0克濃鹽酸（37%w/w)以及580克水制備蝕刻 劑溶液。&1(：12的最終濃度為約19%，以及鹽酸為6.8%。
[0095] 銀納米線導(dǎo)電膜是根據(jù)本文所述的方法來(lái)進(jìn)行制備的。蝕刻導(dǎo)電膜，并且可觀察 到，兩個(gè)區(qū)域在光學(xué)性能上幾乎沒(méi)有顯示出差別，但是蝕刻區(qū)具有較低的導(dǎo)電性且具有約 20. 000Q/sq的電阻率。
[0096] 示例 5
[0097] 通過(guò)熱蝕刻進(jìn)行低可見(jiàn)性圖案化
[0098] 示例5示出了通過(guò)結(jié)合局部蝕刻步驟和隨后的加熱步驟在導(dǎo)電膜中創(chuàng)建低可見(jiàn) 性圖案。如本文所討論的，加熱通過(guò)進(jìn)一步促使蝕刻區(qū)不導(dǎo)電或低導(dǎo)電完成蝕刻。
[0099] 表1示出了實(shí)際上增加未蝕刻導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性的單獨(dú)的加熱步驟。在試驗(yàn)A和B 中，導(dǎo)電膜（或樣品）分別被加熱五分鐘和三十分鐘，并且其片材電阻率（Rs)分別減少了 5% 和 10%〇
[0100]表 1
[0101]
[0102] 表2示出了在部分蝕刻的樣本上進(jìn)行加熱的效果。在列出的三個(gè)試驗(yàn)中，樣品使 用CuCI2蝕刻劑（如示例18中所述）進(jìn)行化學(xué)蝕刻，直至其片電阻率大致為1000D/sq。然 后其在130°C下被加熱至長(zhǎng)達(dá)五分鐘，但是也可少至一分鐘。在每次試驗(yàn)中，加熱步驟足以 使樣品不導(dǎo)電。換言之，最初由蝕刻過(guò)程造成的納米線網(wǎng)狀物的損壞通過(guò)加熱過(guò)程來(lái)完成。
[0103]表 2
[0104]
[0105] 表3示出了如果初始的化學(xué)蝕刻步驟不充分，即納米線的損壞不充分；即使采 用隨后的加熱步驟，其也難以使樣品不導(dǎo)電。在試驗(yàn)F中，樣品進(jìn)行蝕刻直到其電阻值從 108D/sq改變至120Q/sq。隨后在130°C下加熱一分鐘，而不改變樣品的電阻。在試驗(yàn)G 中，另一個(gè)樣品進(jìn)行蝕刻直到其電阻值從121D/Sq改變至198Q/sq。隨后，在130°C下加熱 至長(zhǎng)達(dá)25分鐘，持續(xù)增加樣本的電阻率；然而，片材電阻未能超過(guò)685D/Sq。這表明，初始 的部分蝕刻是非常重要的，以使得蝕刻區(qū)達(dá)到閾值電阻率（其表示納米結(jié)構(gòu)的損壞程度）， 以便使用加熱步驟來(lái)完成蝕刻。
[0106]表 3
[0107]
[0109] 表4比較了兩個(gè)圖案化樣品的光學(xué)性能：試驗(yàn)I中的樣品進(jìn)行化學(xué)蝕刻（通過(guò)CuCI2蝕刻劑）以使得不導(dǎo)電，而試驗(yàn)H中的樣片部分蝕刻隨后進(jìn)行加熱。
[0110] 在試驗(yàn)H中，初始的局部蝕刻使電阻率從105Q/sq變化至602Q/sq，這足以使隨 后的加熱步驟進(jìn)行樣品不導(dǎo)電。如圖所示，樣品最終的光學(xué)性能幾乎和最初的性能（蝕刻 前）相同，即，霧度（H%)的差異約為0.01%，透射性的差異約為（T%)為0.1%。樣品具 有低可見(jiàn)性圖案。
[0111] 在試驗(yàn)I中，樣品被蝕刻成完全不導(dǎo)電。本文中，雖然蝕刻前后的透射性保持不 變，但是相比于預(yù)蝕刻的霧度值，霧度下降了約〇. 07%。試驗(yàn)I中膜的蝕刻和未蝕刻區(qū)的霧 度之間的較大差異（與試驗(yàn)H相比）使得試驗(yàn)H中的那些蝕刻區(qū)更加可見(jiàn)。
[0112]表 4
[0113]
[0114] 本說(shuō)明書(shū)中涉及的和/或申請(qǐng)數(shù)據(jù)表中列出的所有上述美國(guó)專利、美國(guó)專利申請(qǐng) 公開(kāi)、美國(guó)專利申請(qǐng)、外國(guó)專利、外國(guó)專利申請(qǐng)和非專利出版物，都通過(guò)引用全部并入本文。
[0115] 從上文中可理解的是，雖然在本文中為了說(shuō)明的目的對(duì)【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了描 述，但是在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種圖案化透明導(dǎo)體，包括： 非導(dǎo)電襯底； 第一導(dǎo)電線，位于所述非導(dǎo)電襯底上，所述第一導(dǎo)電線包括第一導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)網(wǎng)狀物 并且具有第一縱向方向； 第二導(dǎo)電線，位于所述非導(dǎo)電襯底上，所述第二導(dǎo)電線包括第二導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)網(wǎng)狀物 并且具有第二縱向方向；以及 絕緣區(qū)，使所述第一導(dǎo)電線與所述第二導(dǎo)電線電隔離，所述絕緣區(qū)具有沿所述第一縱 向方向側(cè)向鄰接所述第一導(dǎo)電線的第一非導(dǎo)電邊界和沿所述第二縱向方向側(cè)向鄰接所述 第二導(dǎo)電線的第二非導(dǎo)電邊界， 其中，所述絕緣區(qū)包括設(shè)置在所述非導(dǎo)電襯底上并通過(guò)非導(dǎo)電間隙彼此電隔離的多個(gè) 導(dǎo)電材料島狀物，每個(gè)導(dǎo)電材料島狀物包括相應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述第一縱向方向和所述第二縱向 方向大致相互平行。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述第一非導(dǎo)電邊界是直的。