相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2015年11月16日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)no.10-2015-0160654的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益、以及由其產(chǎn)生的所有權(quán)益，將該專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容全部并入本文中作為參考。本公開(kāi)內(nèi)容涉及銀納米線的群、制造所述銀納米線的方法、以及包括所述銀納米線的電導(dǎo)體和電子裝置。
背景技術(shù)：
：對(duì)于包括大尺寸顯示器的便攜式顯示裝置的需求正在引導(dǎo)用于柔性顯示器的先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。在柔性顯示器中，存在對(duì)于如下的柔性電子材料的需要：其容許高的分辨率、高的靈敏度和低的功耗而沒(méi)有其電學(xué)性質(zhì)在彎曲、折疊和扭曲下的惡化。作為顯示器的構(gòu)成元件，觸摸傳感器充當(dāng)用戶(hù)和顯示裝置之間的界面并且發(fā)揮搜索用戶(hù)信息和接收指示的作用。觸摸傳感器包括透明導(dǎo)電材料作為電極。因此，能夠保持高的透射率并且具有低的薄層電阻的柔性透明電極材料的開(kāi)發(fā)對(duì)于其向柔性顯示器如可彎曲/可折疊顯示器的應(yīng)用是合乎需要的。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：一種實(shí)施方式涉及具有改善的導(dǎo)電性和光透射率的柔性電導(dǎo)體。另一實(shí)施方式涉及包括前述電導(dǎo)體的電子裝置。還一實(shí)施方式涉及包括在所述電導(dǎo)體中的多個(gè)(根)銀納米線。又一實(shí)施方式涉及制造所述多個(gè)銀納米線的方法。在一種實(shí)施方式中，電導(dǎo)體包括基底；和設(shè)置在所述基底上并且包括多個(gè)銀納米線的導(dǎo)電層，其中所述銀納米線在其x射線衍射光譜中呈現(xiàn)歸屬于(111)晶面的主峰，且在高斯擬合之后的所述主峰的2θ半寬度小于約0.40度。所述基底可為柔性的。所述基底可具有至少約10mpa的撓曲模量。所述基底可包括聚(甲基)丙烯酸酯、聚烯烴、聚氯乙烯、含氟聚合物、聚酰胺、聚酰亞胺、聚砜、聚醚醚酮、聚降冰片烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚二甲基硅氧烷、其共聚物、或其組合。所述多個(gè)銀納米線可具有小于或等于約100納米(nm)的平均直徑(例如，如通過(guò)掃描電子顯微鏡分析所測(cè)定的)。所述多個(gè)銀納米線可具有大于或等于約100的長(zhǎng)徑比。所述主峰的2θ半寬度(fwhm)可小于或等于約0.38度。所述主峰的2θ半寬度(fwhm)可小于或等于約0.31度。所述主峰可在約35度-約42度的衍射角2θ處。所述電導(dǎo)體可具有小于或等于約100歐姆/平方(ω/□)的薄層電阻、小于或等于約1.0％的霧度和大于或等于約80％的可見(jiàn)光透射率。所述電導(dǎo)體在以1mm的曲率半徑彎曲200,000次后可具有小于或等于約152％、例如小于或等于約64％的電阻變化率，如以外彎曲模式使用10厘米(cm)的電極之間的距離在20-25℃的溫度和45-55％的濕度下在6.7％的應(yīng)變下測(cè)量的。所述導(dǎo)體可進(jìn)一步包括直接在所述導(dǎo)電層上的罩面層(overcoatlayer)，所述罩面層包括熱固性樹(shù)脂、紫外(uv)光固化的樹(shù)脂、或其組合。在另一實(shí)施方式中，提供包括所述電導(dǎo)體的電子裝置。所述電子裝置可包括顯示器、觸摸屏面板、太陽(yáng)能電池、電子視窗(例如，電致變色視窗或智能視窗)、電致變色鏡、透明加熱器、熱鏡、透明晶體管、透明位移傳感器(應(yīng)變傳感器)、柔性線電極、柔性太陽(yáng)能電池、柔性電池電極、柔性顯示器、或其組合。在另一實(shí)施方式中，提供在其x射線衍射光譜中呈現(xiàn)歸屬于(111)晶面的主峰并且具有小于約0.40度的在高斯擬合之后的所述主峰的2θ半寬度的銀納米線的群(例如，包括多個(gè)銀納米線)。所述多個(gè)銀納米線的至少一個(gè)具有如通過(guò)對(duì)所述納米線的截面(橫截面)的透射電子顯微鏡觀察所測(cè)定(確定)的(111)晶面；并且所述(111)晶面可具有由五個(gè)三角形表面限定的五邊形(五棱錐，pentagonal)形狀且可包括孿晶間界。所述銀納米線的群中的多個(gè)銀納米線可具有小于或等于約25nm的平均直徑和大于或等于約100的長(zhǎng)徑比。所述銀納米線的群中的多個(gè)銀納米線可具有大于或等于約2.5微米(μm)的平均長(zhǎng)度(例如如通過(guò)掃描電子顯微鏡分析所測(cè)定的)。所述主峰在高斯擬合之后可具有小于約0.38度的2θ半寬度(fwhm)。所述主峰可在約35度-約42度的衍射角2θ處。根據(jù)再一實(shí)施方式，制造所述銀納米線的群的方法包括：將多個(gè)銀納米線分散在介質(zhì)中；和將所述多個(gè)銀納米線在約50℃-約80℃的溫度下退火大于或等于約30分鐘，其中所述銀納米線的群在其x射線衍射光譜中呈現(xiàn)歸屬于(111)晶面的主峰，和其中所述主峰的2θ半寬度(fwhm)通過(guò)退火而減小。所述銀納米線具有如通過(guò)對(duì)所述納米線的截面的透射電子顯微鏡觀察所測(cè)定的(111)晶面，并且所述(111)晶面可具有由五個(gè)三角形表面限定的五邊形形狀且可包括孿晶間界。所述介質(zhì)可包括水和與水能混溶的有機(jī)添加劑，且所述多個(gè)銀納米線可分散在所述介質(zhì)中。所述介質(zhì)可包括聚合物，且所述多個(gè)銀納米線的至少一部分可包埋在所述介質(zhì)中。所述退火可進(jìn)行大于或等于約1小時(shí)。在退火之前所述主峰的2θ半寬度(fwhm)可為約0.41度-約0.50度。在退火之后主峰的2θ半寬度(fwhm)可小于約0.40度。包括所述多個(gè)銀納米線的電導(dǎo)體可展示改善水平的電性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)并且當(dāng)經(jīng)歷彎曲時(shí)，所述電導(dǎo)體可呈現(xiàn)導(dǎo)電性質(zhì)的較小的降低且可具有降低的電阻變化率。因此，所述電導(dǎo)體可用于用作柔性顯示裝置如可彎曲或可折疊顯示器的觸摸傳感器的透明電極結(jié)構(gòu)(例如，透明電極膜)中。