專利名稱：：光記錄介質用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成這些半透明反射膜和反射膜的Ag合...的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及作為光記錄介質的構成層的半透明反射膜和反射膜，以及用于由濺射法形成這些半透明反射膜和反射膜的Ag合金濺射靶，所述光記錄介質是可使用半導體激光等的激光束將聲音、影像、文字等的信息信號進行再生或者記錄再生鄰去的光記錄盤(CD-RW,DVD-RW，DVD-RAM等)等。特別地，本發(fā)明適用于使用藍色激光進行記錄、再生或者消去的光記錄盤(基于藍光光盤規(guī)格、HDDVD規(guī)格的光記錄盤等)的半透明反射膜和反射膜，以及用于形成這些半透明反射膜和反射膜的濺射粑。
背景技術：
：近年來，提出了具有2層記錄膜的2層記錄型的光記錄介質，對于該2層記錄型的光記錄介質，在入射光側設置了厚度為5~15nm左右的極薄的半透明反射膜，所述半透明反射膜除了相對于入射光側的記錄層具有作為反射膜的功能以外，還具有透射光而在第二記錄層上記錄或者再生的功能。作為在該2層記錄型的光記錄介質上形成的半透明反射膜，使用了純Ag膜或者Ag合金膜，該純Ag膜或者Ag合金膜具有迅速將加熱了的記錄膜的熱量散去的作用，同時對于在400~800nm這樣寬范圍的波長區(qū)域的激光具有低的吸收率，因此被廣泛應用。作為光記錄介質用反射膜的一個例子，已知具有含有0.001~0.1質量o/。的Ca、余量包含Ag的成分組成的光記錄介質用反射膜，已知該反射膜通過使用Ag合金靶進行濺射而形成，所述Ag合金靶具有含有0.001~0.1質量％的Ca、余量包含Ag的組成。對于上述具有含有0.001~0.1質量。/。的Ca、余量包含Ag的成分組成的反射膜，其與純Ag制的反射膜的反射率幾乎相同，進而與純Ag制的反射膜相比抑制了重結晶化，具有反射率不隨時間下降的優(yōu)異特性(參考專利文獻l)。另外，作為光記錄介質的反射膜的其他例子，在專利文獻2中記述了一種半透明反射膜，其具有下述的成分組成，即，含有0.1原子％以上的Nd或者Y中的至少一種，進而以合計0.2~5.0原子％的量含有選自Au、Cu、Pd、Mg、Ti和Ta的至少一種，余量包含Ag。記述了該半透明反射膜通過使用Ag合金靶進行濺射而形成，所述Ag合金靼具有下述的成分組成，即，含有0.1原子％以上的Nd或者Y中的至少一種，進而以合計0.2~5.0原子％的量含有選自Au、Cu、Pd、Mg、Ti和Ta的至少一種，余量包含Ag。專利文獻l:特開2003-6926號公報專利文獻2:特開2002-15464號公報
發(fā)明內容一般地，光記錄介質的半透明反射膜在吸收入射光時會產生第二記錄層記錄或者再生的效率變差的問題，因此對于半透明反射膜，需要降低入射光在半透明反射膜上的吸收。另一方面，出于在入射側的第一記錄層上進行高速記錄的要求，半透明反射膜必須同時實現(xiàn)高熱傳導性。作為賦予這種特性的最優(yōu)選的材料，已知有純Ag，但是對于包含純Ag的半透明反射膜，雖然剛使用后的吸收率最低，但如果在記錄或者記錄/再生/消去時被加熱，則由于膜產生凝聚而導致在半透明反射膜上開孔，進而由于純Ag制的半透明反射膜的耐腐蝕性差，因此有在短時間內吸收率急劇上升的問題。另一方面，本發(fā)明人們使用目前已知的包含Ag合金的反射膜用靶制成具有反射膜厚約1/10的、厚度為5~15nm的薄膜，并試圖將該薄膜作為半透明反射膜來使用，所述Ag合金含有0.001~0.1質量％的Ca、余量包含Ag。其結果是包含Ag合金的半透明反射膜與純Ag制的半透明反射膜相比，雖然在記錄、或者記錄/再生/消去時即使加熱，膜也不凝聚、耐腐蝕性優(yōu)異、且發(fā)現(xiàn)吸收率的經時變化抑制效果，但是依然入射光的吸收率很高，不能說是十分滿意的，所述Ag合金含有0.001~0.1質量。/。的Ca、余量包含Ag。