應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了所述OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
【附圖說明】
[0036]圖1為本發(fā)明實施例提供的OELD器件和現(xiàn)有技術(shù)OLED的光譜示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明實施例提供的頂發(fā)光型的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種OLED器件的制備方法的流程圖；
[0039]圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種OLED器件的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0040]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例的實現(xiàn)過程進(jìn)行詳細(xì)說明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0041]為了使OLED器件具有較低的微腔效應(yīng)，提高OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度，本發(fā)明實施例提供一種OLED器件，該OLED器件包括包括形成于襯底基板上的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽極包括納米銀線材料。納米銀線材料的折射率低于ΙΤ0，可降低陽極與其他層的交界面處發(fā)生干涉的強(qiáng)度，從而降低微腔效應(yīng)，提高OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。當(dāng)然，本發(fā)明實施例提供的OLED器件可以是頂發(fā)光型，也可以為底發(fā)光型，也可以為雙面發(fā)光型，在此不作限制。圖1示出的本發(fā)明實施例提供的OELD器件和現(xiàn)有技術(shù)OLED的光譜不意圖，其中，橫坐標(biāo)X表不光的波長，縱坐標(biāo)Y表不光強(qiáng)度，曲線1001為本發(fā)明實施例提供OLED器件的光譜曲線，曲線1002為采用ITO制備陽極的OLED器件的光譜曲線，顯然，經(jīng)與標(biāo)準(zhǔn)的光譜曲線對照，曲線1001更接近于標(biāo)準(zhǔn)光譜曲線。需要說明的是，采用納米銀線材料制備陽極的OLED器件，無論頂發(fā)光型、底發(fā)光型或雙面發(fā)光的OLED器件的光譜均可以參考圖1所示，在此不再贅述。
[0042]實施例一
[0043]為了更清楚的對本發(fā)明實施例提供的OLED器件進(jìn)行描述，圖2所示的頂發(fā)光型的OLED器件為例進(jìn)行說明，該OLED器件，包括形成于襯底基板I上的陽極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、有機(jī)發(fā)光層5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8，陽極2包括納米銀線材料。本發(fā)明實施例中，OLED器件的陽極2包括納米銀線材料，納米銀線材料的折射率低于ΙΤ0，可降低陽極2與其他層(例如襯底基板或空穴注入層3)的交界面處發(fā)生干涉的強(qiáng)度，從而降低微腔效應(yīng)，提高OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0044]為了使包括納米銀線材料的陽極2不易被氧化，提高OLED器件的穩(wěn)定性，優(yōu)選的，OLED器件還包括保護(hù)層9，保護(hù)層9形成于陽極2之上，保護(hù)層9包括導(dǎo)電聚合物材料。本發(fā)明實施例中，對包括納米銀線材料的陽極2設(shè)置保護(hù)層9，以實現(xiàn)陽極2的穩(wěn)定化處理。
[0045]優(yōu)選的，導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
[0046]本發(fā)明實施例有益效果如下:0LED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于ΙΤ0，因此本發(fā)明實施例提供的OLED的陽極相對于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0047]實施二
[0048]本發(fā)明實施例提供一種顯示基板，包括如上實施例提供的OLED器件。
[0049]本發(fā)明實施例有益效果如下:0LED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于ΙΤ0，因此本發(fā)明實施例提供的OLED的陽極相對于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0050]實施三
[0051]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上實施例提供的顯示基板。
[0052]本發(fā)明實施例有益效果如下:0LED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于ΙΤ0，因此本發(fā)明實施例提供的OLED的陽極相對于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0053]對于本發(fā)明實施例提供的OLED器件，可以采用不同的方式制備，尤其是包括納米銀線材料的陽極，可以采用打印工藝結(jié)合真空烘烤工藝和堅膜工藝完成，也可以采用印刷工藝結(jié)合真空烘烤工藝和堅膜工藝完成，或者采用涂布工藝、真空烘烤工藝、堅膜工藝和構(gòu)圖工藝完成，具體如下:
[0054]實施例四
[0055]參見圖3，本發(fā)明實施例提供的一種OLED器件的制備方法，包括:
[0056]301、通過打印或印刷工藝在襯底基板上形成包括陽極圖案的納米銀線薄膜。
[0057]302、依次通過真空烘烤工藝和堅膜工藝對納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，并形成OLED器件的陽極。
[0058]優(yōu)選的，依次通過真空烘烤工藝和堅膜工藝對納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括:
[0059]將形成有納米銀線薄膜的襯底基板置于真空烤箱，以20?50°C的溫度烘烤30秒?30分鐘使納米銀線薄膜干燥后，以80?250°C的溫度烘烤15?60分鐘使納米銀線薄膜固化。
[0060]優(yōu)選的，還包括:
[0061]304、在陽極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層。本實施例中，通過在陽極之上設(shè)置保護(hù)層，使包括納米銀線材料的陽極不易被氧化，提高OLED器件的穩(wěn)定性。
[0062]優(yōu)選的，導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
[0063]優(yōu)選的，在陽極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層之前，包括:
[0064]303、以離子液體對導(dǎo)電聚合物材料進(jìn)行溶液化處理；其中，離子液體包括1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸鹽液體、氯化1- 丁基-3-甲基咪唑鹽液體中的至少一種。
[0065]本發(fā)明實施例有益效果如下:OLED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于ITO，因此本發(fā)明實施例提供的OLED的陽極相對于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0066]實施例五
[0067]參見圖4，本發(fā)明實施例提供另一種OLED器件的制備方法，包括:
[0068]401、通過涂布工藝在襯底基板上形成納米銀線薄膜。
[0069]402、依次通過真空烘烤工藝和堅膜工藝對納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理。
[0070]優(yōu)選的，依次通過真空烘烤工藝和堅膜工藝對納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括:
[0071]將形成有納米銀線薄膜的襯底基板置于真空烤箱，以20?50°C的溫度烘烤30秒?30分鐘使納米銀線薄膜干燥后，以80?250°C的溫度烘烤15?60分鐘使納米銀線薄膜固化。
[0072]403、在固化后的納米銀線薄膜上涂布光刻膠，依次通過真空烘烤工藝和堅膜工藝對對光刻膠進(jìn)行干燥和固化處理。
[0073]優(yōu)選的，依次通過真空烘烤工藝和堅膜工藝對對光刻膠進(jìn)行干