附圖說(shuō)明從結(jié)合附圖的示例性實(shí)施方式的以下描述，這些和/或其它方面將變得明晰和更容易理解，在附圖中：圖1是顯示五邊形銀(ag)納米線的示意圖；圖2是顯示圖4的銀納米線的包括孿晶間界的五邊形形狀的截面的示意圖；圖3是根據(jù)實(shí)施方式的觸摸屏面板的示意圖；圖4是對(duì)比例1的包括銀納米線的導(dǎo)電層的掃描電子顯微鏡(sem)圖像；圖5是在對(duì)對(duì)比例1的包括銀納米線的導(dǎo)電層進(jìn)行彎曲測(cè)試之后所述導(dǎo)電層的掃描電子顯微鏡(sem)圖像；圖6是強(qiáng)度(任意單位，a.u.)對(duì)衍射角(2西塔(2θ)度)的圖，其顯示在退火處理之前(0小時(shí)(h))和在退火處理進(jìn)行12、24和36h之后銀納米線的x射線衍射光譜。圖7是2θ半寬度(fwhm)對(duì)在70℃下的退火時(shí)間(h)的圖，其顯示實(shí)施例1中的銀納米線在x射線衍射分析中歸屬于(111)晶面的峰的變化；圖8是電阻變化率(％)對(duì)彎曲循環(huán)的圖，其顯示當(dāng)經(jīng)歷彎曲200,000次時(shí)來(lái)自實(shí)施例2、實(shí)施例3和對(duì)比例1的電導(dǎo)體的電阻變化率；圖9是在彎曲200,000次后來(lái)自實(shí)施例2的電導(dǎo)體的銀納米線的掃描電子顯微鏡圖像(50,000×的放大倍率)；圖10是在彎曲200,000次后來(lái)自實(shí)施例2的電導(dǎo)體的銀納米線的掃描電子顯微鏡圖像(100,000×的放大倍率)；圖11是在多種溫度下退火1小時(shí)的包括銀納米線的電導(dǎo)體的電阻變化率(％)對(duì)彎曲循環(huán)的圖；圖12是強(qiáng)度(任意單位，a.u.)對(duì)衍射角(2西塔(2θ)度)的圖，其顯示在退火處理之前(0小時(shí)(h))以及在退火處理進(jìn)行12、24和36小時(shí)之后銀納米線的x-射線衍射光譜中的歸屬于(111)晶面的峰；圖13是說(shuō)明對(duì)于在退火處理進(jìn)行12小時(shí)之后銀納米線的x-射線衍射光譜中的歸屬于(111)晶面的峰的高斯擬合方法的圖；和圖14是說(shuō)明對(duì)于在退火處理進(jìn)行36小時(shí)之后銀納米線的x-射線衍射光譜中的歸屬于(111)晶面的峰的高斯擬合方法的圖。具體實(shí)施方式參考以下示例性實(shí)施方式連同附于此的圖，本公開(kāi)內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)和特性、以及用于實(shí)現(xiàn)其的方法將變得清晰。然而，本公開(kāi)內(nèi)容可以許多不同的形式體現(xiàn)并且不被解釋為限于本文中闡明的實(shí)施方式。如果沒(méi)有另外定義，則說(shuō)明書(shū)中的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))可如本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解地定義。此外，單數(shù)包括復(fù)數(shù)，除非另外提及。在圖中，為了清楚，放大層、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。將理解，當(dāng)一個(gè)元件例如層、膜、區(qū)域、或基底被稱(chēng)作“在”另外的元件“上”時(shí)，其可直接在所述另外的元件上或者還可存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱(chēng)作“直接在”另外的元件“上”時(shí)，則不存在中間元件。將理解，盡管術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用來(lái)描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)使一個(gè)元件、組分、區(qū)域、層或部分區(qū)別于另一元件、組分、區(qū)域、層或部分。因此，在不背離本文中的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分可稱(chēng)為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分。本文中所使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述具體實(shí)施方式且不意圖為限制性的。如本文中所使用的，單數(shù)形式“一種(個(gè))”和“所述(該)”意圖包括復(fù)數(shù)形式，包括“至少一種(個(gè))”，除非上下文清楚地另外說(shuō)明?！爸辽僖环N(個(gè))”將不被解釋為限于“一種(個(gè))”。“或”意味著“和/或”。如本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合。將進(jìn)一步理解，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”當(dāng)用在本說(shuō)明書(shū)中時(shí)表示存在所陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組分，但不排除存在或添加一種或多種另外的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組分和/或其集合。此外，相對(duì)術(shù)語(yǔ)如“下部”或“底部”和“上部”或“頂部”可在本文中用來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件與另外的元件的關(guān)系。將理解，除圖中所描繪的方位以外，相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意圖包括裝置的不同方位。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖之一中的裝置，被描述為“在”其它元件的“下部”側(cè)上的元件則將被定向在其它元件的“上部”側(cè)上。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“下部”可包括“下部”和“上部”兩種方位，取決于圖的具體方位。類(lèi)似地，如果翻轉(zhuǎn)圖之一中的裝置，被描述為“在”其它元件“下面”或“之下”的元件則將被定向在其它元件“之上”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在……下面”或“在……之下”可包括在……之上和在……下面兩種方位。