Oled顯示器件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light Emitting Display，0LED)顯示器件具有自發(fā) 光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍 寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示 裝置。
[0003] OLED顯示器件屬于自發(fā)光型顯示設(shè)備，通常包括分別用作陽極、與陰極的像素電 極、和公共電極、以及設(shè)在像素電極與公共電極之間的有機(jī)發(fā)光層，使得在適當(dāng)?shù)碾妷罕皇?加于陽極與陰極時，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)光。有機(jī)發(fā)光層包括了設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于 空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè) 于電子傳輸層上的電子注入層，其發(fā)光機(jī)理為在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極 和陽極注入到電子注入層和空穴注入層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層迀 移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可 見光。
[0004] 雖然OLED顯示器件已經(jīng)實現(xiàn)了商業(yè)生產(chǎn)，但其發(fā)光效率還有較大的提升空間。在 現(xiàn)有技術(shù)中，OLED顯示器件的電子傳輸層和空穴傳輸層均為有機(jī)層。而通常電子傳輸層的 電子迀移率遠(yuǎn)低于空穴傳輸層的空穴迀移率，導(dǎo)致OLED顯示器件內(nèi)部載流子的傳輸不平 衡，進(jìn)而降低OLED顯示器件的發(fā)光效率。
[0005] 有機(jī)金屬鹵化物f丐鈦礦材料(Organometal halide perovskites)被認(rèn)為是具有 卓越光電性能的半導(dǎo)體材料，其具有很長的載流子擴(kuò)散長度（高達(dá)Ιμπι)、高載流子迀移率 (約10cm 2/Vs)，兼具無機(jī)半導(dǎo)體的光電特性及有機(jī)材料的低溫成膜優(yōu)點，非常適合低成本、 大面積及柔性基底器件的工業(yè)化生產(chǎn)。
[0006] 然而，目前技術(shù)制備高質(zhì)量的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜還相對困難，因此，有必 要研發(fā)一種新的，結(jié)合有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料，制作工藝較簡單、穩(wěn)定性高、成膜質(zhì)量 好、載流子注入傳輸平衡的OLED顯示器件結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示器件，能夠提高OLED顯示器件的發(fā)光效率， 提升OLED顯示器件的性能。
[0008] 本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示器件的制作方法，能夠簡單快捷的制作成 膜制量好、載流子注入傳輸平衡、且發(fā)光效率高的OLED顯示器件。
[0009] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種OLED顯示器件，包括:基板、形成于所述基板 上的陽極、形成于所述陽極上的空穴注入層、形成于所述空穴注入層上的空穴傳輸層、形成 于所述空穴傳輸層上的發(fā)光層、形成于所述發(fā)光層上的空穴阻擋層、形成于所述空穴阻擋 層上的電子傳輸層、形成于所述電子傳輸層上的電子注入層、形成于所述電子注入層上的 陰極、與所述基板相對設(shè)置的覆蓋所述基板的蓋板、及設(shè)于所述基板邊緣與所述蓋板之間 的封裝膠材；
[0010]所述電子傳輸層的材料為有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物|丐鈦礦材料的混 合物。
[0011]所述有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物|丐鈦礦材料的混合物中，有機(jī)電子傳輸 材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料混合質(zhì)量比為I :〇.5至1:50。
[0012 ]所述有機(jī)電子傳輸材料為金屬配合物材料、或咪唑類電子傳輸材料。
[0013]所述機(jī)金屬劍七物媽鈦礦材料的結(jié)構(gòu)式為:CH3NH3PbA 3,其中A為氯元素、溴元素、 及碘元素中的一種或多種的組合。
[0014] 所述電子傳輸層的膜厚為IOnm至IOOnm之間。
[0015]本發(fā)明還提供一種OLED顯示器件的制作方法，包括如下步驟：
[0016] 步驟1、提供一基板，在所述基板上自下而上依次形成陽極、空穴注入層、空穴傳輸 層、發(fā)光層、及空穴阻擋層；
[0017] 步驟2、提供有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物，利用有機(jī) 電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物在所述空穴阻擋層上形成電子傳輸 層；
[0018] 步驟3、在所述電子傳輸層上形成電子注入層，在電子注入層上形成陰極；
[0019]步驟4、在所述基板的邊緣上涂布封裝膠，形成一圈封裝膠材，提供蓋板，用所述蓋 板覆蓋所述基板并通過封裝膠材與所述基板貼合，所述蓋板與所述基板相對設(shè)置。
