技術(shù)編號：11434347
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及微電子與固體電子學(xué)、納米科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種圖形化納米介質(zhì)層的制備方法及裝置。背景技術(shù)作為PN結(jié)二極管的一種特殊形式，隧穿二極管(TunnelingDiodes，簡稱為TD)是利用量子效應(yīng)構(gòu)成的一種新型高速納米器件，具有高頻整流特性。常用的隧穿二極管有共振隧穿二極管(ResonantTunnelingDiodes，簡稱為RTD)和金屬-絕緣層-金屬隧穿二極管(Metal-Insulator-MetalTunnelingDiodes，簡稱為MIM-TD)等。其中，MIM-TD...
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