如本文中使用的“約”或“大約”包括所陳述的值且意味著在如由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員考慮到所討論的測(cè)量和與具體量的測(cè)量有關(guān)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的限制)而確定的對(duì)于具體值的可接受的偏差范圍內(nèi)。例如，“約”可意味著相對(duì)于所陳述的值的偏差在一種或多種標(biāo)準(zhǔn)偏差范圍內(nèi)，或者在±10％或5％的范圍內(nèi)。除非另外定義，在本文中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))的含義與本公開(kāi)內(nèi)容所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同。將進(jìn)一步理解，術(shù)語(yǔ)，例如在常用詞典中定義的那些，應(yīng)解釋為其含義與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的背景和本公開(kāi)內(nèi)容中的含義一致，并且將不以理想化或過(guò)度形式的意義進(jìn)行解釋?zhuān)窃诒疚闹星宄厝绱硕x。本文中參照橫截面圖描述示例性實(shí)施方式，所述橫截面圖是理想化實(shí)施方式的示意圖。因而，將預(yù)期有由于例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的與圖示的形狀的偏差。因此，本文中描述的實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于如本文中所圖示的區(qū)域的具體形狀，而是包括由例如制造引起的形狀上的偏差。例如，圖示或描述為平坦的區(qū)域可典型地具有粗糙和/或非線性特征。而且，所圖示的尖銳的角可為圓形的。因此，在圖中圖示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，且它們的形狀不意圖說(shuō)明區(qū)域的精確形狀且不意圖限制本權(quán)利要求的范圍。在本文中，術(shù)語(yǔ)“丙烯?；酆衔铩笨芍傅氖?甲基)丙烯酸聚合物或(甲基)丙烯酸酯聚合物?！?甲基)丙烯酸”包括丙烯酸和甲基丙烯酸，且“(甲基)丙烯酸酯”包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，例如丙烯酸(c1-c12烷基)酯或甲基丙烯酸(c1-c12烷基)酯。如本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“長(zhǎng)徑比”指的是通過(guò)將結(jié)構(gòu)體的長(zhǎng)度除以結(jié)構(gòu)體的直徑而獲得的值。如本文中使用的，“導(dǎo)體”指的是導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)體。類(lèi)似地，術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)電(的)”指的是具有導(dǎo)電性的材料。術(shù)語(yǔ)“高斯擬合”指的是通過(guò)確定高斯函數(shù)的常數(shù)而將構(gòu)成峰的數(shù)據(jù)的曲線擬合成高斯分布曲線。對(duì)于高斯擬合，可使用適合的統(tǒng)計(jì)程序(例如，originpro7.5sr6軟件)。術(shù)語(yǔ)“半寬度(fwhm)”指的是在y軸上的作為最大振幅的一半的兩個(gè)點(diǎn)之間測(cè)量的光譜曲線的寬度。在一種實(shí)施方式中，電導(dǎo)體包括基底；和設(shè)置在基底上并且包括多個(gè)銀納米線的導(dǎo)電層，其中銀納米線包括(111)晶面，使得其x射線衍射光譜具有歸屬于(111)晶面的主峰，如通過(guò)x射線衍射分析測(cè)量的，且在高斯擬合之后的主峰的2θ半寬度(fwhm)小于約0.40度?；卓砂ㄍ该骰?。例如，基底對(duì)于具有約380nm-約700nm的波長(zhǎng)的可見(jiàn)光可具有大于或等于約90％的平均光透射率。用于基底的材料沒(méi)有特別限制，且基底可包括玻璃基底、半導(dǎo)體基底、聚合物基底、或其組合。另外，可層合絕緣層和/或?qū)щ娔ひ孕纬苫住Ｔ诜窍拗菩詫?shí)例中，基底可包括無(wú)機(jī)材料如玻璃、氧化物玻璃(例如無(wú)定形氧化物)；聚酯如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、和聚萘二甲酸乙二醇酯；聚碳酸酯；基于丙烯?；臉?shù)脂；纖維素或其衍生物；聚合物如聚酰亞胺；有機(jī)/無(wú)機(jī)混雜材料；或其組合。基底的厚度也沒(méi)有特別限制，而是可取決于期望的最終產(chǎn)品在沒(méi)有過(guò)度實(shí)驗(yàn)的情況下適當(dāng)?shù)剡x擇。在實(shí)施方式中，基底可為柔性基底。例如，基底可具有至少約10mpa、或至少約100mpa、或至少約1gpa的撓曲模量。撓曲模量可根據(jù)astmd412測(cè)量(例如，使用來(lái)自lloydco.ltd.的lrx-plus)。柔性基底可包括聚(甲基)丙烯酸酯、聚烯烴、聚氯乙烯、含氟聚合物、聚酰胺、聚酰亞胺、聚砜、聚醚醚酮、聚降冰片烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚二甲基硅氧烷、其共聚物、或其組合?；卓删哂写笥诨虻扔诩s0.5μm、例如大于或等于約1μm、或者大于或等于約10μm的厚度，但不限于此?；卓删哂行∮诨虻扔诩s1毫米(mm)、例如小于或等于約500μm、或者小于或等于約200μm的厚度，但不限于此。在需要時(shí)可在基底和導(dǎo)電層之間設(shè)置另外的層(例如，內(nèi)涂層(底涂層)或罩面層)。例如，可在電導(dǎo)體中包括所述另外的層以控制折射率。導(dǎo)體包括銀納米線。在所述導(dǎo)體中，多個(gè)銀納米線可形成具有逾滲網(wǎng)絡(luò)形狀的結(jié)構(gòu)體(例如，層)。銀納米線為具有例如大于或等于約10的長(zhǎng)徑比、大于或等于約100的長(zhǎng)徑比、或者大于或等于約200的長(zhǎng)徑比的銀金屬結(jié)構(gòu)體，且可在約10-約100,000的范圍內(nèi)。銀納米線可具有小于或等于約100納米(nm)、例如小于或等于約90nm、小于或等于約80nm、小于或等于約70nm、小于或等于約60nm、小于或等于約50nm、或者小于或等于約40nm的平均直徑，但不限于此。