[0020]所述有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物|丐鈦礦材料的混合物中，有機(jī)電子傳輸 材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料混合質(zhì)量比為I :〇.5至1:50。
[0021 ]所述有機(jī)電子傳輸材料為金屬配合物材料、或咪挫類電子傳輸材料。
[0022]所述機(jī)金屬劍七物鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)式為:CH3NH3PbA3,其中A為氯元素、溴元素、 及碘元素中的一種或多種的組合。
[0023]所述步驟2中采用濕法成膜工藝形成所述電子傳輸層，膜厚為IOnm至IOOnm之間。 [0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種OLED顯示器件，包括:基板、形成于所述基 板上的陽極、形成于所述陽極上的空穴注入層、形成于所述空穴注入層上的空穴傳輸層、形 成于所述空穴傳輸層上的發(fā)光層、形成于所述發(fā)光層上的空穴阻擋層、形成于所述空穴阻 擋層上的電子傳輸層、形成于所述電子傳輸層上的電子注入層、形成于所述電子注入層上 的陰極、與所述基板相對設(shè)置的覆蓋所述基板的蓋板、及設(shè)于所述基板邊緣與所述蓋板之 間的封裝膠材;其中，所述電子傳輸層的材料為有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦 礦材料的混合物，通過采用有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物來制 作電子傳輸層，能夠增強(qiáng)電子傳輸層的電子迀移率，平衡OLED顯示器件的載流子注入傳輸， 提升OLED顯示器件的發(fā)光效率，同時降低成膜難度，提高成膜質(zhì)量，保證OLED顯示器件的穩(wěn) 定性。本發(fā)明還提供一種OLED顯示器件的制作方法，能夠簡單快捷的制作成膜制量好、載流 子注入傳輸平衡、且發(fā)光效率高的OLED顯示器件。
【附圖說明】
[0025] 為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì) 說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0026] 附圖中，
[0027]圖1為本發(fā)明的OLED顯示器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖2為本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0029]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施 例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0030] 請參閱圖1，本發(fā)明提供一種OLED顯示器件，包括:基板10、形成于所述基板10上的 陽極20、形成于所述陽極20上的空穴注入層30、形成于所述空穴注入層30上的空穴傳輸層 40、形成于所述空穴傳輸層40上的發(fā)光層50、設(shè)于所述發(fā)光層50上的空穴阻擋層60、形成于 所述空穴阻擋層60上的電子傳輸層70、形成于所述電子傳輸層70上的電子注入層80、形成 于所述電子注入層80上的陰極90、與所述基板10相對設(shè)置的覆蓋所述基板10的蓋板100、及 設(shè)于所述基板10的邊緣與蓋板100之間的封裝膠材110;
[0031] 所述電子傳輸層70的材料為有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的 混合物。
[0032] 具體地，所述有機(jī)電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物中，有機(jī) 電子傳輸材料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料混合質(zhì)量比為I :〇.5至1:50。所述有機(jī)電子傳 輸材料可選擇金屬配合物材料(如8_羥基喹啉錯（tris(8-quinolinolato)aluminum，Alq3) 等）、或者選擇咪唑類電子傳輸材料(如1，3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯（1，3,5_ Tris( l-phenyl-lH-benzimidazol-2-yl )benzene，TPBi)等）。所述有機(jī)金屬鹵化物鈣欽礦 材料的結(jié)構(gòu)式為:CH3NH3PbA 3,其中A為氯元素、溴元素、及碘元素中的一種或多種的組合。所 述電子傳輸層70采用濕法成膜工藝制備，其膜厚為IOnm至IOOnm之間。采用有機(jī)電子傳輸材 料與有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物來制作電子傳輸層70相比于單一有機(jī)電子傳輸 材料能夠增強(qiáng)電子傳輸層的電子迀移率，平衡OLED顯示器件的載流子注入傳輸，相比于單 一有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料又能夠降低成膜難度，提高成膜質(zhì)量，保證OLED顯示器件的 穩(wěn)定性。
[0033]其中，所述TPBi的分子結(jié)構(gòu)式爻
[0034]進(jìn)一步地，所述OLED顯示器件中，基板10上形成有多個陣列排布的像素，每一像素 包括多個發(fā)光單元130,各個發(fā)光單元130之間被像素隔離層120分隔開，所述像素隔離層 120上形成有貫穿所述像素隔離層120的開口，每一開口對應(yīng)一發(fā)光單元130,各個發(fā)光單元 130的陽極20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、及發(fā)光層50均位于其對應(yīng)的像素隔離層120的 開口內(nèi)，也即所述陽極20、空穴注入層3