燥和固化處理，具體包括:
[0074]將涂布有光刻膠的襯底基板置于真空烤箱，以60?80°的溫度烘烤60?90秒使光刻膠干燥后，以150?170°的溫度烘烤10?18分鐘使光刻膠固化。
[0075]404、依次通過(guò)曝光和顯影工藝使納米銀線薄膜和光刻膠形成OLED器件的陽(yáng)極的圖案。
[0076]405、清洗殘余的光刻膠使陽(yáng)極暴露，通過(guò)干燥工藝使陽(yáng)極干燥。
[0077]優(yōu)選的，還包括:
[0078]407、在陽(yáng)極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層。本實(shí)施例中，通過(guò)在陽(yáng)極之上設(shè)置保護(hù)層，使包括納米銀線材料的陽(yáng)極不易被氧化，提高OLED器件的穩(wěn)定性。
[0079]優(yōu)選的，導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
[0080]優(yōu)選的，在陽(yáng)極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層之前，還包括:
[0081]406、以離子液體對(duì)導(dǎo)電聚合物材料進(jìn)行溶液化處理；其中，離子液體包括1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸鹽液體、氯化1- 丁基-3-甲基咪唑鹽液體中的至少一種。
[0082]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:OLED器件的陽(yáng)極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于ITO，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED的陽(yáng)極相對(duì)于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽(yáng)極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0083]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED器件，包括形成于襯底基板上的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，所述陽(yáng)極包括納米銀線材料。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層形成于所述陽(yáng)極之上，所述保護(hù)層包括導(dǎo)電聚合物材料。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
4.一種顯示基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的OLED器件。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求4所述的顯示基板。
6.一種OLED器件的制備方法，其特征在于，包括: 通過(guò)打印或印刷工藝在襯底基板上形成包括陽(yáng)極圖案的納米銀線薄膜； 依次通過(guò)真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，并形成所述OLED器件的陽(yáng)極。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述依次通過(guò)真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括: 將形成有所述納米銀線薄膜的所述襯底基板置于真空烤箱，以20?50°C的溫度烘烤30秒?30分鐘使所述納米銀線薄膜干燥后，以80?250°C的溫度烘烤15?60分鐘使所述納米銀線薄膜固化。
8.如權(quán)利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，還包括在所述陽(yáng)極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在所述陽(yáng)極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層之前，以離子液體對(duì)導(dǎo)電聚合物材料進(jìn)行溶液化處理；其中，所述離子液體包括1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸鹽液體、氯化1- 丁基-3-甲基咪唑鹽液體中的至少一種。
11.一種OLED器件的制備方法，其特征在于，包括: 通過(guò)涂布工藝在襯底基板上形成納米銀線薄膜； 依次通過(guò)真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理； 在固化后的所述納米銀線薄膜上涂布光刻膠，依次通過(guò)真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)對(duì)所述光刻膠進(jìn)行干燥和固化處理； 依次通過(guò)曝光和顯影工藝使所述納米銀線薄膜和所述光刻膠形成所述OLED器件的陽(yáng)極的圖案； 清洗殘余的所述光刻膠使所述陽(yáng)極暴露，通過(guò)干燥工藝使所述陽(yáng)極干燥。
12.如權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述依次通過(guò)真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括: 將形成有所述納米銀線薄膜的所述襯底基板置于真空烤箱，以20?50°C的溫度烘烤30秒?30分鐘使所述納米銀線薄膜干燥后，以80?250攝氏度的溫度烘烤15?60分鐘使所述納米銀線薄膜固化。
13.如權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述依次通過(guò)真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)對(duì)所述光刻膠進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括: 將涂布有所述光刻膠的所述襯底基板置于真空烤箱，以60?80°的溫度烘烤60?90秒使所述光刻膠干燥后，以150?170°的溫度烘烤10?18分鐘使所述光刻膠固化。
14.如權(quán)利要求11至13任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，還包括在所述陽(yáng)極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層。
15.如權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
16.如權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述在所述陽(yáng)極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層之前，以離子液體對(duì)導(dǎo)電聚合物材料進(jìn)行溶液化處理；其中，所述離子液體包括1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸鹽液體、氯化1- 丁基-3-甲基咪唑鹽液體中的至少一種。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種OLED器件及其制備方法、顯示基板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，OLED器件的陽(yáng)極和襯底基板之間具有較高的微腔效應(yīng)，使得OLED器件對(duì)光的轉(zhuǎn)換效率較低，導(dǎo)致OLED器件出射的光強(qiáng)度低的問(wèn)題。該OLED器件，包括形成于襯底基板上的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽(yáng)極的材料為納米銀線材料。OLED器件的制備方法，包括：通過(guò)打印或印刷工藝在襯底基板上形成包括陽(yáng)極圖案的納米銀線薄膜，依次通過(guò)真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理后形成OLED器件的陽(yáng)極；或者，在襯底基板上涂布納米銀線薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成OLED器件的陽(yáng)極。
【IPC分類(lèi)】H01L51-54, H01L51-56, H01L27-32, H01L51-52
【公開(kāi)號(hào)】CN104576968
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510069596
【發(fā)明人】楊久霞, 劉建濤, 白峰
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2015年2月10日