銀納米線的平均直徑可例如通過(guò)使用對(duì)于預(yù)定數(shù)量(例如，至少10個(gè))的納米線的掃描電子顯微鏡分析(例如，使用高分辨率sem如來(lái)自feico.,ltd.的nova450)測(cè)定。銀納米線的平均長(zhǎng)度可例如通過(guò)使用對(duì)于預(yù)定數(shù)量(例如，至少10個(gè))的納米線的掃描電子顯微鏡分析(例如，使用高分辨率sem如來(lái)自feico.,ltd.的nova450)測(cè)定。銀納米線為包括面心立方(fcc)晶體結(jié)構(gòu)的一維(1d)結(jié)構(gòu)體。銀納米線具有如通過(guò)透射電子顯微鏡測(cè)量的(111)晶面，且(111)晶面可具有由五個(gè)三角形表面限定的五邊形形狀且包括孿晶間界。在說(shuō)明書(shū)中，銀納米線也稱(chēng)為“五重孿晶(penta-twin)型銀納米線”。包括在導(dǎo)體中的銀納米線呈現(xiàn)歸屬于(111)晶面的在x射線衍射光譜中的主峰，且在高斯擬合之后的所述主峰的2θ半寬度(fwhm)可小于約0.40度、例如小于或等于約0.38度、小于或等于約0.36度、小于或等于約0.35度、小于或等于約0.34度、小于或等于約0.33度、小于或等于約0.32度、或者小于或等于約0.31度、小于或等于約0.30度、小于或等于約0.29度、小于或等于約0.28度、或者小于或等于約0.27度?？衫缭诩s35度-約42度范圍內(nèi)的衍射角2西塔(2θ)內(nèi)發(fā)現(xiàn)在銀納米線x射線衍射光譜中的歸屬于(111)晶面的主峰。包括在柔性顯示器中的透明導(dǎo)電材料有利地具有達(dá)到如下程度的改善水平的導(dǎo)電性和光學(xué)性質(zhì)：透明導(dǎo)電材料可防止液晶顯示器/有機(jī)發(fā)光二極管(lcd/oled)中的發(fā)光元件層喪失光的一些光和其分辨率。另外，透明導(dǎo)電材料在經(jīng)歷彎曲條件時(shí)可必須保持其導(dǎo)電特性。已經(jīng)進(jìn)行大量研究以將銀納米線應(yīng)用于柔性透明電極材料。然而，包括銀納米線的導(dǎo)體的光透射率與銀納米線的濃度成反比。因此，為了確保合乎需要的水平的光透射率(例如，約90％)，包括銀納米線的導(dǎo)體可包括最低量的可提供期望水平的導(dǎo)電性的銀納米線。為了降低包括在導(dǎo)體中的銀納米線的量，已經(jīng)開(kāi)發(fā)如下技術(shù)：其中，在制備導(dǎo)體之后，用高能脈沖型燈或脈沖型激光處理導(dǎo)體。然而，在這樣的方法的使用中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，銀納米線之間的低的粘附或者銀納米線和基底之間以及銀納米線和罩面層之間的低的粘附導(dǎo)致在彎曲銀納米線時(shí)的增加的電阻。當(dāng)柔性顯示器(和其中包括的導(dǎo)體)的厚度降低時(shí)并且當(dāng)其曲率半徑也降低時(shí)，施加至柔性顯示器和導(dǎo)體的彎曲應(yīng)力大大增加。然而，現(xiàn)有技術(shù)方法(例如，增強(qiáng)納米線的網(wǎng)絡(luò)和增強(qiáng)基底和銀納米線之間的粘附)不能夠有效地防止在增加的彎曲應(yīng)力下發(fā)生的導(dǎo)體性質(zhì)的劣化，并且這樣的方法可不能夠?qū)崿F(xiàn)期望水平的柔性。例如，在包括銀納米線的導(dǎo)體的情況中，在以1mm的曲率半徑的彎曲測(cè)試期間，隨著彎曲循環(huán)的次數(shù)增加，電阻急劇增加，并且因此在200,000次彎曲循環(huán)之后的電阻可為初始電阻的大于或等于約2.5倍。因此，現(xiàn)有技術(shù)方法在防止電阻變化率的急劇增加方面是無(wú)效的。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，包括納米線的導(dǎo)體在其彎曲時(shí)遭受的電阻增加可由包括在其中的銀納米線中的破裂導(dǎo)致。還已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在具有五邊形截面的銀納米線的情況中，破裂可由包括在銀納米線的晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷引起。參照?qǐng)D1和2詳細(xì)地描述銀納米線中的晶體缺陷。五重孿晶化的agnw包含這樣的五重孿晶化的納米結(jié)構(gòu)體：其具有沿著{111}面平行于所述nw的縱軸延伸的五個(gè)孿晶間界和具有五邊形截面形態(tài)的沿著{100}面的五個(gè)表面小晶面(facet)(t1-t5晶粒)。在銀納米線中，截面包括具有約7.35度(例如360度-352.65度)的未占據(jù)(unoccupied)角的五個(gè)三角形截面(例如表面)，并且由此銀納米線可包括沿著兩個(gè)表面小晶面之間的晶界形成的堆垛層錯(cuò)。例如，對(duì)于圖2中所示的納米線，在t1晶粒和t2晶粒之間的晶界以及在t4晶粒和t5晶粒之間的晶界處發(fā)現(xiàn)堆垛層錯(cuò)。在嚴(yán)重的外部應(yīng)力如以1mm的曲率半徑(例如，彎曲半徑)彎曲(在本文中也稱(chēng)為“1r彎曲”)下，晶格缺陷如堆垛層錯(cuò)移動(dòng)以形成位錯(cuò)云，其可導(dǎo)致裂紋的引發(fā)和傳播以及材料的最終破裂。換言之，在彎曲期間施加到導(dǎo)體上的力是拉伸應(yīng)力類(lèi)型的。當(dāng)這樣的應(yīng)力集中在銀納米線中的原子排列的位錯(cuò)缺陷上時(shí)，該位錯(cuò)缺陷可為開(kāi)裂和破裂的起點(diǎn)。如上所述，銀納米線晶體可具有fcc五重孿晶類(lèi)型中的固有缺陷并且還可包括在合成和純化過(guò)程期間發(fā)生的另外的堆垛層錯(cuò)以及當(dāng)通過(guò)反轉(zhuǎn)晶體生長(zhǎng)平面而形成晶界時(shí)發(fā)生的另外的缺陷。盡管包括在根據(jù)實(shí)施方式的導(dǎo)體中的銀納米線為具有五邊形截面的五重孿晶型納米線，但是它們可具有引起缺陷的原子的位置的重排并且由此可顯示改善的結(jié)晶性。不受理論限制，認(rèn)為改善的結(jié)晶性可歸因于如下事實(shí)：在x射線衍射光譜中歸屬于(111)晶面的主峰具有降低的2θ半寬度(fwhm)。例如，所述主峰可具有小于約0.40度的2θf(wàn)whm。當(dāng)導(dǎo)體包括具有降低水平的位錯(cuò)缺陷(例如，改善的結(jié)晶性)的前述銀納米線時(shí)，導(dǎo)體可呈現(xiàn)改善的抗破裂性，即使當(dāng)經(jīng)歷相當(dāng)大的外力如在1r彎曲期間的彎曲變形時(shí)。