專利名稱：表面安裝用晶體單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有被密封在容器內(nèi)的石英晶體坯的石英晶體單元，更具 體地，涉及即使在對(duì)其施加機(jī)械沖擊時(shí)，也能夠最佳地保持振動(dòng)特性的表 面安裝用晶體單元。
背景技術(shù)：
因?yàn)榫哂斜幻芊庠谌萜鲀?nèi)的石英晶體坯的表面安裝用石英晶體單元 小而輕，因此在由蜂窩式電話代表的便攜式電子器件中，這種晶體單元作 為頻率和時(shí)間基準(zhǔn)源與振蕩電路結(jié)合在一起。近年來，需要在其被施加沖 擊時(shí)，可防止在晶體單元內(nèi)部的晶體坯的剝離或者振動(dòng)特性的劣化的表面 安裝用晶體單元。
圖1A是常規(guī)的表面安裝用晶體單元的橫截面圖，而圖1B是在圖1A中被
虛線包圍部分的局部放大橫截面圖。
所示的晶體單元在用于表面安裝的容器體1中容納有晶體坯2，將金屬 蓋5放置在容器體上，并且將晶體坯2保持密封在容器中。容器體l由例如 層壓陶瓷制成，具有基本上為矩形的平面外形，即，平坦和基本上平行六 面體形狀，當(dāng)將這種晶體單元裝配在布線板上時(shí)，該形狀在從上面觀察時(shí) 看起來像矩形。在容器體1的頂部表面中形成用于容納晶體坯2的凹口。在 凹口的內(nèi)部底表面上，在靠近內(nèi)部底表面的一側(cè)的兩端的位置，設(shè)置一對(duì) 保持端子3。金屬蓋5通過縫焊等接合到容器體1的頂部表面上以關(guān)閉凹口， 并且以這種方式，將晶體坯2密封在凹口內(nèi)。
在容器體l的外部底表面上，設(shè)置外部端子4作為電極層以將容器體1 表面安裝在布線板上。在這四個(gè)外部端子4中，通過在容器體l中的陶瓷層 之間的層壓平面內(nèi)形成的導(dǎo)電通路，將位于容器體l的外部底表面的一根 對(duì)角線的兩端上的一對(duì)外部端子4與一對(duì)保持端子3電連接。將其余兩個(gè)外 部端子4用作接地端子。通過在容器體l中形成的導(dǎo)電通路(未顯示)，將用作接地端子的外部端子4與金屬蓋5電連接。
如圖2中所示，晶體坯2由例如基本上矩形的AT-切割的石英晶體坯制 成。在其兩個(gè)主要表面上形成激發(fā)電極6a，使得激發(fā)電極6a位于晶體坯2 的振蕩區(qū)域內(nèi)。引出電極6b從一對(duì)激發(fā)電極6a向晶體坯2的一端的兩側(cè)延 伸。在將一對(duì)引出電極6b引出的位置上用例如導(dǎo)電粘合劑7將這些引出電 極6b固定在保持端子3上，將晶體坯2固定并且保持在容器體1的凹口內(nèi)， 并且將晶體壞2與容器體1進(jìn)行電和機(jī)械連接。
晶體坯2沿著縱向的橫截面形狀的實(shí)例包括斜面形、凸形和平坦形。 斜面形晶體坯的厚度是在中心部分外延(breadth)—定范圍內(nèi)恒定，并且從 中心部分朝周邊降低。凸形晶體坯的厚度逐漸變化，并且在晶體坯的中心 變得最大。平坦形晶體坯在整個(gè)范圍內(nèi)具有恒定的厚度。當(dāng)振動(dòng)頻率約為 30MHz或以上時(shí)，將晶體坯2形成為平坦形狀。另一方面，當(dāng)振動(dòng)頻率低 于30MHz時(shí)，通過邊緣修整將晶體坯2形成為斜面形或凸形，以將振動(dòng)能 限制在晶體坯2的中心區(qū)域內(nèi)，并且降低晶體坯2的晶體阻抗(CI)。