另外，本發(fā)明人們試著使用在專利文獻2中記述的半透明反射膜，該半透明反射膜具有下述的成分組成，即，含有0.1原子％以上的Nd或者Y中的至少1種、進而含有0.2~5.0原子％的Mg、余量包含Ag。其結果是該半透明反射膜與純Ag制的半透明反射膜相比，雖然在記錄、或者記錄/再生/消去時即使加熱，膜也不凝聚、耐腐蝕性優(yōu)異，且一定程度地發(fā)現(xiàn)吸收率的經時變化抑制效果，但是該效果不充分，進而要求更大的入射光吸收率經時變化的抑制效果。因此，本發(fā)明人們?yōu)榱说玫骄哂心湍坌院湍透g性的特性、且入射光吸收率的經時變化少的Ag合金半透明反射膜而進行了研究。作為其結果，可以得到下述的研究成果。(i)通過將具有在Ag合金中進而含有0.05~1質量％的Mg的成分組成的Ag合金靶進行濺射而得到的厚度為5~15nm的Ag合金膜，其具有低吸收率、高耐凝聚性、高耐腐蝕性等的特性，即使長時間反復進行記錄、或者記錄/再生/消去也可抑制吸收率的增加，且作為光記錄介質的半透明反射膜具有優(yōu)異的特性，所述Ag合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、余量包含Ag的成分組成。(ii)上述(i)記述的通過使用在Ag合金中進而含有0.1~2質量%的Cu的Ag合金粑進行濺射而得到的厚度為5~15nm的Ag合金膜，其可以維持低吸收率，同時進而具有更高耐凝聚性、高耐腐蝕性等的特性，該Ag合金膜作為光記錄介質的半透明反射膜具有優(yōu)異的特性，所述Ag合金具有含有0.001~0.1質量°/0的Ca、0.05~1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。(iii)上述(i)記述的通過使用在Ag合金中進而含有0.05~1質量％的稀土元素的Ag合金靶進行濺射而得到的厚度為5~15nm的Ag合金膜，其可以維持低吸收率，同時進而具有更高耐凝聚性、高耐腐蝕性等的特性，該Ag合金膜作為光記錄介質的半透明反射膜具有優(yōu)異的特性，所述Ag合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。(iv)對于上述(i)記述的通過使用在Ag合金中進而含有0.1~2質量％的Cu和0.05~1質量％的稀土元素的Ag合金靶進行濺射而得到的厚度為515nm的Ag合金膜，其可以維持低吸收率，同時進而具有更高耐凝聚性、高耐腐蝕性等的特性，該Ag合金膜作為光記錄介質的半透明反射膜具有優(yōu)異的特性，所述Ag合金具有含有0.001~0.1質量%的Ca、0.05l質量Q/。的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。(v)包含Ag合金的半透明反射膜，與現(xiàn)有的Ag合金半透明反射膜相比，其可以維持低吸收率，同時進而具有更高耐凝聚性、高耐腐蝕性等的特性，因此，入射光的吸收率經時變化進一步變少，所述Ag合金具有下述的組成，即，含有0.05~1質量％的Mg、進而在稀土元素中以合計0.05~1質量％的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的1種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質。(vi)上述(v)記述的半透明反射膜可以通過使用包含Ag合金的Ag合金粑進行濺射而得，所述Ag合金具有下述的組成，即，含有0.05~l質量Q/。的Mg、進而以合計0.05-l質量y。的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的1種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質。