結(jié)果，即使在重復(fù)的(例如，高達(dá)200,000次)彎曲測(cè)試期間，導(dǎo)體也可保持其初始的電導(dǎo)率值或者可顯示低水平的電阻變化率增加。因此，測(cè)量包括前述銀納米線的導(dǎo)體以使用下列方程確定電阻變化率δr/r0(％)：δr/r0(％)＝(r1-r0)/r0×100％r0為初始線性電阻，r1為在彎曲200,000次之后的線性電阻，且用于測(cè)量線性電阻的電極之間的距離為10cm。在環(huán)境空氣中在室溫(例如，約20-25℃的溫度)和約45-55％的相對(duì)濕度下將導(dǎo)體例如以約180度的彎曲角度以約1mm的內(nèi)圈半徑(或在彎曲部分形成的內(nèi)圈的曲率半徑)(下文中，1r彎曲)彎曲200,000次，并且使測(cè)試樣品經(jīng)歷外彎曲使得施加拉伸應(yīng)變。如本文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“外部彎曲模式”指的是其中導(dǎo)電層設(shè)置在如所彎曲的測(cè)試樣品的外表面(即，外部表面)上的情況。“外部彎曲模式”也稱(chēng)為“拉伸模式”。在外部彎曲測(cè)試中，導(dǎo)電層暴露在彎曲的樣品的外部表面上。相反，當(dāng)將測(cè)試樣品以?xún)?nèi)部彎曲模式彎曲時(shí)，導(dǎo)電層設(shè)置在彎曲的樣品的內(nèi)部表面上且因此從外部不能看見(jiàn)導(dǎo)電層。內(nèi)部彎曲模式也稱(chēng)為“壓縮模式”。在前述條件下，在200,000次的1r彎曲之后電阻變化率可小于或等于約152％、例如小于或等于約64％、或者小于或等于約20％。連同大大改善的彎曲特性一起，根據(jù)實(shí)施方式的導(dǎo)體可具有小于或等于約100ω/□、例如小于或等于約90ω/□、小于或等于約80ω/□、小于或等于約70ω/□、小于或等于約60ω/□、小于或等于約50ω/□或者甚至小于或等于約40ω/□的薄層電阻。在小于或等于約1.0％的霧度下，導(dǎo)體對(duì)于具有在約380-700nm區(qū)域內(nèi)的波長(zhǎng)的可見(jiàn)光可具有大于或等于約80％、例如大于或等于約85％、大于或等于約86％、大于或等于約87％、大于或等于約88％、大于或等于約89％、或者大于或等于約90％的平均光透射率。導(dǎo)體可包括直接在導(dǎo)電層上的罩面層(ocl)。罩面層可包括熱固性樹(shù)脂、紫外(uv)光固化的樹(shù)脂、或其組合。適合用于形成ocl的熱固性樹(shù)脂和紫外(uv)光固化的樹(shù)脂的具體實(shí)例在本領(lǐng)域中是已知的。由前述材料在導(dǎo)電層上形成ocl的方法也是已知的并且沒(méi)有特別限制。在實(shí)施方式中，用于罩面層(ocl)的熱固性樹(shù)脂和紫外(uv)光固化的樹(shù)脂可包括聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、具有(甲基)丙烯酸酯基團(tuán)的全氟聚合物、具有(甲基)丙烯酸酯基團(tuán)的聚(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、或其組合。罩面層可進(jìn)一步包括無(wú)機(jī)氧化物細(xì)顆粒(例如，二氧化硅細(xì)顆粒)。另一實(shí)施方式涉及銀納米線的群，其具有如上所述的改善的結(jié)晶性(即，其中x射線衍射光譜顯示歸屬于(111)晶面的主峰，且在高斯擬合之后所述主峰具有小于約0.40度的2θ半寬度(fwhm))。銀納米線的詳細(xì)描述與以上描述的相同。具有改善的結(jié)晶性的銀納米線的群可通過(guò)包括下列步驟的方法制備：將多個(gè)銀納米線分散在介質(zhì)中；和將置于介質(zhì)中的多個(gè)銀納米線在約50℃-約80℃的溫度下退火大于或等于約30分鐘。所述銀納米線可為五重孿晶型納米線。在五重孿晶型納米線中，當(dāng)通過(guò)x射線衍射分析測(cè)量時(shí)，歸屬于(111)晶面的主峰的2θ半寬度(fwhm)通常在大于或等于約0.41度的范圍、例如約0.41度-約0.50度的范圍內(nèi)。五重孿晶型銀納米線可通過(guò)自下而上型工藝制備。在自下而上型工藝中，納米線可通過(guò)化學(xué)或分子凝聚或者模板輔助電沉積制備。自下而上型工藝的細(xì)節(jié)在本領(lǐng)域中是已知的。例如，銀納米線可通過(guò)在多元醇(例如，乙二醇)和聚乙烯吡咯烷酮的存在下銀鹽(例如，硝酸鹽)的液相還原而合成。五重孿晶型銀納米線可為可商購(gòu)得到的。介質(zhì)可包括水和與水能混溶的有機(jī)添加劑。在這種情況中，銀納米線可分散在介質(zhì)中。與水能混溶的有機(jī)添加劑可為添加至包括銀納米線的墨組合物的多種添加劑的一種或多種。例如，與水能混溶的有機(jī)添加劑可為與水能混溶的有機(jī)溶劑。與水能混溶的有機(jī)添加劑的實(shí)例可包括c1-c5線性或支化醇如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇等，羥丙基甲基纖維素，分散劑如c2-c20有機(jī)酸等，粘度控制劑，各種表面活性劑，或者有機(jī)粘合劑，但不限于此。有機(jī)粘合劑可發(fā)揮適當(dāng)?shù)乜刂朴糜谛纬蓪?dǎo)電層的組合物的粘度或者增強(qiáng)納米線的粘合力的作用。粘合劑的非限制性實(shí)例可包括甲基纖維素、乙基纖維素、羥丙基甲基纖維素(hpmc)、羥丙基纖維素(hpc)、黃原膠、聚乙烯醇(pva)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、或其組合。粘合劑的量可在沒(méi)有過(guò)度實(shí)驗(yàn)的情況下適當(dāng)?shù)剡x擇，并且沒(méi)有特別限制。在非限制性實(shí)例中，有機(jī)粘合劑的量可為約1-約100重量份，基于100重量份的銀納米線。介質(zhì)的具體組成和分散于其中的銀納米線的含量沒(méi)有特別限制且可適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，介質(zhì)的組成和分散于其中的銀納米線的含量可如下表1中所示，但不限于此。表1材料量(重量％)銀納米線ag納米線水溶液(濃度:0.001-10.0重量％)5-40％溶劑水20-70％醇(乙醇)0-40％分散劑羚丙基甲基纖維素水溶液(0.05-5重量％)0-10％在另一實(shí)施方式中，介質(zhì)可包括聚合物，且多個(gè)銀納米線的至少一部分可包埋在介質(zhì)中。包埋在介質(zhì)中的多個(gè)銀納米線可設(shè)置在基底上。所述聚合物可為聚氨酯、丙烯?；酆衔锶缇?