在下列說明中，將晶體坯2的縱向上的兩端中通過導(dǎo)電粘合劑7固定到 容器體l上的一端稱為"第一端"，而將另一端稱為"第二端"。在與晶體坯2 的第二端對(duì)應(yīng)的位置的內(nèi)部底表面的寬度方向上的中心部分，設(shè)置從容器 體1的內(nèi)部底表面突出的枕墊構(gòu)件8。將晶體坯2的第二端放置在枕墊構(gòu)件 8上，而不固定到枕墊構(gòu)件8上。還可以將第二端設(shè)置在枕墊構(gòu)件8上方而 不接觸枕墊構(gòu)件8。
當(dāng)將在晶體坯2的縱向上的橫截面形狀假定為如上所述的斜面形或凸 形時(shí)，預(yù)期枕墊構(gòu)件8特別防止其中形成有晶體坯2的激發(fā)電極6a的振動(dòng)區(qū) 域接觸容器體l的內(nèi)部底表面。同樣在晶體坯2的橫截面形狀為平坦形狀的 情況下，由于容器體l的翹曲等，晶體坯2的振動(dòng)區(qū)域也可以接觸容器體1 的內(nèi)部底表面，因此枕墊構(gòu)件8在這種情況下也是有效的。
當(dāng)將陶瓷生板，即未燒制的陶瓷原板層壓并且燒制以形成容器體l時(shí)， 使用印刷方法，將這種枕墊構(gòu)件8與形成為構(gòu)成保持端子3的基極電極層的 鎢(W)層或鉬(Mo)層同時(shí)設(shè)置。備選地，枕墊構(gòu)件8可以由陶瓷制成，并且
被燒制和形成與容器體l一體化的部件。
為了可靠地防止晶體坯2的底表面接觸凹口的內(nèi)部底表面，通常，如圖1B中所示，通過印刷兩個(gè)由鎢、鉬等制成的基極電極層的涂層，以形成
厚度增加的保持端子3和枕墊構(gòu)件8。即，對(duì)于保持端子3，設(shè)想基極電極 層具有第一層3x和第二層3y的兩層構(gòu)造，并且這些層的厚度的總和是例如 30 |im。
而且，枕墊構(gòu)件8還具有在對(duì)晶體單元施加機(jī)械沖擊時(shí)降低晶體坯2的 第二端的擺動(dòng)寬度和令人滿意地保持晶體坯2的振動(dòng)特性的功能。在接受 沖擊時(shí)，晶體坯2圍繞作為軸的第一端擺動(dòng)，但是枕墊構(gòu)件8的設(shè)置降低了 在第二端的擺動(dòng)寬度，因此晶體坯2的擺動(dòng)程度也降低，并且對(duì)將晶體坯 固定在第一端的導(dǎo)電粘合劑7的影響也降低。包括導(dǎo)電粘合劑7的晶體坯2 的振動(dòng)系統(tǒng)受沖擊引起的振動(dòng)較小，因此可以令人滿意地保持振動(dòng)特性， 并且抑制頻率變化。
另一方面，當(dāng)不設(shè)置枕墊構(gòu)件8時(shí)，在晶體坯2的第二端側(cè)的擺動(dòng)寬度 在施加沖擊時(shí)增加，擺動(dòng)的影響也擴(kuò)展到導(dǎo)電粘合劑7，導(dǎo)致其狀態(tài)的變 化，即，影響到達(dá)振動(dòng)系統(tǒng)，并且使晶體坯的振動(dòng)特性劣化。以這種方式， 為晶體坯2的第二端設(shè)置枕墊構(gòu)件8的意義在于下列兩個(gè)方面防止晶體坯 2的振動(dòng)區(qū)域接觸容器體1的內(nèi)部底表面，并且保持振動(dòng)系統(tǒng)性抵抗沖擊的 振動(dòng)特性。
然而，僅僅配置有枕墊構(gòu)件8以降低晶體坯2的第二端的擺動(dòng)寬度的構(gòu) 造在防止由連續(xù)沖擊和老化等的施加引起的頻率變化方面或晶體坯2的剝 離方面具有局限性。因此，如在日本專利公幵2004-48384 (JP-A-2004-048384)和日本專利公開2001-94386 (JP-A-2001-094386)中所公
