. 5%,表面一致性好,此硅片加工成電池片的轉(zhuǎn)化效率為16. 59%。實(shí)施例二 一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液的制備方法,包括以下步驟,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)
取99. 8份去離子注入到清洗槽中,加入0. 2份氫氧化鈉充分?jǐn)嚢杈鶆?,攪拌速度?0 轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為5分鐘;再加入0. 2份制絨添加劑,充分?jǐn)嚢杈鶆蚝螅瑪嚢杷俣葹?5 轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為4分鐘;即得到所述的清洗液成品。使用時(shí),將200片制好絨的硅片放入150L配置好的堿溶液中清洗,180秒時(shí)達(dá)到最佳的清洗效果,表面殘留的酸徹底清洗干凈,表面晶界模糊,反射率23%,表面一致性好,此硅片加工成電池片的轉(zhuǎn)化效率為16. 68%。實(shí)施例三一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液的制備方法,包括以下步驟,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)
取99. 7份去離子注入到清洗槽中,加入0. 15份氫氧化鈉充分?jǐn)嚢杈鶆?,攪拌速度?0 轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為5分鐘;再加入0. 15份制絨添加劑,充分?jǐn)嚢杈鶆蚝螅瑪嚢杷俣葹?0 轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為5分鐘;即得到所述的清洗液成品。使用時(shí),將200片制好絨的硅片放入150L配置好的堿溶液中清洗,200秒時(shí)達(dá)到最佳的清洗效果,表面殘留的酸徹底清洗干凈,表面晶界模糊,反射率23. 8%,表面一致性好, 此硅片加工成電池片的轉(zhuǎn)化效率為16. 60%。采用本發(fā)明實(shí)施例二得到的清洗液對(duì)硅片進(jìn)行清洗后,硅片的表面效果與傳統(tǒng)工藝相比結(jié)果,如表1所示。表 權(quán)利要求
1.一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液,其特征是,包括以下組份,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)氫氧化鈉0. 1 0. 2份、制絨添加劑0. 1 0. 2份、去離子水99. 6 99. 8份;將去離子水注入清洗槽中,加入氫氧化鈉和制絨添加劑即得到所述的清洗液。
2.一種如權(quán)利要求1所述的用于多晶硅制絨后清洗的清洗液的制備方法,其特征是, 包括以下步驟,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)取99. 6 99. 8份去離子注入到清洗槽中,加入0. 1 0. 2份氫氧化鈉充分?jǐn)嚢杈鶆颍?攪拌速度為55 65轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為4 6分鐘;再加入0. 1 0. 2份制絨添加劑, 充分?jǐn)嚢杈鶆蚝?,攪拌速度?5 65轉(zhuǎn)/分鐘,攪拌時(shí)間為4 6分鐘;即得到所述的清洗液成品。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于多晶硅制絨后清洗的清洗液的制備方法,特征是,包括以下步驟,其組份比例按重量份數(shù)計(jì)取99.6~99.8份去離子注入到清洗槽中,加入0.1~0.2份氫氧化鈉充分?jǐn)嚢杈鶆?,再加?.1~0.2份制絨添加劑,充分?jǐn)嚢杈鶆蚝螅吹玫剿龅那逑匆撼善?。本發(fā)明與已有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明在傳統(tǒng)的工藝基礎(chǔ)上引入一種添加劑,提高了腐蝕因子,降低了反應(yīng)速度,方便控制;2、多晶硅片制絨堿清洗后表面一致性,反射率低;3、硅片拋光現(xiàn)象徹底解決;4、電池片的轉(zhuǎn)化效率和質(zhì)量都比傳統(tǒng)工藝有很大的提高。
文檔編號(hào)C30B33/10GK102330101SQ20111023094
公開(kāi)日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者顧峰 申請(qǐng)人:無(wú)錫尚品太陽(yáng)能電力科技有限公司
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