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一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極及其制作方法與流程

文檔序號(hào):12725699閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管領(lǐng)域,具體地涉及一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極及其制作方法,包括分布有納米凸起結(jié)構(gòu)的柔性透明基底以及位于柔性透明基底之上的多層電極結(jié)構(gòu),所述多層電極結(jié)構(gòu)自下而上包括:柔性透明基底上的種子層、位于種子層上的超薄金屬層、超薄金屬層上的減反增透層。因其隨機(jī)分布納米結(jié)構(gòu)的存在,有效降低了全反射,耦合出了被局限在OLED結(jié)構(gòu)中的部分波導(dǎo)模式和表面等離子體模式,實(shí)現(xiàn)了較無(wú)光提取結(jié)構(gòu)OLED器件出光效率大幅度提升,并且提出的納米結(jié)構(gòu)制作方法兼容于大面積或者精細(xì)小面積的制備過(guò)程。

技術(shù)研發(fā)人員:史浩飛;姬乙雄;楊俊;羅偉;湯林龍;白向興;魏興戰(zhàn);陸仕榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
文檔號(hào)碼:201710206278
技術(shù)研發(fā)日:2017.03.31
技術(shù)公布日:2017.06.20

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