專利名稱：一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨芗捌渲苽浞椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨芗捌渲苽浞椒?，屬于微波器件中變?nèi)莨芗夹g(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
變?nèi)莨苁且环N常用的微波器件。因?yàn)槠銫-V的非線性關(guān)系，被廣泛應(yīng)用于微波非線性電路設(shè)計(jì)中，如壓控振蕩器、移相器、混頻器，倍頻器等。相比于傳統(tǒng)的肖特基變?nèi)莨?，異質(zhì)結(jié)變?nèi)莨芫哂袑ΨQ的C-V特性和非對稱的I-V 特性，這一特性使得異質(zhì)結(jié)變?nèi)莨鼙粡V泛應(yīng)用于倍頻器等電路中。異質(zhì)結(jié)變?nèi)莨芤话悴捎帽硨Ρ辰Y(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)使得異質(zhì)結(jié)勢壘加倍，補(bǔ)償了結(jié)構(gòu)上的不對稱性。圖1為傳統(tǒng)的異質(zhì)結(jié)變?nèi)莨艿慕Y(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，傳統(tǒng)的異質(zhì)結(jié)變?nèi)莨躊AD， 變?nèi)莨艿年庩枠O金屬，及它們的連接線處在同一平面上。通過刻蝕引線下方區(qū)域的材料來形成溝道隔離。這樣連接引線像橋身一樣架在PAD與接觸金屬之間。然而這種結(jié)構(gòu)中橋身會由于長時間重力作用出現(xiàn)橋身斷裂現(xiàn)象導(dǎo)致器件短路，若增加橋身的剛度，無疑會大大增加制作成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對傳統(tǒng)的異質(zhì)結(jié)變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)中橋身會由于長時間重力作用出線橋身斷裂現(xiàn)象導(dǎo)致器件短路，而增加橋身的剛度會大大增加制作成本的不足，提供一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨芗捌渲苽浞椒?。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨馨℅aAs襯底，位于所述GaAs襯底上的重?fù)诫sGaAs溝道層，位于所述重?fù)诫sGaAs溝道層上的至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)，位于所述至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)上的重?fù)诫sGaAs帽層，位于所述重?fù)诫sGaAs帽層上的陽極和陰極，所述變?nèi)莨茉诳拷枠O遠(yuǎn)離陰極的一端具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第一臺階結(jié)構(gòu)，所述變?nèi)莨茉陉枠O和陰極之間具有一從重?fù)诫s GaAs帽層到重?fù)诫sGaAs溝道層的第二臺階結(jié)構(gòu)，所述變?nèi)莨茉诳拷帢O遠(yuǎn)離陽極的一端具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第三臺階結(jié)構(gòu)，所述第一臺階結(jié)構(gòu)、第二臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)上覆蓋有介質(zhì)層，所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的上臺階階面和側(cè)壁處的介質(zhì)層上設(shè)有引線，所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的下臺階階面處的介質(zhì)層上設(shè)有 PAD。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，所述重?fù)诫sGaAs溝道層為重?fù)诫sN型GaAs溝道層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IO18厘米_3 ；所述重?fù)诫sGaAs帽層為重?fù)诫sN型GaAs帽層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IOw厘米_3。進(jìn)一步，所述異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)包括第一輕摻雜GaAs調(diào)制層，位于所述第一輕摻雜 GaAs調(diào)制層上的第一未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第一未摻雜的GaAs緩沖層上的未摻雜的AWaAs勢壘層，位于所述未摻雜的AWaAs勢壘層上的第二未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第二未摻雜的GaAs緩沖層上的第二輕摻雜GaAs調(diào)制層。進(jìn)一步，所述第一輕摻雜GaAs調(diào)制層為第一輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IO"5厘米_3 ；所述第二輕摻雜GaAs調(diào)制層為第二輕摻雜N型 GaAs調(diào)制層，摻雜的離子Si，摻雜的離子濃度為5 X IO16厘米_3。