本發(fā)明基于上述研究成果而完成，其具有下述的特征，(1)包含銀合金的光記錄介質用半透明反射膜，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成，(2)包含銀合金的光記錄介質用半透明反射膜，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的Cu、余量包含Ag和不可避免雜質的組成，(3)包含銀合金的光記錄介質用半透明反射膜，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成，(4)包含銀合金的光記錄介質用半透明反射膜，所述銀合金具有含有0.001-0.1質量o/。的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的Cu、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。進而，本發(fā)明人們弄清楚了通過使用具有上述(i)~(iv)所述組成的Ag合金粑進行濺射而得的厚度為50~150nm的Ag合金膜，由于其熱傳導性優(yōu)異，進而高耐凝聚性、高耐腐蝕性等優(yōu)異，所以該Ag合金膜作為光記錄介質的反射膜具有優(yōu)異的特性。因此，本發(fā)明也具有下述的特征，(5)包含銀合金的光記錄介質用反射膜，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05-1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成，(6)包含銀合金的光記錄介質用反射膜，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05-1質量％的Mg、0.12質量。/o的Cu、余量包含Ag和不可避免雜質的組成，(7)包含銀合金的光記錄介質用反射膜，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。(8)包含銀合金的光記錄介質用反射膜，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的Cu、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。上述(l)~(4)所述的包含銀合金的光記錄介質用半透明反射膜和上述(5)~(8)所述的包含銀合金的反射膜可以使用與它們具有相同成分組成的Ag合金濺射靶來制作。因此，本發(fā)明也具有下述的特征，(9)包含銀合金的、用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金濺射粑，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成,(10)包含銀合金的、用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金濺射靶，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的01、余量包含Ag和不可避免雜質的組成，(11)包含銀合金的、用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金賊射把，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。(12)包含銀合金的、用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金濺射粑，所述銀合金具有含有0.001~0.1質量。/o的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.12質量o/o的Cu、0,05~1質量%的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。另外，本發(fā)明也具有下述的特征，(13)包含銀合金的光記錄介質的半透明反射膜，所述銀合金具有下述的組成，即，含有0.05~1質量％的Mg、進而以合計0.05~1質量Q/o的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的l種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質，(14)包含銀合金的、光記錄介質的半透明反射膜形成用Ag合金濺射粑，所述銀合金具有下述的組成，即，含有0.05~1質量°/。