開，提出了使用粘合劑將晶體坯2的第二端固定到容器體上。在這種情況 下，可以涂覆粘合劑的晶體坯2的第二端的位置可以是在第二端的晶體坯 側(cè)的兩端或一端或者該側(cè)的中心部分。在兩種情況下，通過粘合劑將晶體 坯2的第二端固定到容器體上，從而防止其在垂直方向上擺動(dòng)。這消除了 設(shè)置枕墊構(gòu)件8的必要。然而，如果使用粘合劑固定晶體坯2的第二端消除 了枕墊構(gòu)件8的必要，則對(duì)于其中不使用粘合劑設(shè)置枕墊構(gòu)件8的情況以及 其中使用粘合劑但是不設(shè)置枕墊構(gòu)件8的情況不能共用容器體1，這導(dǎo)致生 產(chǎn)率下降。
因此，作為允許使用粘合劑7固定晶體坯2的第二端并且設(shè)置枕墊構(gòu)件的方法，例如如圖3A中所示，可以使用在晶體坯2的第二端的凹口的寬度 方向上，兩端設(shè)置有枕墊構(gòu)件8a、 8b的容器體l。圖3A是為了便于說明而 除去金屬蓋的晶體單元的平面圖，并且用交替的長虛線和短虛線顯示了晶 體坯2的輪廓。在其中使用圖3A中所示的容器體1并且需要固定晶體坯2的 第二端的情況下，使用粘合劑固定晶體坯2的第二端的兩側(cè)。然而，在這 種情況下，將晶體坯2在四個(gè)點(diǎn)固定到容器體1上，并且由容器體l和晶體 坯2之間的熱膨脹系數(shù)的差別所引起的應(yīng)力直接施加到晶體坯2上，從而使 晶體坯2的頻率-溫度特性劣化。
另一方面，當(dāng)使用圖3A中所示的容器體1并且僅將粘合劑涂覆到枕墊 構(gòu)件8a、 8b中的一個(gè)上以固定晶體坯2時(shí)，僅僅將晶體坯2的一側(cè)固定在第 二端，并且不將粘合劑涂覆到另一側(cè)上，因此通過扭曲(twist)保持晶體坯2， 從而導(dǎo)致晶體坯2的位置移動(dòng)，或者還影響其中通過導(dǎo)電粘合劑7將晶體坯 2固定在第一端的狀態(tài)。
備選地，如圖3B中所示，在圖3A所示的容器體1中，可以將粘合劑9 涂覆到在兩個(gè)枕墊構(gòu)件8a、 8b之間的中點(diǎn)處的容器體l的凹口的內(nèi)部底表 面上，并且可以使用粘合劑9將晶體坯2的第二端處的一側(cè)的中點(diǎn)固定到容 器體1上。在這種情況下，如上所述，兩個(gè)枕墊構(gòu)件8a、 8b具有第一層8x 和第二層8y的兩層結(jié)構(gòu)，并且具有大的厚度，即，具有大的高度，因此涂 覆到凹口的內(nèi)部底表面上的粘合劑可能不粘附到晶體坯2上。當(dāng)涂覆的粘 合劑9的量增加時(shí)，粘合劑9可以粘附到晶體坯2上，但是在這種情況下， 粘合劑9在水平方向上鋪展，過多地粘附到晶體坯2的主表面上，并且使晶 體坯8的振動(dòng)特性劣化。難以進(jìn)行實(shí)施控制，以使得涂覆適合量的粘合劑9。 將粘合劑9涂覆到位置在枕墊構(gòu)件8a、 8b之間的凹口的內(nèi)部底表面上并且 固定晶體坯2在實(shí)踐方面是不可實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種表面安裝用晶體單元，所述晶體單元具 有容器體，所述容器體配置有枕墊構(gòu)件，并且還可適于使用粘合劑固定晶 體坯的第二端。
