技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點，由下至上依次包括GaAs(115)A襯底、InGaAs量子點層、GaAs蓋層、In納米結(jié)構(gòu)層和石墨烯覆蓋層。本實用新型還公開了上述生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點的制備方法。本實用新型生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點，極大提高了InGaAs量子點的光致發(fā)光強度，成本較低。

技術(shù)研發(fā)人員：李國強;張曙光;溫雷;高芳亮;徐珍珠
受保護的技術(shù)使用者：華南理工大學
文檔號碼：201720105271
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.23
技術(shù)公布日：2017.10.17