的Mg、進而以合計0.05~1質量％的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的1種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質。以下，對于上述(l)~(4)的光記錄介質用半透明反射膜、上述(5)~(8)的光記錄介質用反射膜、以及上述(9)~(12)的Ag合金'踐射耙進行說明。用于形成上述(1)~(4)的半透明反射膜和(5)~(8)的反射膜的上述(9)~(12)的Ag合金濺射粑可以如下述那樣來制作，即，作為原料，準備純度為99.99質量。/。以上的高純度Ag、純度為99.9質量。/o以上的高純度Mg、純度為99.9質量Q/。以上的高純度Ca,首先制作將高純度Ag在高真空或者惰性氣體氛圍中熔融而得的高純度Ag熔融液，在這些高純度Ag熔融液中以形成規(guī)定的含量這樣來添加Ca,之后通過在真空或者惰性氣體氛圍中進行鑄造來預先制成Ag-Ca母合金。進而，制作將高純度Ag在高真空或者惰性氣體氛圍中熔融而得的高純度Ag熔融液，在些Ag熔融液中以形成規(guī)定的含量這樣來添加Mg,在這樣得到的含有Mg的Ag合金熔融液中添加預先制成的Ag-Ca母合金，使含有的Ca為規(guī)定的成分組成這樣的方式來調節(jié)成分，之后根據(jù)需要添加Cu和/或稀土元素，將得到的Ag合金熔融液在鑄;f莫中鑄造來制備鑄錠，通過將這些鑄錠在冷加工后進行機械加工，可以制成上述(9)~(12)的Ag合金濺射靶。使用這樣制成的Ag合金靶、并使用通常的濺射裝置可以形成本發(fā)明的包含Ag合金的上述(1)~(4)的半透明反射膜和(5)~(8)的反射膜。接著，對于本發(fā)明的包含Ag合金的上述(1)~(4)的半透明反射膜和(5)~(8)的反射膜、以及包含該Ag合金的用于形成半透明反射膜和反射膜的上述(9)~(12)的濺射靶的成分組成如上述那樣限定的理由進行說明。Ca:Ca在Ag中幾乎不固溶，但可通過利用濺射法形成膜而強制固溶在由Ag形成的晶粒內，由此抑制Ag在半透明反射膜和反射膜的晶粒內的自擴散，進而Ca也在晶界析出，由于向Ag內部的強制固溶和向晶界的析出這兩者的效果，膜即使被加熱也可以防止晶粒之間的結合，對于防止半透明反射膜和反射膜的凝聚具有促進效果，因此添加，但當Ca的含量小于0.001質量％時不能得到期望的效果，另一方面，當Ca的含量超過0.1質量％時，Ag合金的半透明反射膜和反射膜的熱導率降低，從而不是優(yōu)選的。因此，將在Ag合金的半透明反射膜和反射膜以及用于形成該Ag合金的半透明反射膜和反射膜的濺射靶中含有的這些Ca的含量定為0.001~0.1質量％。更優(yōu)選的范圍是0.01~0.05質量％。Mg:Mg在Ag中固溶，具有抑制半透明反射膜和反射膜的經時變化、提高耐凝聚性和耐腐蝕性的作用，但當Mg的含量小于0.05質量y。時，由于半透明反射膜的吸收率在短時間內增加，所以對于經時變化的抑制和耐凝聚性的提高不能發(fā)揮充分的效果，另一方面，當含量大于1質量％時，半透明反射層的入射光的吸收率變大，同時反射膜的反射率降低，光記錄盤的第二記錄層的記錄或者再生效率惡化，從而不是優(yōu)選的。因此，將在Ag合金的半透明反射膜和反射膜以及用于形成該Ag合金的半透明反射膜和反射膜的濺射靶中含有的這些Mg的含量定為0.05~小于1質量°/。。更優(yōu)選的范圍是O.l~0.3質量％。Cu:Cu在Ag中固溶，具有提高半透明反射膜和反射膜的耐凝聚性和耐腐蝕性的作用，因此可以根據(jù)需要而添加，但當其添加量小于0.1質量%時，不能發(fā)揮提高耐凝聚性的效果，另一方面，當添加量超過2質量%時，半透明反射膜的吸收率增大，進而反射膜的反射率降低，因此2層記錄光盤的第二記錄層的記錄或者再生效率惡化，從而不是優(yōu)選的。