技術(shù)特征：

1.生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點(diǎn)，其特征在于，由下至上依次包括GaAs(115)A襯底、InGaAs量子點(diǎn)層、GaAs蓋層、In納米結(jié)構(gòu)層和石墨烯覆蓋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點(diǎn)，其特征在于，所述InGaAs量子點(diǎn)層中InGaAs量子點(diǎn)的密度為2×10¹⁰-8×10¹⁰cm^-2；InGaAs量子點(diǎn)的平均高度為5-10納米，平均直徑為10-25納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點(diǎn)，其特征在于，所述GaAs蓋層的厚度為4-10納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點(diǎn)，其特征在于，所述In納米結(jié)構(gòu)層中In納米結(jié)構(gòu)的平均直徑為20-80納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在GaAs襯底上的InGaAs量子點(diǎn)，其特征在于，所述石墨烯覆蓋層的厚度為0.4-2.5納米，包括1-5層石墨烯。