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述第二非導(dǎo)電邊界是直的。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述第一非導(dǎo)電邊界是不規(guī)則的。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述第二非導(dǎo)電邊界是直的。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述導(dǎo)電材料島狀物為平行四邊形。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述導(dǎo)電材料島狀物為不規(guī)則形狀。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述導(dǎo)電材料島狀物具有位于 0. 1-10平方毫米的范圍或者0. 5-2平方毫米的范圍內(nèi)的表面積。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述非導(dǎo)電間隙、所述第一非導(dǎo)電 邊界和所述第二非導(dǎo)電邊界內(nèi)不存在金屬納米結(jié)構(gòu)。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化透明導(dǎo)體，其中，所述非導(dǎo)電間隙、所述第一非導(dǎo)電 邊界和所述第二非導(dǎo)電邊界具有帶結(jié)構(gòu)缺陷的金屬納米結(jié)構(gòu)，所述缺陷使得所述金屬納米 結(jié)構(gòu)不能形成導(dǎo)電網(wǎng)狀物。12. -種制造具有低可見(jiàn)性圖案的透明導(dǎo)體的方法，所述方法包括： 根據(jù)圖案在非導(dǎo)電襯底上直接印刷涂料組合物，所述涂料組合物具有揮發(fā)性液體載體 和多個(gè)金屬納米結(jié)構(gòu)；以及 去除所述揮發(fā)性液體載體， 其中，所述圖案限定了所述非導(dǎo)電襯底上的具有第一縱向方向的第一導(dǎo)電線；所述非 導(dǎo)電襯底上的具有第二縱向方向的第二導(dǎo)電線；以及使所述第一導(dǎo)電線與所述第二導(dǎo)電線 電隔離的絕緣區(qū)，所述絕緣區(qū)具有沿所述第一縱向方向側(cè)向鄰接所述第一導(dǎo)電線的第一非 導(dǎo)電邊界和沿所述第二縱向方向側(cè)向鄰接所述第二導(dǎo)電線的第二非導(dǎo)電邊界，其中，所述 絕緣區(qū)包括設(shè)置在所述非導(dǎo)電襯底上并且通過(guò)非導(dǎo)電間隙彼此電隔離的多個(gè)導(dǎo)電材料島 狀物，每個(gè)導(dǎo)電材料島狀物包括相應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)，以及其中所述非導(dǎo)電間隙、所述 第一非導(dǎo)電邊界和所述第二非導(dǎo)電邊界不具有任何金屬納米結(jié)構(gòu)。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述非導(dǎo)電間隙、所述第一非導(dǎo)電邊界和所述 第二非導(dǎo)電邊界不具有任何金屬納米結(jié)構(gòu)。14. 一種制造具有低可見(jiàn)性圖案的透明導(dǎo)體的方法，所述方法包括： 在非導(dǎo)電襯底上涂覆涂料組合物，所述涂料組合物具有揮發(fā)性液體載體和多個(gè)金屬納 米結(jié)構(gòu)； 去除所述揮發(fā)性液體載體，以提供金屬納米結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電網(wǎng)狀物；以及 根據(jù)圖案蝕刻所述導(dǎo)電網(wǎng)狀物，其中，所述圖案限定了所述非導(dǎo)電襯底上的具有第一 縱向方向的第一導(dǎo)電線；所述非導(dǎo)電襯底上的具有第二縱向方向的第二導(dǎo)電線，以及使所 述第一導(dǎo)電線與所述第二導(dǎo)電線電絕緣的絕緣區(qū)，所述絕緣區(qū)具有沿所述第一縱向方向側(cè) 向鄰接所述第一導(dǎo)電線的第一非導(dǎo)電邊界和沿所述第二縱向方向側(cè)向鄰接所述第二導(dǎo)電 線的第二非導(dǎo)電邊界，其中所述絕緣區(qū)包括設(shè)置在所述非導(dǎo)電襯底上的多個(gè)導(dǎo)電材料島狀 物，每個(gè)導(dǎo)電材料島狀物包括相應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述蝕刻完全去除所述非導(dǎo)電間隙、所述第一 非導(dǎo)電邊界和所述第二非導(dǎo)電邊界內(nèi)的所有所述金屬納米結(jié)構(gòu)。16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述蝕刻局部蝕刻所述非導(dǎo)電間隙、所述第一 非導(dǎo)電邊界和所述第二非導(dǎo)電邊界內(nèi)的所述金屬納米結(jié)構(gòu)，從而造成結(jié)構(gòu)缺陷。
【專利摘要】本發(fā)明描述了包括涂覆在襯底上的導(dǎo)電層的圖案化透明導(dǎo)體。更具體地，透明導(dǎo)體具有低可見(jiàn)性圖案。
【IPC分類】H01B1/22
【公開(kāi)號(hào)】CN104969303
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380070551
【發(fā)明人】杰弗瑞·沃克, 邁克爾·R·科納珀
【申請(qǐng)人】凱博瑞奧斯技術(shù)公司
【公開(kāi)日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2013年12月6日
【公告號(hào)】EP2929543A1, US8957322, US20140158400, WO2014089491A1