因此，Cu的添加量定為0.1~2質量％。更優(yōu)選的范圍是0.2~0.6質量％。稀土元素稀土元素除了在Ag中稍有固溶以夕卜，另外可與Ag在晶界形成金屬間化合物，具有提高半透明反射膜和反射膜的耐凝聚性的作用，因此可以根據(jù)需要而添加，但當其添加量小于0.05質量％時，不能發(fā)揮提高耐凝聚性的效果，另一方面，當添加量超過1質量％時，給半透明反射膜和反射膜的耐腐蝕性帶來壞的影響，進而使熱導率降低，從而不是優(yōu)選的。因此，稀土元素的添加量定為0.05~1質量％。更優(yōu)選的范圍是0.2~0.5質量％。更優(yōu)選稀土元素是Tb、Gd、Dy、Pr、Nd、Eu、La、Ce中的1種或者2種以上。接著，對于上述(13)的半透明反射膜以及上述(14)的Ag合金濺射靶進行說明。用于形成上述(13)的半透明反射膜的上述(14)的Ag合金濺射耙可以如下述那樣來制作，即，作為原料，準備純度為99.99質量％以上的高純度Ag、純度為99.9質量。/。以上的高純度Mg、純度為99質量。/o以上的高純度Eu、Pr、Ce和Sm,首先，制作將高純度Ag在高真空或者惰性氣體氛圍中熔融而得的高純度Ag熔融液，在這些Ag熔融液中以形成規(guī)定的含量這樣來添加Mg,在這樣得到的含有Mg的Ag合金熔融液中添加Eu、Pr、Ce和Sm中的l種或者2種以上，將得到的Ag合金熔融液在鑄模中鑄造來制備鑄錠，通過將這些鑄錠在冷加工后進行機械加工，可以制成上述(14)的Ag合金濺射粑。使用這樣制成的Ag合金靶、并使用通常的濺射裝置可以形成本發(fā)明的包含Ag合金的上述(13)的半透明反射膜。接著，對于本發(fā)明的包含Ag合金的上述(13)的半透明反射膜和包含該Ag合金的用于形成半透明反射膜的上述(14)的濺射靶的成分組成如上述那樣限定的理由進行說明。Mg:Mg在Ag中固溶，具有抑制半透明反射膜的經時變化、提高耐凝聚性和耐腐蝕性的作用，但當Mg的含量小于0.05質量。/。時，由于半透明反射膜的吸收率在短時間內增加，所以對于提高耐凝聚性不能發(fā)揮充分的效果，因此，不能得到充分抑制入射光吸收率的經時變化的效果，從而不是優(yōu)選的。另一方面，當Mg的含量大于1質量％時，半透明反射層的入射光的吸收率變大，光記錄盤的第二記錄層的記錄或者再生效率惡化，從而不是優(yōu)選的。因此，將在Ag合金半透明反射膜和用于形成該Ag合金半透明反射膜的濺射靶中含有的這些Mg的含量定為0.05~小于1質量％。更優(yōu)選的范圍是O.l~0.3質量％。Eu、Pr、Ce和Sm:這些稀土元素除了在Ag中稍有固溶以外，另外可與Ag在晶界形成金屬間化合物，通過與Mg—同含有，具有提高半透明反射膜的耐凝聚性的作用，因此添加，但當其添加量小于0.05質量％時，不能發(fā)揮提高耐凝聚性的效果，另一方面，當添加量超過1質量％時，給半透明反射膜的耐腐蝕性帶來壞的影響，進而使熱導率降低，從而不是優(yōu)選的。因此，上述稀土元素的添加量定為0.05~1質量％。更優(yōu)選的范圍是0.2~0.5質量％。本發(fā)明的使用Ag合金濺射靶制成的光記錄介質用半透明反射膜和反射膜，與現(xiàn)有的使用Ag合金濺射靶制成的光記錄介質用半透明反射膜和反射膜相比具有幾乎相等的耐腐蝕性，進而具有與純Ag制的半透明反射膜和反射膜相近的高熱導率和低吸收率，且可以抑制由半透明反射膜的經時變化導致的膜的吸收率增大和由反射膜的經時變化導致的反射率的降低，能夠制造可長期使用的光記錄介質，對于傳媒(media)產業(yè)的發(fā)展能夠做出巨大的貢獻。具體實施例方式作為原料，準備純度為99.99質量％以上的Ag、純度為99.9質量％以上的Ca、純度為99.9質量％以上的Mg、純度為99.999質量％以上的Cu和純度為99質量％以上的Tb、Gd、Dy、Pr、Nd、Eu、La、Ce。首先，將Ag在高頻真空熔融爐中進行熔融來制備Ag熔融液，在該Ag熔融液中添加Ca使其含量為6質量％,熔融后填充Ar氣體使爐內壓力變至大氣壓，之后在石墨鑄模中進行鑄造，制成Ag-6質量。