并咪唑:9g/L(濃度);醋酸:3g/L (濃度)。
[0030]G、最后進(jìn)行水洗和烘干，烘干的溫度130°C，時(shí)間20S。
[0031]此外，為了保證每個(gè)步驟處理后不影響下一個(gè)步驟的操作產(chǎn)生藥水相互污染和干擾，步驟A、B、C、D、E、F之后進(jìn)行水洗的步驟，在去離子水中清洗1S左右，同時(shí)，將殘留在基體表面的去離子水去除干凈，進(jìn)入烘干機(jī)烘干，以確?；w表面的鍍層干燥潔凈。
[0032]實(shí)施例2
A、進(jìn)行超聲波除油:將功率半導(dǎo)體引線框架引導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進(jìn)行超聲波除油，利用聲波振動(dòng)使表面覆著的油污疏松脫落，以除去基體表面在沖壓時(shí)殘留的油脂。超聲波脫脂劑溫度為55°C (攝氏度)，超聲波脫脂劑溶度為55g/L (克每升)，超聲波除油時(shí)間15S(秒
[0033]B、進(jìn)行電解除油:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電解除油劑中進(jìn)行電解除油，利用電解時(shí)表面析出氫氣使表面覆著的油污脫落，以除去基體表面在沖壓時(shí)殘留的油脂。溫度為50°C，電解除油劑的濃度為55g/L，時(shí)間16S。
[0034]C、進(jìn)行硫酸中和活化:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進(jìn)行酸洗，以中和除去基體表面堿性物質(zhì)并對基體表面的氧化層進(jìn)行還原反應(yīng)。硫酸溶液濃度是3g/L，酸洗時(shí)間是8S。
[0035]D、進(jìn)行電鍍銅:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電鍍液中進(jìn)行電鍍銅，所述電鍍液各組份的含量具體是:氰化亞銅35g/L (濃度)、氫氧化鉀5g/L (濃度)，電鍍液溫度40°C，電鍍時(shí)間是15S，電鍍電流密度是5安培/平方分米，溶液連續(xù)過濾。
[0036]E、進(jìn)行硫酸中和:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進(jìn)行酸洗，以中和除去在鍍銅時(shí)殘留在表面的物質(zhì)。硫酸溶液濃度是0.5g/L，酸洗時(shí)間是10S。
[0037]F、進(jìn)行銅保護(hù):將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入保護(hù)液中浸泡附上銅保護(hù)膜，保護(hù)液的PH為5，溫度為25°C，浸泡時(shí)間是15S，保護(hù)液的成分:烷基苯并咪唑:10g/L (濃度)；醋酸:lg/L (濃度)。
[0038]G、最后進(jìn)行水洗和烘干，烘干的溫度120°C，時(shí)間25S。
[0039]此外，為了保證每個(gè)步驟處理后不影響下一個(gè)步驟的操作產(chǎn)生藥水相互污染和干擾，步驟A、B、C、D、E、F之后進(jìn)行水洗的步驟，在去離子水中清洗1S左右，同時(shí)，將殘留在基體表面的去離子水去除干凈，進(jìn)入烘干機(jī)烘干，以確保基體表面的鍍層干燥潔凈。
[0040]實(shí)施例3
A、進(jìn)行超聲波除油:將功率半導(dǎo)體引線框架引導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進(jìn)行超聲波除油，利用聲波振動(dòng)使表面覆著的油污疏松脫落，以除去基體表面在沖壓時(shí)殘留的油脂。超聲波脫脂劑溫度為60°C (攝氏度)，超聲波脫脂劑溶度為60g/L (克每升)，超聲波除油時(shí)間20S(秒
[0041]B、進(jìn)行電解除油:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電解除油劑中進(jìn)行電解除油，利用電解時(shí)表面析出氫氣使表面覆著的油污脫落，以除去基體表面在沖壓時(shí)殘留的油脂。溫度為55°C，電解除油劑的濃度為58g/L，時(shí)間16S。
[0042]C、進(jìn)行硫酸中和活化:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進(jìn)行酸洗，以中和除去基體表面堿性物質(zhì)并對基體表面的氧化層進(jìn)行還原反應(yīng)。硫酸溶液濃度是3g/L，酸洗時(shí)間是15S。
[0043]D、進(jìn)行電鍍銅:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電鍍液中進(jìn)行電鍍銅，所述電鍍液各組份的含量具體是:氰化亞銅45g/L、氫氧化鉀15g/L，電鍍液溫度42 °C，電鍍時(shí)間是16S，電鍍電流密度是6安培/平方分米，溶液連續(xù)過濾。
[0044]E、進(jìn)行硫酸中和:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進(jìn)行酸洗，以中和除去在鍍銅時(shí)殘留在表面的物質(zhì)。硫酸溶液濃度是1.2g/L，酸洗時(shí)間是9S。
[0045]F、進(jìn)行銅保護(hù):將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入保護(hù)液中浸泡附上銅保護(hù)膜，保護(hù)液的PH為7，溫度為35°C，浸泡時(shí)間是12S，保護(hù)液的成分:烷基苯并咪唑:13g/L (濃度)；醋酸:2g/L (濃度)。
[0046]G、最后進(jìn)行水洗和烘干，烘干的溫度125°C，時(shí)間22S。
[0047]此外，為了保證每個(gè)步驟處理后不影響下一個(gè)步驟的操作產(chǎn)生藥水相互污染和干擾，步驟A、B、C、D、E、F之后進(jìn)行水洗的步驟，在去離子水中清洗1S左右，同時(shí)，將殘留在基體表面的去離子水去除干凈，進(jìn)入烘干機(jī)烘干，以確保基體表面的鍍層干燥潔凈。
[0048]實(shí)施例4
A、進(jìn)行超聲波除油:將功率半導(dǎo)體引線框架引導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進(jìn)行超聲波除油，利用聲波振動(dòng)使表面覆著的油污疏松脫落，以除去基體表面在沖壓時(shí)殘留的油脂。超聲波脫脂劑溫度為50°C (攝氏度)，超聲波脫脂劑溶度為60g/L (克每升)，超聲波除油時(shí)間17S(秒
[0049]B、進(jìn)行電解除油:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電解除油劑中進(jìn)行電解除油，利用電解時(shí)表面析出氫氣使表面覆著的油污脫落，以除去基體表面在沖壓時(shí)殘留的油脂。溫度為60°C，電解除油劑的濃度為55g/L，時(shí)間18S。