本發(fā)明的目的可以通過一種表面安裝用晶體單元而達(dá)到，所述晶體單元包括容器體，所述容器體具有凹口； 一對(duì)保持端子，所述一對(duì)保持端 子形成在凹口的內(nèi)部底表面上；和晶體坯，所述晶體坯在其兩個(gè)主表面上 配置有激發(fā)電極，具有第一端和第二端，從所述一對(duì)激發(fā)電極朝第一端的 兩側(cè)延伸出引出電極，其中使用導(dǎo)電粘合劑將所述晶體坯的第一端的兩側(cè) 固定到所述保持端子上，將從內(nèi)部底表面突出的枕墊構(gòu)件設(shè)置在與晶體坯 的第二端的兩側(cè)的拐角對(duì)應(yīng)的位置上的凹口的內(nèi)部底表面上，并且在所述 一對(duì)枕墊構(gòu)件之間的中間位置的凹口的內(nèi)部底表面上，設(shè)置高度低于枕墊 構(gòu)件的高度的堤岸(bank)。
這種構(gòu)造允許將枕墊構(gòu)件設(shè)置在容器體的內(nèi)部底表面上對(duì)應(yīng)晶體坯 的第二端的位置上，因此可以減少晶體坯在第二端的擺動(dòng)。因?yàn)閷⒏叨鹊?于枕墊構(gòu)件的高度的堤岸或隆起部分設(shè)置在一對(duì)枕墊構(gòu)件之間的中間位 置的凹口的內(nèi)部底表面上，因此將粘合劑涂覆到這種堤岸上允許將晶體坯 的第二端固定到容器體上。因此，對(duì)于其中設(shè)置枕墊構(gòu)件和其中還使用粘 合劑將晶體坯的第二端固定到容器體上的兩種情況，可以共同使用容器 體。
在本發(fā)明中設(shè)置堤岸使得可以將堤岸和晶體坯的下主表面之間的距 離變窄，并且在不必增加粘合劑的厚度的情況下將晶體坯固定到堤岸上。 而且，在本發(fā)明中，與其中將粘合劑涂覆到枕墊構(gòu)件上的情況相比，可以 增加粘合劑的厚度，并且還可以通過改變堤岸的高度來調(diào)節(jié)這種厚度。粘 合劑的厚度越大，其彈性越大，因此采用粘合劑的厚度的最佳值，對(duì)容器 體和晶體坯之間的熱膨脹系數(shù)差所引起的晶體坯的振動(dòng)特性的影響可以 被進(jìn)一步降低，以及特別是對(duì)頻率-溫度特性的影響可以被進(jìn)一步降低。
在這種晶體單元中，優(yōu)選使用粘合劑將晶體坯固定到位于第二端的中 心的堤岸上。這增強(qiáng)了晶體坯的固定強(qiáng)度，因此可以令人滿意地保持晶體 坯的振動(dòng)特性，并且提高對(duì)剝離等的抗沖擊特性。使用導(dǎo)電粘合劑作為固 定晶體坯的粘合劑，允許在制造晶體單元的同一過程中，將相同的導(dǎo)電粘 合劑涂覆到保持端子和堤岸這兩者上，并且提高生產(chǎn)率。
根據(jù)本發(fā)明，使用例如印刷方法，提供枕墊構(gòu)件和堤岸。在這種情況 下，構(gòu)成枕墊構(gòu)件的兩層結(jié)構(gòu)可以由第一層和第二層構(gòu)成，所述第一層形 成為被一對(duì)枕墊構(gòu)件共用并且在所述一對(duì)枕墊構(gòu)件之間連續(xù)，而所述第二層被設(shè)置在每一個(gè)枕墊構(gòu)件的第一層上，并且使用第一層的暴露部分作為 堤岸。這樣使得與其中獨(dú)立地設(shè)置一對(duì)枕墊構(gòu)件和堤岸的情況相比，可以 提高在印刷過程中的位置精度。


圖1A是顯示常規(guī)的表面安裝用晶體單元的構(gòu)造的一個(gè)實(shí)例的橫截面
圖1B是在圖1A中被虛線包圍部分的局部放大橫截面圖2是顯示常規(guī)晶體坯的一個(gè)實(shí)例的平面圖3A是顯示移去蓋的常規(guī)表面安裝用晶體單元的構(gòu)造的另一個(gè)實(shí)例 的平面圖3B是沿著圖3A的直線A-A的放大橫截面圖4A是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的移去蓋的表面安裝用晶體 單元的平面圖4B是沿著圖4A的直線A-A的放大橫截面圖；禾口
圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案的表面安裝用晶體單元的放 大橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
在顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的表面安裝用晶體單元的圖4A和 4B中，對(duì)與上述圖1A、 1B、 2、 3A禾B3B中的那些相同的部件給予相同的 附圖標(biāo)記，并且將簡(jiǎn)化或者省略多余的說明。
在圖4A和4B中所示的晶體單元類似于圖3A和3B中所示的晶體單元， 但是與圖3A和3B中所示的晶體單元中不同在于將堤岸或隆起部分設(shè)置 在一對(duì)枕墊構(gòu)件8之間。為了便于說明，圖4A顯示了移除金屬蓋的晶體單 元。
通過使用導(dǎo)電粘合劑7，將具有從激發(fā)電極6a延伸出來的引出電極6b 的晶體坯2的第一端的兩側(cè)與被設(shè)置在凹口的內(nèi)部底表面的上的保持端子 3固定，使得這種晶體單元在容器體1的凹口中容納有晶體坯2。對(duì)于晶體 坯2，使用在圖2中所示的晶體坯2。在對(duì)應(yīng)晶體坯2的第二端的兩側(cè)上的拐角的位置，在容器體1的凹口的內(nèi)部底表面上設(shè)置有枕墊構(gòu)件8a、 8b。艮口， 將枕墊構(gòu)件8a、 8b安置在凹口的寬度方向的兩端上。晶體坯2的第二端接 觸枕墊構(gòu)件8a、 8b，或者位于枕墊構(gòu)件8a、 8b之上。容器體l的凹口的開 口用金屬蓋5密封(參見圖1A)，并且將外部端子4(參見圖1A)設(shè)置在容器體 l的外部底表面的四個(gè)拐角中。
在該實(shí)施方案中，還使用印刷方法的兩個(gè)涂層形成保持端子3和枕墊 構(gòu)件8a、 8b以確保如上所述的高度，并且以這種方式，可以防止晶體坯2 的下表面接觸凹口的內(nèi)部底表面。這種枕墊構(gòu)件8a、 8b如在保持端子3的 基極電極層的情況下一樣可以由鎢或鉬制成，或者還可以由陶瓷制成。
設(shè)想以將第一層8x設(shè)置在凹口的內(nèi)部底表面上并且將第二層8y設(shè)置 在第一層8x上的兩層結(jié)構(gòu)的形式構(gòu)造枕墊構(gòu)件8a、 8b。這里，將第一層8x 設(shè)置成一對(duì)枕墊構(gòu)件8a、 8b共用。即，第一層8x是線性和連續(xù)形成的，以 在寬度方向上連接凹口的兩端。第二層8y相互獨(dú)立地在第一層8x的兩端上 形成為分別對(duì)應(yīng)一對(duì)枕墊構(gòu)件8a、 8b。在其中暴露第一層8x的位于枕墊構(gòu) 件8a、 8b之間的部分被認(rèn)為是堤岸10。堤岸10的高度明顯小于枕墊構(gòu)件8a、 8b的高度。
在其中使用這種容器體l構(gòu)造晶體單元的情況下，當(dāng)無需將晶體坯2的 第二端固定到容器體l上時(shí)，例如如在圖1A中所示的情況下，將例如硅基 熱固性導(dǎo)電粘合劑7涂覆到保持端子3上，將晶體坯2的第一端的兩側(cè)定位 于導(dǎo)電粘合劑7上，并且在使晶體坯2的第二端接觸枕墊構(gòu)件8a、 8b或者位 于枕墊構(gòu)件8a、 8b之上的情況下將導(dǎo)電粘合劑7熱固。之后，用金屬蓋5覆
蓋凹口以完成晶體單元。在以這種方式制造的晶體單元中，當(dāng)施加沖擊時(shí)， 通過枕墊構(gòu)件8a、 8b抑制了在第二端側(cè)的晶體坯2的垂直方向上的擺動(dòng)。
