一種oled器件及其制備方法、顯示基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED器件及其制備方法、顯示基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)顯示技術(shù)的發(fā)展，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，OLED)已經(jīng)廣泛應(yīng)于顯示領(lǐng)域。較常見的用于顯示的OLED器件通常包括襯底基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽極一般采用ITO制備。由于所述陽極和襯底基板之間存在微腔結(jié)構(gòu)，而ITO制備的所述陽極與襯底基板之間存在較高的微腔效應(yīng)，使得OLED器件對(duì)光的轉(zhuǎn)換效率較低，導(dǎo)致OLED器件出射的光強(qiáng)度低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種OLED器件及其制備方法、顯示基板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，OLED器件的陽極和襯底基板之間具有較高的微腔效應(yīng)，使得OLED器件對(duì)光的轉(zhuǎn)換效率較低，導(dǎo)致OLED器件出射的光強(qiáng)度低的問題。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED器件，包括形成于襯底基板上的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽極包括納米銀線材料。本發(fā)明實(shí)施例中，所述OLED器件的陽極包括納米銀線材料，納米銀線材料的折射率低于ΙΤ0，可降低所述陽極與其他層的交界面處發(fā)生干涉的強(qiáng)度，從而降低微腔效應(yīng)，提高所述OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0006]優(yōu)選的，所述OLED器件還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層形成于所述陽極之上，所述保護(hù)層包括導(dǎo)電聚合物材料。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)包括納米銀線材料的所述陽極設(shè)置保護(hù)層，以實(shí)現(xiàn)所述陽極的穩(wěn)定化處理，使包括納米銀線材料的所述陽極不易被氧化，提高所述OLED器件的穩(wěn)定性。
[0007]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述OLED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于Ι??，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的所述OLED的陽極相對(duì)于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了所述OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板，包括如上實(shí)施例提供的所述OLED器件。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述OLED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于Ι??，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的所述OLED的陽極相對(duì)于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了所述OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上實(shí)施例提供的所述顯示基板。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述OLED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于Ι??，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的所述OLED的陽極相對(duì)于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了所述OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例一種OLED器件的制備方法，包括:
[0014]通過打印或印刷工藝在襯底基板上形成包括陽極圖案的納米銀線薄膜；
[0015]依次通過真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，并形成所述OLED器件的陽極。
[0016]優(yōu)選的，所述依次通過真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括:
[0017]將形成有所述納米銀線薄膜的所述襯底基板置于真空烤箱，以20?50°C的溫度烘烤30秒?30分鐘使所述納米銀線薄膜干燥后，以80?250°C的溫度烘烤15?60分鐘使所述納米銀線薄膜固化。
[0018]優(yōu)選的，還包括在所述陽極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層。
[0019]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
[0020]優(yōu)選的，所述在所述陽極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層之前，以離子液體對(duì)導(dǎo)電聚合物材料進(jìn)行溶液化處理；其中，所述離子液體包括1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽液體、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸鹽液體、氯化1- 丁基-3-甲基咪唑鹽液體中的至少一種。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述OLED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于Ι??，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的所述OLED的陽極相對(duì)于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相應(yīng)的微腔效應(yīng)降低，從而提高了所述OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供另一種OLED器件的制備方法，包括:
[0023]通過涂布工藝在襯底基板上形成納米銀線薄膜；
[0024]依次通過真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理；
[0025]在固化后的所述納米銀線薄膜上涂布光刻膠，依次通過真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)對(duì)所述光刻膠進(jìn)行干燥和固化處理；
[0026]依次通過曝光和顯影工藝使所述納米銀線薄膜和所述光刻膠形成所述OLED器件的陽極的圖案；
[0027]清洗殘余的所述光刻膠使所述陽極暴露，通過干燥工藝使所述陽極干燥。
[0028]優(yōu)選的，所述依次通過真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)所述納米銀線薄膜進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括:
[0029]將形成有所述納米銀線薄膜的所述襯底基板置于真空烤箱，以20?50°C的溫度烘烤30秒?30分鐘使所述納米銀線薄膜干燥后，以80?250°C的溫度烘烤15?60分鐘使所述納米銀線薄膜固化。
[0030]優(yōu)選的，所述依次通過真空烘烤工藝和堅(jiān)膜工藝對(duì)對(duì)所述光刻膠進(jìn)行干燥和固化處理，具體包括:
[0031]將涂布有所述光刻膠的所述襯底基板置于真空烤箱，以60?80°的溫度烘烤60?90秒使所述光刻膠干燥后，以150?170°的溫度烘烤10?18分鐘使所述光刻膠固化。
[0032]優(yōu)選的，還包括在所述陽極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層。
[0033]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙炔、聚雙炔中的至少一種。
[0034]優(yōu)選的，所述在所述陽極上涂布包括導(dǎo)電聚合物材料的保護(hù)層之前，以離子液體對(duì)導(dǎo)電聚合物材料進(jìn)行溶液化處理；其中，所述離子液體包括1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1- 丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽液體、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽液體、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸鹽液體、氯化1- 丁基-3-甲基咪唑鹽液體中的至少一種。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述OLED器件的陽極包括納米銀線材料，由于納米銀線材料的折射率低于Ι??，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的所述OLED的陽極相對(duì)于現(xiàn)在技術(shù)中的ITO制備的陽極，在與其他層的交界面處發(fā)生干涉的程度降低，相