專利名稱：微波介電材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于微波電子裝置的含介電材料的疊層結(jié)構(gòu)。它能用于微波應(yīng)用特別是元件載體中，如電路板和微波天線中。本發(fā)明還涉及這種新的介電疊層結(jié)構(gòu)的制造方法。
相關(guān)技術(shù)這種電介質(zhì)中，重要的是介電常數(shù)(DK)的變化不要超過使用溫度和使用頻率的范圍。還有一個重要問題是，損耗系數(shù)(tgδ)要小，因此，可以使功耗(發(fā)熱)減至最小。用設(shè)介電層使它支承其上的微波傳輸帶導(dǎo)電層，已達(dá)到了這種效果。為達(dá)到上述效果，采用有理想性能的介電材料層。
這種設(shè)計(jì)中用的介電材料厚度約為600μm，有理想特性的介電材料，或者說要用有所要求的特性的介電材料能明顯地提高GSM無線電移動系統(tǒng)中的電路板價(jià)格，例如，要用大量材料的天線，如果必須用高質(zhì)量的介電材料，就會使天線價(jià)格很貴。
技術(shù)概述根據(jù)對背景技術(shù)的說明，本發(fā)明的目的是提供一種介電微波電子元件載體或介電微波天線，它的價(jià)格比迄今已知的元件載體或天線的價(jià)格低，但它有同樣高質(zhì)量的特性，如低的總損耗系數(shù)。那就是說，能降低發(fā)熱量和減小介電常數(shù)的變化。這尤其在用大量材料的天線，例如在新GSM1.8系統(tǒng)中用的天線中是需要的。本發(fā)明的測試的基礎(chǔ)是在1GHz的頻率下要求頂級(top)質(zhì)量的電路板上部200μm處的損耗系數(shù)測試，剩余的下部的質(zhì)量要求可以降低一點(diǎn)，以減小疊層結(jié)構(gòu)的總價(jià)格。
本發(fā)明的另一目的是提供元件載體或天線的制造方法。
附圖
的簡要說明附圖示出了組合微波板的示意圖。
實(shí)施例的詳細(xì)說明圖給出了本發(fā)明實(shí)施例的組合微波板。接地板(earth plane)1上加了較便宜的介電材料下層2，在情況下的介電材料是FR-4材料。在本發(fā)明范圍中也可用在1GHz下的損耗系數(shù)大于0.005的其它材料，如氰酸酯，BT/環(huán)氧，熱固性聚酰亞胺，或聚酰亞胺。該下層2上加更高質(zhì)量材料的上層3，如PTFE/玻璃，或Gore-層。該上層3在1GHz時的損耗系數(shù)小于0.005。
損耗系數(shù)Df是表示在一定的微波頻率下(本發(fā)明中是1GHz)有關(guān)儲存的能量的能量損耗大小。該損耗系數(shù)可表示成tgδ，式中δ是矢量分量ε′和ε″的夾角，其中ε′是對應(yīng)儲存能量的實(shí)數(shù)分量，ε″是對應(yīng)損耗能量的虛數(shù)分量，叫做損耗系數(shù)。矢量曲線中，ε′和ε″是表示相位差90°，因此，它們之間的比可表示成tgδ,δ是兩個矢量形成的角。
按本發(fā)明的方法中，用有大損耗系數(shù)(Df＞0.005)的價(jià)格較便宜的介電材料下層2加到接地板上。該下層的厚度在600μm的總電介質(zhì)厚度中占400μm厚。之后，下層2上加價(jià)格更貴的損耗系數(shù)Df＞0.005的介電材料上層3。之后，上層3上加導(dǎo)電層4。電子元件可安裝在導(dǎo)電層4上。
權(quán)利要求
1．用于微波電子裝置的疊層結(jié)構(gòu)，包括至少一個接地板(1)，損耗系數(shù)Df在1GHz時大于0.005的介電材料的下層(2)，加到所述接地板上；損耗系數(shù)Df在1GHz時小于0.005的介電材料的上層(3)，加到所述下層(2)上；導(dǎo)電層(4)，包括安裝在所述上層上的電子元件。
2．按權(quán)利要求1的疊層結(jié)構(gòu)，其中，介電材料的上層(3)的厚度約為200μm。
3．按權(quán)利要求1或2的疊層結(jié)構(gòu)，其中，所述疊層結(jié)構(gòu)是電路板。
4．按權(quán)利要求1或2的疊層結(jié)構(gòu)，其中，所述疊層結(jié)構(gòu)是天線。
5．按上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的疊層結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟接地板(1)上加1GHz時損耗系數(shù)Df大于0.005的介電材料的下層(2)；之后，在所述下層(2)上加1GHz時損耗系數(shù)Df小于0.005的介電材料的上層(3)，之后，所述上層(3)上加導(dǎo)電層(4)。
全文摘要
用于如電路板或天線的微波電子裝置的疊層結(jié)構(gòu),只在上部200μm中有在1GHz時Df<0.005的低損耗系數(shù)的價(jià)格貴的介電材料,如PTFE/玻璃或Gore－層
文檔編號H01Q1/38GK1312962SQ9980953
公開日2001年9月12日 申請日期1999年7月30日 優(yōu)先權(quán)日1998年8月19日
發(fā)明者L·貝里斯特德特 申請人:艾利森電話股份有限公司