/。Ca母合金。接著，將Ag在高頻真空熔融爐中進行熔融來制備Ag熔融液，在該Ag熔融液中添加Mg,進而添加上述Ag-6質量。/oCa母合金并熔融，進而根據(jù)需要添加Cu、Tb、Gd、Dy、Pr、Nd、Eu、La、Ce并進行熔融、鑄造，由此制成鑄錠，將得到的鑄錠進行冷軋后，在大氣中、60(TC的條件下保持2小時來實施熱處理，接著通過進行機械加工制成具有直徑為152.4mm、厚度為6mm的尺寸、且具有表1~2所示成分組成的本發(fā)明靼1A46A和比較粑1A~12A。進而作為比較，通過用高頻真空熔融爐將Ag熔融來制備Ag熔融液，利用石墨制鑄模將得到的Ag熔融液在Ar氣體氛圍中進行鑄造，由此制成鑄錠，將得到的鑄錠以規(guī)定的大小切割后，在室溫下進行冷軋，之后在550。C、保持1小時的條件下施加熱處理，接著通過進行機械加工制成具有直徑為152.4mm、厚度為6mm尺寸、表2所示的包含純Ag的現(xiàn)有草巴1A。進而作為比4交，通過用高頻真空熔融爐將Ag熔融來制備Ag熔融液，在得到的Ag熔融液中添加上述Ag-6質量Q/。Ca母合金來制備Ag合金熔融液，利用石墨制鑄模將該Ag合金熔融液在Ar氣體氛圍中進行鑄造，由此制成鑄錠，將得到的鑄錠以規(guī)定的大小切割后，在室溫下進行冷軋，之后在550。C、保持1小時的條件下施加熱處理，接著通過進行機械加工制成具有直徑為152.4mm、厚度為6mm的尺寸、且具有表1~2所示成分組成的包含Ag合金的現(xiàn)有耙2A。實施例1A將這些本發(fā)明耙1A~46A、比較耙1A~12A和現(xiàn)有耙1A~2A分別焊接在無氧銅制的被襯板上，并將其安裝在直流磁控管濺射裝置上，利用真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內排氣至lxlO"Pa后，引入Ar氣體并形成l.OPa的濺射壓，接著利用直流電源在靼上外加250W的直流賊射功率，使在具有縱向為30mm、橫向為30mm、厚度為lmm尺寸的帶有氧化膜的Si晶片基板和具有縱向為30mm、橫向為30mm、厚度為0.6mm尺寸的聚碳酸酯基板與上述耙之間產生等離子體，所述Si晶片基板和聚碳酸酯基板與上述靶呈對向且設置70mm的間隔、并與靶平行來配置，從而形成厚度為100nm的具有表37所示成分組成的包含Ag合金的本發(fā)明反射膜1A~46A、比較反射膜1A~12A和現(xiàn)有反射膜1A~2A。對于這樣形成的厚度為100nm的本發(fā)明反射膜1A46A、比較反射膜1A~12A和現(xiàn)有反射膜1A~2A,進行下述的試馬t。(a)反射膜的熱導率測定通過四探針法測定在帶有氧化膜的Si晶片基板上形成的厚度為lOOnm的具有表3~7所示成分組成的本發(fā)明反射膜1A46A、比4支反射膜1A-12A和現(xiàn)有反射膜1A2A的電阻率，利用基于維德曼-弗朗茨定律的式子k=2.44xl(T8T/p(其中，k:熱導率、T:絕對溫度、p:電阻率)由電阻率值通過計算求得熱導率，其結果示于表3~7。(b)反射膜的耐腐蝕性試驗利用分光光度計測定形成于聚碳酸酯基板上的反射膜在剛成膜后的反射率，其結果示于表3~7,之后將形成的包含Ag合金的反射膜在溫度為8CTC、相對濕度為85%的恒溫恒濕槽中保持200小時，然后再次在相同的條件下測定反射率。由得到的反射率數(shù)據(jù)可以求得在405nm和650nm的波長下的各反射率，其結果示于表3-7,評價作為光記錄介質用反射膜的耐腐蝕性。(c)反射膜的晶粒的粗大化試驗利用掃描型探針顯微鏡測定形成于帶有氧化膜的Si晶片基板上的反射膜在剛成膜后的平均面粗度，其結果示于表3~7,之后將形成的反射膜在真空中、25(TC的溫度下保持30分鐘，然后再次在相同的條件下測定表面粗度，其結果示于表3~7,對于晶粒的粗大化的容易度進行評價。其中，掃描型探針顯微鏡使用七43-^77抹式會社制SPA-400AFM,測定lpmxl^m區(qū)域的平均面粗度(Ra)。