技術編號：11500951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及量子點及其制備方法，特別涉及生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點。背景技術隨著制備高質量自組織量子點技術的發(fā)展，半導體量子點在量子光學，單光子光源，量子通信等方面的應用研究越來越引起人們的興趣。量子點是一種零維材料，其具有類似原子的分立能級，同時在三維方向上實現(xiàn)了對載流子的限制，導致載流子能量在三個維度上量子化而出現(xiàn)分立能級，呈現(xiàn)出某些類似原子的殼層結構能級特性。量子點的種種新奇性質使其在許多領域具有廣闊的應用前景，比如量子點單光子光源，量子點中間帶多結太陽電池等。一個穩(wěn)定、高...
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