本發(fā)明還提供一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括如下步驟1)在GaAs襯底上依次生長重?fù)诫sGaAs溝道層、至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)和重?fù)诫s(iaAs帽層；2)在所述重?fù)诫sGaAs帽層上形成歐姆接觸金屬，從而制成變?nèi)莨艿年枠O和陰極；3)將變?nèi)莨荜枠O和陰極之間從重?fù)诫sGaAs帽層到至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)之間的結(jié)構(gòu)去除，使陽極和陰極之間的重?fù)诫sGaAs溝道層暴露出來，從而形成從重?fù)诫sGaAs帽層到重?fù)诫sGaAs溝道層的第二臺階結(jié)構(gòu)；4)將變?nèi)莨軆啥藦闹負(fù)诫sGaAs帽層到重?fù)诫sGaAs溝道層之間的結(jié)構(gòu)去除，使變?nèi)莨軆啥说腉aAs襯底暴露出來，從而形成從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)；5)在形成第一臺階結(jié)構(gòu)、第二臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的器件表面形成介質(zhì)層， 同時將歐姆接觸區(qū)的介質(zhì)層去除，形成第一引線窗口和第二引線窗口 ；6)在所述第一引線窗口、第二引線窗口以及第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的上臺階階面和側(cè)壁處的介質(zhì)層上形成引線，在所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的下臺階階面處的介質(zhì)層上形成PAD。進(jìn)一步，所述重?fù)诫sGaAs溝道層為重?fù)诫sN型GaAs溝道層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5 X IOw厘米_3 ；所述重?fù)诫sGaAs帽層為重?fù)诫sN型GaAs帽層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IOw厘米_3。進(jìn)一步，所述異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)包括第一輕摻雜GaAs調(diào)制層，位于所述第一輕摻雜 GaAs調(diào)制層上的第一未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第一未摻雜的GaAs緩沖層上的未摻雜的AWaAs勢壘層，位于所述未摻雜的AWaAs勢壘層上的第二未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第二未摻雜的GaAs緩沖層上的第二輕摻雜GaAs調(diào)制層。進(jìn)一步，所述第一輕摻雜GaAs調(diào)制層為第一輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IO"5厘米_3 ；所述第二輕摻雜GaAs調(diào)制層為第二輕摻雜N型 GaAs調(diào)制層，摻雜的離子Si，摻雜的離子濃度為5 X IO16厘米_3。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨苤蠵AD與陰陽極接觸金屬不再在一個平面上，而是處在襯底層與接觸金屬形成臺階上，連接引線采用爬坡形式將PAD與陰陽極分別連接，避免了復(fù)雜的空氣橋結(jié)構(gòu)，制作簡便，易于實(shí)現(xiàn)；引線與地之間的寄生電容小，同時C-V特性具有很好的對稱行，可以大大的簡化倍頻電路的設(shè)計(jì)；同時為了避免連接引線和坡壁材料直接接觸而形成短路，在電鍍PAD和引線之前在整個器件表面淀積一介質(zhì)層，在陰陽極區(qū)域通過刻蝕方法開個窗口，使得引線與坡壁之間有一層介質(zhì)進(jìn)行隔離。


圖1為傳統(tǒng)的異質(zhì)結(jié)變?nèi)莨艿慕Y(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨茉谝r底上形成溝道層、雙勢壘異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)和帽層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨苄纬申枠O和陰極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨茉诿睂雍蜏系缹又g形成第二臺階結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨茉诿睂雍鸵r底之間形成第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨苄纬山橘|(zhì)層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨苄纬梢€和PAD的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨馨ㄖ辽僖粋€異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，本發(fā)明異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨馨▋蓚€異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)。所述異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨馨℅aAs襯底，位于所述GaAs襯底上的重?fù)诫sGaAs溝道層，位于所述重?fù)诫sGaAs溝道層上的兩個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)，位于所述兩個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)上的重?fù)诫sGaAs帽層，位于所述重?fù)诫sGaAs帽層上的陽極和陰極，所述變?nèi)莨茉诳拷枠O遠(yuǎn)離陰極的一端具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第一臺階結(jié)構(gòu)，所述變?nèi)莨茉陉枠O和陰極之間具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到重?fù)诫sGaAs溝道層的第二臺階結(jié)構(gòu)，所述變?nèi)莨茉诳拷帢O遠(yuǎn)離陽極的一端具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第三臺階結(jié)構(gòu)，所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的上臺階階面和側(cè)壁處的介質(zhì)層上設(shè)有引線，所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的下臺階階面處的介質(zhì)層上設(shè)有PAD。