甲基)丙烯酸酯、有機(jī)硅、聚硅烷、聚酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚烯烴、含氟聚合物、聚酰胺、聚酰亞胺、聚降冰片烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(abs)共聚物、或其組合，但不限于此。介質(zhì)可包括用于形成罩面層的材料。介質(zhì)可包括有機(jī)粘合劑。如上所述，可在約30℃-約90℃、例如約40℃-約80℃、或者約50℃-約70℃的溫度下處理分散在介質(zhì)中(例如，在水溶液中)的多個(gè)銀納米線。在實(shí)施方式中，在大于或等于約50℃、例如大于或等于約55℃、大于或等于約60℃、或者大于或等于約65℃且小于或等于約80℃、例如小于或等于約78℃、或者小于或等于約75℃的溫度下將多個(gè)銀納米線熱處理(即退火)大于或等于約30分鐘。退火時(shí)間可為，例如，大于或等于約35分鐘、大于或等于約40分鐘、大于或等于約45分鐘、大于或等于約50分鐘、大于或等于約1小時(shí)、大于或等于約2小時(shí)、大于或等于約3小時(shí)、大于或等于約4小時(shí)、大于或等于約5小時(shí)、大于或等于約6小時(shí)、大于或等于約7小時(shí)、大于或等于約8小時(shí)、大于或等于約9小時(shí)、大于或等于約10小時(shí)、大于或等于約20小時(shí)、大于或等于約30小時(shí)、大于或等于約40小時(shí)、或者甚至大于或等于約50小時(shí)。通過(guò)在上述的時(shí)間和溫度條件下退火，分散在介質(zhì)中的多個(gè)銀納米線可顯示改善的結(jié)晶性。換言之，在將分散在介質(zhì)中的銀納米線退火之后，(111)晶面的峰的2θ半寬度(fwhm)可減小。例如，(111)晶面的峰的2θ半寬度可小于(即，低于)約0.40度、例如小于或等于約0.38度、或者小于或等于約0.36度。將具有改善的結(jié)晶性的銀納米線設(shè)置在基底上以提供導(dǎo)電層，由此形成根據(jù)實(shí)施方式的導(dǎo)體。在所述方法中，當(dāng)介質(zhì)包括水或與水能混溶的有機(jī)添加劑時(shí)，具有改善的結(jié)晶性的銀納米線的群可被制備為水性分散液?？蓪⑺@得的水性分散體涂覆在基底上并且選擇性地干燥和/或熱處理以提供導(dǎo)電層和提供根據(jù)實(shí)施方式的導(dǎo)體?？蓪⑺苑稚Ⅲw通過(guò)多種方法涂覆在基底上，所述方法包括例如棒涂、刮涂、狹縫模頭涂布、噴涂、旋涂、凹版印刷涂布、噴墨印刷、或其組合。能熱固化的或者能光固化的聚合物層(例如，罩面層)可涂覆在所獲得的銀納米線導(dǎo)電層上并且選擇性地，可干燥(例如，使用熱)，且可熱固化或光固化。根據(jù)實(shí)施方式的導(dǎo)體可具有改善的彎曲特性。根據(jù)實(shí)施方式，導(dǎo)體在以1mm的曲率半徑彎曲(1r彎曲)200,000次之后可顯示小于或等于約152％、例如小于或等于約90％、例如小于或等于約80％、小于或等于約70％、或者小于或等于約65％的電阻變化率(δr/r0％)。根據(jù)實(shí)施方式的導(dǎo)體可作為導(dǎo)電材料(例如，透明電極等)應(yīng)用于各種電子裝置中。另外，認(rèn)為導(dǎo)體也可用于功能玻璃、抗靜電膜等。所述電子裝置可包括顯示器、觸摸屏面板、太陽(yáng)能電池、電子視窗、電致變色鏡、透明加熱器、熱鏡、透明晶體管、透明位移傳感器(應(yīng)變傳感器)、柔性電池、柔性太陽(yáng)能電池、柔性顯示器、或其組合，但不限于此。所述導(dǎo)體可呈現(xiàn)增強(qiáng)的柔性并且因而可在柔性電子裝置中找到其效用。所述電子裝置可為觸摸屏面板。觸摸屏面板的具體結(jié)構(gòu)在本領(lǐng)域中是已知的。觸摸屏面板的示意性結(jié)構(gòu)示于圖3中。參照?qǐng)D3，觸摸屏面板可包括設(shè)置在用于顯示裝置的顯示面板(例如，lcd面板)上的第一透明導(dǎo)電膜、第一光學(xué)透明膠粘劑(oca)層(例如，透明膠粘劑膜)、第二透明導(dǎo)電膜、第二光學(xué)透明膠粘劑層、和窗口。第一透明導(dǎo)電膜和/或第二透明導(dǎo)電膜可為根據(jù)實(shí)施方式的導(dǎo)體。盡管已經(jīng)說(shuō)明了將導(dǎo)體應(yīng)用于觸摸屏面板(例如，其透明電極)的實(shí)例，但導(dǎo)體的應(yīng)用不限于此。例如，導(dǎo)體可用作用于包括透明電極的其它電子裝置的電極而沒(méi)有任何特別限制。例如，導(dǎo)體可作為用于液晶顯示器(lcd)的像素電極和/或公共電極、用于有機(jī)發(fā)光二極管裝置的陽(yáng)極和/或陰極、或者用于等離子體顯示裝置的顯示電極應(yīng)用。另外，導(dǎo)體還可作為功能玻璃或抗靜電層應(yīng)用。在下文中，參照實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明實(shí)施方式。然而，這些實(shí)施例將不被解釋為限制本公開(kāi)內(nèi)容的范圍。實(shí)施例測(cè)量[1]薄層電阻的測(cè)量：如下測(cè)量薄層電阻。測(cè)量設(shè)備：mitsubishiloresta-gp(mcp-t610)、esp型探針(mcp-tp08p)樣品尺寸：寬度20cm×長(zhǎng)度30cm測(cè)量結(jié)果：在重復(fù)測(cè)量至少9次后獲得的值的平均數(shù)[2]光透射率的測(cè)量：如下測(cè)量光透射率。測(cè)量設(shè)備：nippondenshokuindustries(ndh-7000sp)樣品尺寸：寬度20cm×長(zhǎng)度30cm樣品測(cè)量結(jié)果：在重復(fù)測(cè)量至少9次后獲得的值的平均數(shù)[3]霧度的測(cè)量：如下測(cè)量霧度。測(cè)量設(shè)備：nippondenshokuindustries(ndh-7000sp)樣品尺寸：寬度20cm×長(zhǎng)度30cm樣品測(cè)量結(jié)果：在重復(fù)測(cè)量至少9次后獲得的值的平均數(shù)[4]掃描電子顯微鏡(sem)分析：使用下列設(shè)備進(jìn)行掃描電子顯微鏡分析：場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(fe-sem)，novananosem450(feico.,ltd.)[5]彎曲測(cè)試：將試樣安裝在具有1mm的彎曲半徑(1r彎曲)的柔性測(cè)試機(jī)(由covotech制造，型號(hào)名稱(chēng)：cft-200r)中。在室溫(例如，約25℃)下以外彎曲模式在6.7％的拉伸應(yīng)力下進(jìn)行彎曲測(cè)試200,000次循環(huán)，并且在重復(fù)的循環(huán)期間測(cè)量相對(duì)于初始電阻的電阻變化率δr/r0(％)。