1.一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極，其特征在于：包括分布有隨機(jī)或者準(zhǔn)周期分布的納米凸起結(jié)構(gòu)的柔性透明基底(1)以及位于柔性透明基底(1)之上的多層電極結(jié)構(gòu)，所述多層電極結(jié)構(gòu)自下而上包括：柔性透明基底(1)上的種子層(2)、位于種子層(2)上的超薄金屬層(3)、超薄金屬層(3)上的減反增透層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極，其特征在于：其中所述的柔性透明基底(1)為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極，其特征在于：所述納米凸起結(jié)構(gòu)面的粗糙度小于超薄金屬層的導(dǎo)電薄膜厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極，其特征在于：所述種子層(2)為金屬氧化物ZnO、TiOX、NiOX、V2O5中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極，其特征在于：所述超薄金屬層(3)為Ag、Al、Au、Cu中的一種或者幾種，或者為上述金屬中某一種或者幾種的的部分氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極，其特征在于：所述減反增透層(4)為聚合物PEDOT:PSS、無機(jī)物CuSCN或者金屬氧化物ZnO、TiO2其中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于OLED光提取的超薄金屬透明電極，其特征在于：所述納米凸起結(jié)構(gòu)的凸起尺寸最大值在40-60nm之間，接近于超薄金屬層與減反增透層的厚度之和，上下不超過10nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的一種柔性超薄金屬透明電極，其中所述的該柔性超薄金屬透明電極以及相關(guān)OLED制作方法，包括：
a)將透明基底清洗并提前吹干；
b)在基底上用磁控濺射的方法制作種子層，磁控濺射過程中，Ar等離子同時作用在柔性透明基底上產(chǎn)生隨機(jī)分布的納米凸起結(jié)構(gòu)，由此得到結(jié)構(gòu)化的柔性透明電極；
c)在種子層上繼續(xù)制作超薄金屬層；
d)在超薄金屬層上制作減反增透層；
e)在減反層上通過溶液旋涂的方法制備發(fā)光層；
f)在發(fā)光層上制備電極層，完成整個OLED的制作。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種柔性超薄金屬透明電極以及相關(guān)OLED制作方法，其特征在于：磁控濺射過程中控制濺射功率在40-70w之間。