技術特征：

技術總結
公開銀納米線的群、其制造方法、包括其的電導體和電子裝置。所述電導體包括：基底；和設置在所述基底上并且包括多個銀納米線的導電層，其中所述銀納米線在其X射線衍射光譜中呈現(xiàn)歸屬于(111)晶面的主峰，且在高斯擬合之后的所述主峰的2θ半寬度(FWHM)小于約0.40度。

技術研發(fā)人員：金美靜;郭燦;金正華;高東秀;金光熙;金地玴
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發(fā)日：2016.11.16
技術公布日：2017.08.11