而且，當(dāng)需要固定晶體坯2的第二端時(shí)，將硅基熱固性導(dǎo)電粘合劑7涂 覆到如上所述的保持端子3和堤岸10上，將晶體坯2的第一端的兩側(cè)定位于 保持端子3上的導(dǎo)電粘合劑上，將第二端的中心定位于堤岸10上的導(dǎo)電粘 合劑7上，然后將導(dǎo)電粘合劑7熱固。在這種情況下，晶體坯2的第二端的 兩側(cè)接觸枕墊構(gòu)件8a、 8b或者被固定到接近枕墊構(gòu)件8a、 8b的上方。之后， 用金屬蓋5覆蓋凹口以完成晶體單元。在以這種方式制造的晶體單元中， 可以使從堤岸10的表面至晶體坯2的下表面的距離小于從凹口的內(nèi)部底表面至晶體坯2的下表面的距離。因此，與其中將粘合劑直接涂覆到凹口的 內(nèi)部底表面上的情況相比，可以降低用于固定晶體坯2的第二端的粘合劑 的厚度，因此可以使晶體坯2的下表面接觸粘合劑，而不增加這種粘合劑 的量。與其中增加粘合劑的量的情況相比，這使得可以降低粘附到晶體坯 2的主表面上的粘合劑的面積，令人滿意地保持晶體坯的振動(dòng)特性，并且 提高對(duì)剝離等的抗沖擊特性。
因?yàn)檎韷|構(gòu)件8a、 8b和堤岸10之間的高度差對(duì)應(yīng)導(dǎo)電粘合劑7的厚度， 因此與其中將粘合劑涂覆到枕墊構(gòu)件上的情況相比，可以增加導(dǎo)電粘合劑 7的厚度，并且可以通過調(diào)節(jié)堤岸10的高度來調(diào)節(jié)導(dǎo)電粘合劑7的厚度。通 常，粘合劑的厚度越大，彈性變得越大，并且與其中將粘合劑涂覆到枕墊 構(gòu)件的情況相比，導(dǎo)電粘合劑7的彈性增加。這使得可以進(jìn)一步降低容器 體和晶體坯之間的熱膨脹系數(shù)差對(duì)晶體坯的振動(dòng)特性，特別是頻率-溫度特 性的影響。
在該實(shí)施方案中，使用與涂覆到保持端子3上的導(dǎo)電粘合劑相同的導(dǎo) 電粘合劑7作為粘合劑，以將晶體坯2的第二端固定到堤岸10上。與其中將 不同種類的粘合劑涂覆到保持端子3和堤岸10的情況相比，這使得涂覆粘 合劑的過程更容易。因?yàn)榈谝粚?x形成為兩個(gè)枕墊構(gòu)件8a、 8b共用，并且 在兩個(gè)枕墊構(gòu)件8a、 8b之間連續(xù)，因此與其中完全相互獨(dú)立地形成兩個(gè)枕 墊構(gòu)件的情況相比，可以提高使用印刷方法形成各個(gè)層的位置精度。
以這種方式，該實(shí)施方案允許容器體被共同用于其中設(shè)置枕墊構(gòu)件并 且將晶體坯2安置在枕墊構(gòu)件上面或上方以抑制振蕩的情況，以及其中還 使用粘合劑將晶體坯2的第二端固定到容器體上的情況，因此可以提高生 產(chǎn)率。
在上述實(shí)施方案中，為枕墊構(gòu)件8a、 8b共同設(shè)置第一層8x，為每一個(gè) 枕墊構(gòu)件設(shè)置第二層8y，并且使用第一層8x的暴露部分作為堤岸10，但是 本發(fā)明不限于這種情況。如圖5中所示，可以相互獨(dú)立地設(shè)置枕墊構(gòu)件8a、 8b，并且堤岸10可以獨(dú)立于枕墊構(gòu)件8a、 8b形成。在這種情況下，設(shè)想兩 個(gè)枕墊構(gòu)件8a、 8b具有第一層8x和第二層8y的兩層結(jié)構(gòu)，并且堤岸10具有 單層結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明中，還可以使用絕緣粘合劑作為被涂覆到堤岸io的表面上的粘合劑，以代替上述導(dǎo)電粘合劑7<