所述重?fù)诫sGaAs溝道層為重?fù)诫sN型GaAs溝道層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5 X IO18厘米_3 ；所述重?fù)诫sGaAs帽層為重?fù)诫sN型GaAs帽層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IOw厘米_3。所述兩個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)分別為114和115，兩個串聯(lián)在一起，每個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)包括第一輕摻雜GaAs調(diào)制層，位于所述第一輕摻雜GaAs調(diào)制層上的第一未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第一未摻雜的GaAs緩沖層上的未摻雜的AWaAs 勢壘層，位于所述未摻雜的AlGaAs勢壘層上的第二未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第二未摻雜的GaAs緩沖層上的第二輕摻雜GaAs調(diào)制層。所述第一輕摻雜GaAs調(diào)制層為第一輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IO"5厘米_3 ；所述第二輕摻雜GaAs調(diào)制層為第二輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子Si，摻雜的離子濃度為5X IO"5 厘米_3。本發(fā)明包括兩個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨艿闹苽浞椒òú襟E1)結(jié)合圖2，在GaAs襯底100上依次外延生長重?fù)诫sGaAs溝道層101、輕摻雜的GaAs調(diào)制層102、未摻雜的GaAs緩沖層103、未摻雜的AlGaAs勢壘層104、未摻雜的 GaAs緩沖層105、輕摻雜的GaAs調(diào)制層106、未摻雜的GaAs緩沖層107、未摻雜的AlGaAs勢壘層108、未摻雜的GaAs緩沖層109、輕摻雜的GaAs調(diào)制層110和重?fù)诫sGaAs帽層111。步驟2):結(jié)合圖3，在所述重?fù)诫sGaAs帽層111上通過蒸發(fā)金屬的方法形成歐姆接觸金屬，從而制成變?nèi)莨艿年枠O112和陰極113。在本實(shí)施例中，所述歐姆接觸金屬為Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au。步驟3)結(jié)合圖4，將變?nèi)莨荜枠O112和陰極113之間從重?fù)诫sGaAs帽層111到輕摻雜的GaAs調(diào)制層102之間的結(jié)構(gòu)通過濕法腐蝕的方法去除，使陽極112和陰極113之間的重?fù)诫sGaAs溝道層101暴露出來，從而形成從重?fù)诫sGaAs帽層111到重?fù)诫sGaAs溝道層101的第二臺階結(jié)構(gòu)。步驟4)結(jié)合圖5，將變?nèi)莨軆啥藦闹負(fù)诫sGaAs帽層111到重?fù)诫sGaAs溝道層 101之間的結(jié)構(gòu)通過濕法腐蝕的方法去除，使變?nèi)莨軆啥说腉aAs襯底100暴露出來，從而形成從重?fù)诫sGaAs帽層111到GaAs襯底100的第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)。步驟5):結(jié)合圖6，在形成第一臺階結(jié)構(gòu)、第二臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的器件表面通過氣相淀積的方法形成介質(zhì)層121，同時將歐姆接觸區(qū)的介質(zhì)層通過有源離子刻蝕的方法去除，形成第一引線窗口 116和第二引線窗口 117。在本實(shí)施例中，所述介質(zhì)層為Si3N4層。步驟6):結(jié)合圖7，在所述第一引線窗口 116、第二引線窗口 117以及第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的上臺階階面和側(cè)壁處的介質(zhì)層上形成引線118，在所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的下臺階階面處的介質(zhì)層上形成PAD119，從而將陽極和陰極的金屬引出。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨?，其特征在于，所述變?nèi)莨馨℅aAs襯底，位于所述GaAs襯底上的重?fù)诫sGaAs溝道層，位于所述重?fù)诫sGaAs溝道層上的至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)，位于所述至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)上的重?fù)诫sGaAs帽層，位于所述重?fù)诫sGaAs帽層上的陽極和陰極，所述變?nèi)莨茉诳拷枠O遠(yuǎn)離陰極的一端具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第一臺階結(jié)構(gòu)，所述變?nèi)莨茉陉枠O和陰極之間具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到重?fù)诫sGaAs 溝道層的第二臺階結(jié)構(gòu)，所述變?nèi)莨茉诳拷帢O遠(yuǎn)離陽極的一端具有一從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第三臺階結(jié)構(gòu)，所述第一臺階結(jié)構(gòu)、第二臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)上覆蓋有介質(zhì)層，所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的上臺階階面和側(cè)壁處的介質(zhì)層上設(shè)有引線，所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的下臺階階面處的介質(zhì)層上設(shè)有PAD。