δr/r0(％)＝(r1-r0)/r0×100％δr/r0：線性電阻變化率，r0：初始線性電阻，r1：在200,000次循環(huán)之后的線性電阻，用于測(cè)量線性電阻的電極之間的距離：10cm。[6]x射線衍射分析：使用bruker(d8advance)在35-42度的衍射角2θ的范圍內(nèi)測(cè)量樣品30分鐘以進(jìn)行x射線衍射分析。對(duì)比例1：包括銀納米線導(dǎo)電層的導(dǎo)體的制造和彎曲測(cè)試使用自動(dòng)化棒涂機(jī)(gbc-a4,gist)將具有0.1重量百分?jǐn)?shù)(重量％)的濃度的銀納米線(在下文中，agnw)(直徑20nm，長(zhǎng)度18mm)的分散體涂覆在聚酰亞胺(pi)基底(厚度：125μm)上以提供膜，并且將所獲得的膜在空氣氣氛中在100℃下干燥3分鐘以提供導(dǎo)電層。所述分散體是通過(guò)用水稀釋agnw分散體(agnw濃度：0.5重量％，得自aidenco.ltd.)而制備的。將基于聚氨酯丙烯酸酯的能光固化的聚合物的3重量％溶液(由sukgyungat制造，商品名：sg-hstype30)以80nm的厚度外涂覆在導(dǎo)電層上并在100℃下干燥3分鐘且通過(guò)用uv燈(波長(zhǎng)：365nm，光量：800毫焦耳/平方厘米(mj/cm2))照射15秒而固化，以提供導(dǎo)體。所獲得的導(dǎo)體具有35ω/□的薄層電阻。通過(guò)使用相同的agnw分散體，以與以上闡述的相同的方式制備具有35ω/□的薄層電阻的導(dǎo)體，除了基底是具有約50μm的厚度的聚碳酸酯基底之外。所制備的導(dǎo)體具有90.1％的透射率和0.97％的霧度。圖4顯示所獲得的導(dǎo)體的導(dǎo)電層的掃描電子顯微鏡圖像。圖4的結(jié)果證實(shí)，所獲得的導(dǎo)體具有擁有網(wǎng)絡(luò)形狀的電結(jié)(electricaljunction)的逾滲(percolation)形狀。對(duì)于所獲得的在pi基底上的導(dǎo)體進(jìn)行彎曲測(cè)試若干次并且一些結(jié)果示于圖8中。彎曲測(cè)試的結(jié)果證實(shí)，隨著彎曲循環(huán)的次數(shù)增加，電阻變化率急劇增加。在200,000次循環(huán)之后導(dǎo)體的電阻變化率為約241±57％。圖5顯示在完成彎曲測(cè)試之后的所制備的導(dǎo)體的導(dǎo)電層的掃描電子顯微鏡圖像。從圖5，觀察到銀納米線的結(jié)層離和結(jié)/體(body)破裂。隨著增加次數(shù)的彎曲循環(huán)，銀納米線的結(jié)層離和結(jié)/體破裂引起電阻變化率的增加。電阻變化率的增加可引起包括這樣的導(dǎo)體的電子裝置(例如，觸摸屏面板或觸摸傳感器等)中的故障。實(shí)施例1：銀納米線的退火處理和x射線衍射分析將作為agnw分散體(得自aidenco.ltd.，agnw濃度0.5重量％)的分散體放置到70℃的烘箱中并且分別熱處理12小時(shí)、24小時(shí)和36小時(shí)。作為對(duì)照，使用未經(jīng)熱處理的agnw分散體。通過(guò)使用自動(dòng)化棒涂機(jī)將未經(jīng)熱處理的agnw分散體和經(jīng)熱處理不同時(shí)間的agnw分散體各自涂覆在聚碳酸酯基底(具有約50μm的厚度)上以提供膜，且將該膜在100℃下干燥5分鐘。以與對(duì)比例1中相同的方式將基于聚氨酯丙烯酸酯的能光固化的聚合物的3重量％溶液(由sukgyungat制造，商品名：sg-hstype30)外涂覆在導(dǎo)電層上并且使用uv照射固化，以提供導(dǎo)體。所獲得的導(dǎo)體可具有約7ω/□的薄層電阻。該實(shí)驗(yàn)旨在弄清楚熱處理對(duì)agnw的xrd分析結(jié)果的影響和獲得沒(méi)有任何實(shí)質(zhì)噪聲的清晰的結(jié)果，agnw分散體的濃度是相對(duì)高的且因此未測(cè)量導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)。對(duì)于所獲得的導(dǎo)體進(jìn)行x射線衍射分析，并且結(jié)果示于圖6和圖12中。在對(duì)于各x射線衍射光譜將歸屬于(111)面的主峰高斯擬合之后，計(jì)算2θ半寬度(fwhm)(參見(jiàn)圖13和圖14)。結(jié)果示于圖7中。x射線衍射分析的結(jié)果證實(shí)，在實(shí)施例1中，熱處理可導(dǎo)致(111)晶面的峰的2θ半寬度(fwhm)的減小。所述結(jié)果還證實(shí)，增加熱處理時(shí)間導(dǎo)致2θf(wàn)whm的進(jìn)一步減小且2θf(wàn)whm可為熱處理時(shí)間的函數(shù)。實(shí)施例2：以與對(duì)比例1中所描述的相同的方式制備導(dǎo)體，除了如下之外：將agnw分散體(agnw濃度0.5重量％，得自aidenco.ltd)放置在70℃的烘箱中并熱處理72小時(shí)且用水稀釋以提供0.1％agnw分散體。所述0.1％agnw分散體用于制備導(dǎo)體。所獲得的導(dǎo)體具有35ω/□的薄層電阻。通過(guò)使用相同的agnw分散體，以與以上闡述的相同的方式制備具有35ω/□的薄層電阻的導(dǎo)體，除了基底是具有約50μm的厚度的聚碳酸酯基底之外。所制備的導(dǎo)體具有90.1％的透射率和0.97％的霧度。所獲得的導(dǎo)體的導(dǎo)電層具有與對(duì)比例1的掃描電子顯微鏡圖像類(lèi)似的掃描電子顯微鏡圖像。對(duì)于所獲得的導(dǎo)體進(jìn)行彎曲測(cè)試若干次，并且一些結(jié)果連同對(duì)比例1的彎曲測(cè)試結(jié)果一起示于圖8中。彎曲測(cè)試的結(jié)果證實(shí)，當(dāng)與對(duì)比例1相比時(shí)，在重復(fù)的彎曲循環(huán)期間，電阻變化率的增加顯著降低。在200,000次彎曲循環(huán)之后電阻變化率為約45±12％。參照?qǐng)D7的結(jié)果，導(dǎo)體中包括的agnw的2θf(wàn)whm可小于或等于約0.27度。在所獲得的導(dǎo)體的彎曲測(cè)試之后，導(dǎo)體的導(dǎo)電層的掃描電子顯微鏡圖像示于圖9(放大倍率：50,000×)和圖10(放大倍率：100,000×)中。與示于圖5中的對(duì)比例1的結(jié)果相比，證實(shí)實(shí)施例2的導(dǎo)體可具有降低數(shù)量的結(jié)層離和結(jié)/體破裂。實(shí)施例3：以與對(duì)比例1中所述的相同的方式制備導(dǎo)體，除了如下之外：將agnw分散體(agnw濃度0.5重量％，得自aidenco.ltd.)