權(quán)利要求
1. 一種表面安裝用晶體單元，所述晶體單元包括具有凹口的容器體；一對(duì)保持端子，所述一對(duì)保持端子形成在所述凹口的內(nèi)部底表面上；和晶體坯，所述晶體坯在其兩個(gè)主表面上配置有激發(fā)電極，具有第一端和第二端，從一對(duì)所述激發(fā)電極朝所述第一端的兩側(cè)延伸出引出電極，其中使用導(dǎo)電粘合劑將所述晶體坯的第一端的兩側(cè)固定到所述保持端子上，將從內(nèi)部底表面突出的枕墊構(gòu)件設(shè)置在所述凹口的內(nèi)部底表面上的與所述晶體坯的第二端的兩側(cè)的拐角對(duì)應(yīng)的位置處，并且在所述一對(duì)枕墊構(gòu)件之間的中間位置的所述凹口的所述內(nèi)部底表面上，設(shè)置高度低于所述枕墊構(gòu)件的高度的堤岸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體單元，其中所述枕墊構(gòu)件具有兩層結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體單元，其中所述晶體坯具有準(zhǔn)矩形的形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體單元，其中所述晶體坯是AT切割的石英 晶體坯。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體單元，其中使用粘合劑將所述晶體坯固 定到在第二端的中心位置的堤岸上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體單元，其中所述粘合劑是導(dǎo)電粘合劑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體單元，其中所述兩層結(jié)構(gòu)包括形成為被 所述一對(duì)枕墊構(gòu)件共用并且在所述一對(duì)枕墊構(gòu)件之間連續(xù)的第一層，以及 包括為每一個(gè)所述枕墊構(gòu)件設(shè)置在所述第一層上的第二層，并且使用所述 第一層的暴露部分作為所述堤岸。
全文摘要
本發(fā)明提供表面安裝用晶體單元，所述表面安裝用晶體單元包括具有凹口的容器體；形成在所述凹口的內(nèi)部底表面上的一對(duì)保持端子；和晶體坯，所述晶體坯在其兩個(gè)主表面上配置有激發(fā)電極，具有第一端和第二端，從一對(duì)所述激發(fā)電極朝所述第一端的兩側(cè)延伸出引出電極。使用導(dǎo)電粘合劑將第一端的兩側(cè)固定到所述保持端子上。將從內(nèi)部底表面突出的墊構(gòu)件設(shè)置在與第二端的兩側(cè)的拐角對(duì)應(yīng)的位置上的凹口的所述內(nèi)部底表面上。在所述一對(duì)墊構(gòu)件之間的中間位置上的凹口的所述內(nèi)部底表面上，設(shè)置高度低于所述墊構(gòu)件的高度的堤岸。
文檔編號(hào)H03H9/05GK101453199SQ20081017887
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2008年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月4日
發(fā)明者久保田浩治, 赤根克典 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社