[0050]C、進(jìn)行硫酸中和活化:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進(jìn)行酸洗，以中和除去基體表面堿性物質(zhì)并對基體表面的氧化層進(jìn)行還原反應(yīng)。硫酸溶液濃度是4g/L，酸洗時(shí)間是11S。
[0051]D、進(jìn)行電鍍銅:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電鍍液中進(jìn)行電鍍銅，所述電鍍液各組份的含量具體是:氰化亞銅32g/L、氫氧化鉀14g/L，電鍍液溫度45 °C，電鍍時(shí)間是18S，電鍍電流密度是3安培/平方分米，溶液連續(xù)過濾。
[0052]E、進(jìn)行硫酸中和:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進(jìn)行酸洗，以中和除去在鍍銅時(shí)殘留在表面的物質(zhì)。硫酸溶液濃度是1.4g/L，酸洗時(shí)間是9S。
[0053]F、進(jìn)行銅保護(hù):將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入保護(hù)液中浸泡附上銅保護(hù)膜，保護(hù)液的PH為7，溫度為40°C，浸泡時(shí)間是20S，保護(hù)液的成分:烷基苯并咪唑:15g/L (濃度)；醋酸:2.5g/L (濃度)。
[0054]G、最后進(jìn)行水洗和烘干，烘干的溫度125°C，時(shí)間25S。
[0055]此外，為了保證每個(gè)步驟處理后不影響下一個(gè)步驟的操作產(chǎn)生藥水相互污染和干擾，步驟A、B、C、D、E、F之后進(jìn)行水洗的步驟，在去離子水中清洗1S左右，同時(shí)，將殘留在基體表面的去離子水去除干凈，進(jìn)入烘干機(jī)烘干，以確?；w表面的鍍層干燥潔凈。
[0056]本發(fā)明提到的g/L均是指濃度單位。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，其特征在于:依次包括超聲波除油、電解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、電鍍銅、水洗、酸中和、水洗、銅保護(hù)、水洗、熱水洗和烘干，所述銅保護(hù)的具體工藝要求為:將半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入保護(hù)液中浸泡已達(dá)到附上銅保護(hù)膜的目的，所述保護(hù)液的pH為5?7，溫度為20?40°C，浸泡時(shí)間為10?20S，所述保護(hù)液包括如下成分: 烷基苯并咪唑:9?15g/L ； 醋酸:1?3g/Lo2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，其特征在于:所述超聲波除油的具體工藝要求為:將半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進(jìn)行超聲波除油，超聲波脫脂劑的溫度為50?60°C，超聲波脫脂劑濃度為50?60g/L，超聲波除油時(shí)間為10?20S。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，其特征在于:所述電解除油的具體工藝要求為:將半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電解除油劑中進(jìn)行電解除油，電解除油劑的溫度為50?60°C，電解除油劑的濃度為50?60g/L，電解除油時(shí)間為10?20S。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，其特征在于:所述硫酸中和活化的具體工藝要求為:將半導(dǎo)體引線框架硫酸溶液中進(jìn)行酸洗，硫酸溶液濃度為3?7g/L，酸洗時(shí)間為5?15S。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，其特征在于:所述電鍍銅的具體工藝要求為:將半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電鍍液中進(jìn)行電鍍銅，電鍍液溫度為40?60°C，電鍍時(shí)間為10?20S，電鍍液電流密度為4?6安培/平方分米，所述電鍍液包括如下成分: 氰化亞銅:30g?50/L ； 氫氧化鉀:5?15g/L。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，其特征在于:所述酸中和的具體工藝要求為:將半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進(jìn)行中和，硫酸溶液濃度為0.5?1.5g/L，中和時(shí)間為6?1S07.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，其特征在于:所述烘干的具體工藝要求為:烘干的溫度120?140°C，時(shí)間為15?25S。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體引線框架的表面處理方法，依次包括超聲波除油、電解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、電鍍銅、水洗、酸中和、水洗、銅保護(hù)、水洗、熱水洗和烘干，所述銅保護(hù)的具體工藝要求為：將半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入保護(hù)液中浸泡已達(dá)到附上銅保護(hù)膜的目的，所述保護(hù)液的pH為5～7，溫度為20～40℃，浸泡時(shí)間為10～20S，所述保護(hù)液包括如下成分：烷基苯并咪唑：9～15g/L；醋酸1～3g/L。本發(fā)明在銅表面層設(shè)置有一層有機(jī)保護(hù)層來代替隔膜層，并且在沾錫和焊鋁線時(shí)，本保護(hù)層自然消除，達(dá)到保護(hù)又不影響焊接效果的作用。
【IPC分類】C23C28/00, C25D3/38, H01L21/48, C25D5/34, C25D5/48, C25D7/12
【公開號(hào)】CN104900536
【申請?zhí)枴緾N201510167944
【發(fā)明人】王鋒濤, 李南生, 黃斌, 夏超華
【申請人】四川金灣電子有限責(zé)任公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年4月10日