技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種圖形化納米介質(zhì)層的制備方法及裝置，包括：對(duì)于圖形化介質(zhì)層掩膜，在預(yù)設(shè)條件下對(duì)納米介質(zhì)層進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕處理；其中，所述預(yù)設(shè)條件為使位于所述納米介質(zhì)層下的金屬導(dǎo)電層不受刻蝕的條件。通過(guò)控制預(yù)設(shè)條件，使反應(yīng)離子刻蝕機(jī)僅對(duì)不受圖形化介質(zhì)層掩膜保護(hù)的納米介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，同時(shí)使金屬導(dǎo)電層不受刻蝕，使刻蝕處理更具有針對(duì)性。通過(guò)負(fù)性光刻膠圖形化介質(zhì)層掩膜可進(jìn)行選擇性刻蝕，更容易獲得可控的圖形化納米介質(zhì)層。

技術(shù)研發(fā)人員：金梅花;胡海峰;賀濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：國(guó)家納米科學(xué)中心
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.18
技術(shù)公布日：2017.08.29