在70℃的烘箱中熱處理1小時(shí)并且用水稀釋以提供0.1％agnw分散體，所述0.1％agnw分散體用作用于制備導(dǎo)體的agnw分散體。所獲得的導(dǎo)體具有35ω/□的薄層電阻。通過(guò)使用相同的agnw分散體，以與以上闡述的相同的方式制備具有35ω/□的薄層電阻的導(dǎo)體，除了基底是具有約50μm的厚度的聚碳酸酯基底之外。所制備的導(dǎo)體具有90.1％的透射率和0.97％的霧度。對(duì)于所獲得的導(dǎo)體進(jìn)行彎曲測(cè)試若干次，并且一些結(jié)果連同對(duì)比例1的彎曲測(cè)試結(jié)果一起示于圖8中。彎曲測(cè)試的結(jié)果證實(shí)，當(dāng)與對(duì)比例1相比時(shí)，電阻變化率的增加顯著降低，且在200,000次循環(huán)之后電阻變化率為約64±12％。這些結(jié)果和圖7的結(jié)果可意味著，導(dǎo)體中包括的agnw的2θf(wàn)whm可小于約0.40度。實(shí)施例4：以與對(duì)比例1中相同的方式制備導(dǎo)體，除了如下之外：將agnw分散體(agnw濃度0.5重量％，得自aidenco.ltd)在70℃的烘箱中熱處理30分鐘并且用水稀釋以提供0.1％agnw分散體，所述0.1％agnw分散體將用作用于制備導(dǎo)體的agnw分散液。所獲得的導(dǎo)體具有35ω/□的薄層電阻。通過(guò)使用相同的agnw分散體，以與以上闡述的相同的方式制備具有35ω/□的薄層電阻的導(dǎo)體，除了基底是具有約50μm的厚度的聚碳酸酯基底之外。所制備的導(dǎo)體具有90.1％的透射率和0.97％的霧度。從所獲得的導(dǎo)體的彎曲測(cè)試結(jié)果，證實(shí)在200,000次循環(huán)之后電阻變化率為平均約152％。這些結(jié)果和圖7的結(jié)果可意味著，導(dǎo)體中包括的agnw的2θf(wàn)whm小于約0.40度。對(duì)比例2：以與對(duì)比例1中相同的方式制備導(dǎo)體，除了如下之外：將agnw分散體(agnw濃度0.5重量％，得自aidenco.ltd.)在70℃的烘箱中熱處理10分鐘，并且用水稀釋以提供0.1％agnw分散體，所述0.1％agnw分散體將用作用于制備導(dǎo)體的agnw分散液。所獲得的導(dǎo)體具有35ω/□的薄層電阻。通過(guò)使用相同的agnw分散體，以與以上闡述的相同的方式制備具有35ω/□的薄層電阻的導(dǎo)體，除了基底是具有約50μm的厚度的聚碳酸酯基底之外。所制備的導(dǎo)體具有90.1％的透射率和0.97％的霧度。從所獲得的導(dǎo)體的彎曲測(cè)試結(jié)果，證實(shí)在200,000次循環(huán)之后電阻變化率為約224±44％。該結(jié)果意味著，對(duì)于導(dǎo)體中包括的agnw的2θf(wàn)whm，未發(fā)生從初始值(即，0.41度)的顯著變化。實(shí)施例5：使用自動(dòng)化棒涂機(jī)(gbc-a4,gist)將包括具有0.1重量％的濃度的銀納米線(在下文中，稱(chēng)為agnw)(直徑20nm，長(zhǎng)度18mm)的分散體涂覆在聚酰亞胺(pi)基底(厚度：125μm)上以提供膜，并且將所獲得的膜在100℃下干燥3分鐘以提供導(dǎo)電層。所述分散體是通過(guò)將agnw分散體(agnw濃度0.5重量％，得自aidenco.ltd.)分散在水中而制備的。以與對(duì)比例1中相同的方式將基于聚氨酯丙烯酸酯的能光固化的聚合物的3重量％溶液(由sukgyungat制造，商品名：sg-hstype30)外涂覆在導(dǎo)電層上并且通過(guò)uv固化以提供導(dǎo)體。所獲得的導(dǎo)體具有35ω/□的薄層電阻。通過(guò)使用相同的agnw分散體，以與以上闡述的相同的方式制備具有35ω/□的薄層電阻的導(dǎo)體，除了基底是具有約50μm的厚度的聚碳酸酯基底之外。所制備的導(dǎo)體具有90.1％的透射率和0.97％的霧度。將所獲得的導(dǎo)體放置在50℃的烘箱中并且在空氣中熱處理1小時(shí)。對(duì)于所獲得的導(dǎo)體進(jìn)行彎曲測(cè)試，并且結(jié)果連同對(duì)比例1的彎曲測(cè)試結(jié)果一起示于圖11中。從圖11，證實(shí)，與對(duì)比例1相比，實(shí)施例5的導(dǎo)體的電阻變化率增加隨著彎曲循環(huán)的次數(shù)而顯著降低，并且在200,000次循環(huán)之后電阻變化率為約132％。這些結(jié)果和圖7的結(jié)果可意味著，導(dǎo)體中包括的agnw的2θf(wàn)whm可小于約0.40度。實(shí)施例6：使用自動(dòng)化棒涂機(jī)(gbc-a4,gist)將包括具有0.1重量％的濃度的銀納米線(在下文中，稱(chēng)為agnw)(直徑20nm，長(zhǎng)度18mm)的分散體涂覆在聚酰亞胺(pi)基底(厚度：125μm)上以提供膜，并且將所獲得的膜在100℃下干燥3分鐘以提供導(dǎo)電層。所述分散體是通過(guò)用水稀釋agnw分散體(agnw濃度0.5重量％，得自aidenco.ltd.)而制備的。以與對(duì)比例1中相同的方式將基于聚氨酯丙烯酸酯的能光固化的聚合物的3重量％溶液(由sukgyungat制造，商品名：sg-hstype30)外涂覆在導(dǎo)電層上并且通過(guò)uv照射固化以提供導(dǎo)體。所獲得的導(dǎo)體具有35ω/□的薄層電阻。通過(guò)使用相同的agnw分散體，以與對(duì)比例1中描述的相同的方式制備具有35ω/□的薄層電阻的導(dǎo)體，除了基底是具有約50μm的厚度的聚碳酸酯基底之外。所制備的導(dǎo)體具有90.1％的透射率和0.97％的霧度。將所獲得的導(dǎo)體放置在70℃的烘箱中并且在空氣中熱處理1小時(shí)。對(duì)于所獲得的導(dǎo)體進(jìn)行彎曲測(cè)試，并且結(jié)果連同對(duì)比例1的彎曲測(cè)試結(jié)果一起示于圖11中。從圖11，證實(shí)，與對(duì)比例1相比，電阻變化率的增加隨著重復(fù)的彎曲循環(huán)而顯著降低，并且在200,000次循環(huán)之后電阻變化率為約101％。這些結(jié)果和圖7的結(jié)果可意味著，導(dǎo)體中包括的agnw的2θf(wàn)whm可小于約0.40度。盡管已經(jīng)關(guān)于目前被認(rèn)為是實(shí)踐性的示例性實(shí)施方式的內(nèi)容描述了本公開(kāi)內(nèi)容，但是將理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施方式。而是相反，意圖涵蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種變型和等同布置。當(dāng)前第1頁(yè)12