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨?，其特征在于，所述重?fù)诫sGaAs溝道層為重?fù)诫sN型GaAs溝道層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IOw厘米_3 ；所述重?fù)诫s GaAs帽層為重?fù)诫sN型GaAs帽層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IO18厘米_3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨?，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)包括第一輕摻雜GaAs調(diào)制層，位于所述第一輕摻雜GaAs調(diào)制層上的第一未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第一未摻雜的GaAs緩沖層上的未摻雜的AKiaAs勢壘層，位于所述未摻雜的 AlGaAs勢壘層上的第二未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第二未摻雜的GaAs緩沖層上的第二輕摻雜GaAs調(diào)制層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨?，其特征在于，所述第一輕摻雜GaAs調(diào)制層為第一輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IO"5厘米_3 ；所述第二輕摻雜GaAs調(diào)制層為第二輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子Si，摻雜的離子濃度為5 X IO"5厘米Λ
5.一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，其特征在于，所述制備方法包?)在GaAs襯底上依次生長重?fù)诫sGaAs溝道層、至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)和重?fù)诫s GaAs帽層；2)在所述重?fù)诫sGaAs帽層上形成歐姆接觸金屬，從而制成變?nèi)莨艿年枠O和陰極；3)將變?nèi)莨荜枠O和陰極之間從重?fù)诫sGaAs帽層到至少一個異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)之間的結(jié)構(gòu)去除，使陽極和陰極之間的重?fù)诫sGaAs溝道層暴露出來，從而形成從重?fù)诫sGaAs帽層到重?fù)诫sGaAs溝道層的第二臺階結(jié)構(gòu)；4)將變?nèi)莨軆啥藦闹負(fù)诫sGaAs帽層到重?fù)诫sGaAs溝道層之間的結(jié)構(gòu)去除，使變?nèi)莨軆啥说腉aAs襯底暴露出來，從而形成從重?fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)；5)在形成第一臺階結(jié)構(gòu)、第二臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的器件表面形成介質(zhì)層，同時將歐姆接觸區(qū)的介質(zhì)層去除，形成第一引線窗口和第二引線窗口 ；6)在所述第一引線窗口、第二引線窗口以及第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的上臺階階面和側(cè)壁處的介質(zhì)層上形成引線，在所述第一臺階結(jié)構(gòu)和第三臺階結(jié)構(gòu)的下臺階階面處的介質(zhì)層上形成PAD。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，其特征在于，所述重?fù)诫s GaAs溝道層為重?fù)诫sN型GaAs溝道層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5X IOw厘米_3 ；所述重?fù)诫sGaAs帽層為重?fù)诫sN型GaAs帽層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為·5 X IO18 厘米 Λ
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)包括第一輕摻雜GaAs調(diào)制層，位于所述第一輕摻雜GaAs調(diào)制層上的第一未摻雜的 GaAs緩沖層，位于所述第一未摻雜的GaAs緩沖層上的未摻雜的AlGaAs勢壘層，位于所述未摻雜的AlGaAs勢壘層上的第二未摻雜的GaAs緩沖層，位于所述第二未摻雜的GaAs緩沖層上的第二輕摻雜GaAs調(diào)制層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢龅谝惠p摻雜GaAs調(diào)制層為第一輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子為Si，摻雜的離子濃度為5Χ IO"5 厘米_3 ；所述第二輕摻雜GaAs調(diào)制層為第二輕摻雜N型GaAs調(diào)制層，摻雜的離子Si，摻雜的離子濃度為5 X IO"5厘米_3。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨芗捌渲苽浞椒ǎ瑢儆谖⒉ㄆ骷凶內(nèi)莨芗夹g(shù)領(lǐng)域。所述變?nèi)莨馨◤闹負(fù)诫sGaAs帽層到GaAs襯底的兩個臺階結(jié)構(gòu)，以及從重?fù)诫sGaAs帽層到重?fù)诫sGaAs溝道層的一個臺階結(jié)構(gòu)，三個臺階結(jié)構(gòu)上覆蓋有介質(zhì)層，介質(zhì)層上設(shè)有引線和PAD。本發(fā)明異質(zhì)結(jié)勢壘變?nèi)莨苤蠵AD處在襯底層與接觸金屬形成臺階上，連接引線采用爬坡形式將PAD與陰陽極分別連接，避免了復(fù)雜的空氣橋結(jié)構(gòu)，制作簡便，易于實(shí)現(xiàn)。
文檔編號H01L21/329GK102468345SQ20101054326
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月15日
發(fā)明者張海英, 楊浩, 田超, 董軍榮, 黃杰 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所