平均面粗度是在JISB0601中定義的、為了能夠適用于面而將中心線平均粗度擴展到三維空間的粗度，可以用下式表示。Ra=l/S0J丁IF(X，Y)-Z0IdXdY其中，F(xiàn)(X,Y):全部測定數(shù)據(jù)表示的面、So:指定面假定為理想的平面時的面積、Z0:指定面內的Z數(shù)據(jù)的平均值。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>[表6]<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>從表1~7所示的結果可知，本發(fā)明的通過使用本發(fā)明靶1A~46A進行濺射得到的本發(fā)明反射膜1A~46A,與通過使用現(xiàn)有靶1A~2A進行濺射得到的現(xiàn)有反射膜1A2A相比，熱導率幾乎相同，利用溫度為80。C、相對濕度為85%的恒溫恒濕槽保持200小時后的反射率的降低少，進而晶粒難以粗大化。但是，可知對于通過使用具有本發(fā)明范圍以外的成分組成的比較靶1A~12A進行濺射得到的比較反射膜1A~12A,其反射率降低，或者熱導率下降，進而晶粒粗大化，從而表現(xiàn)為不優(yōu)選的特性。實施例2A將事先準備的本發(fā)明耙1A46A、比較靶1A~12A和現(xiàn)有靶1A~2A分別焊接在無氧銅制的被襯板上，并將其安裝在直流磁控管濺射裝置上，利用真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內排氣至lxi(r4Pa以下后，引入Ar氣體并形成l.OPa的濺射壓，接著利用直流電源在靶上外加IOOW的直流賊射功率，使在縱向為30mm、橫向為30mm、厚度為0.6mm的聚碳酸酯基板與上述本發(fā)明耙1A46A、比較粑1A~12A和現(xiàn)有耙1A-2A之間產生等離子體，所述聚碳酸酯基板與上述靶呈對向且設置70mm的間隔、并與上述靶平行來配置，在聚碳酸酯基板上形成厚度為10nm的具有表8IO所示成分組成的本發(fā)明半透明反射膜1A~46A、比較半透明反射膜1A~12A和現(xiàn)有半透明反射膜1A~2A。對于這些半透明反射膜進行下述的測定，其結果示于表8~10。(d)半透明反射膜的熱導率測定半透明反射膜的熱導率與實施例1A中得到的反射膜的熱導率相同，因此將在實施例1A中得到的反射膜的熱導率作為半透明反射膜的熱導率示于表8~10。(e)半透明反射膜的吸收率測定對于在聚碳酸酯基板上形成的厚度為10nm的具有表8-10所示成分組成的本發(fā)明半透明反射膜1A~46A、比較半透明反射膜1A~12A和現(xiàn)有半透明反射膜1A-2A,利用分光光度計在650nm的波長下測定半透明反射膜側的反射率和透射率，將"100-(反射率+透射率)"定義為吸收率而求出，其結果示于表8~10。(f)半透明反射膜的耐凝聚性測定將在聚碳酸酯基板上形成厚度為10nm的具有表8~10所示成分組成的本發(fā)明半透明反射膜1A~46A、比較半透明反射膜1A12A和現(xiàn)有半透明反射膜1A2A而得到的^L覆板作為耐凝聚性評價樣品，將這些耐凝聚性評價樣品在溫度為9(TC、相對濕度為85%的恒溫恒濕槽中保持300小時后，利用分光光度計在650nm的波長下測定半透明反射膜側的反射率和透射率，利用上述吸收率的定義求得耐凝聚性試驗后的膜的吸收率。使用在上述(e)的半透明反射膜的吸收率測定中求得的值作為耐凝聚性試驗前的吸收率，求出耐凝聚性試驗前后的吸收率增加量，其結果示于表8~10,對半透明反射膜的耐凝聚性進行評價。<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>[表io]<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>從表1~2和表8~IO所示的結果可知，通過使用本發(fā)明把1A~46A進行濺射而得的半透明反射膜，與通過使用現(xiàn)有靶1A進行濺射而得的半透明反射膜相比具有吸收率小、進而由凝聚導致的吸收率的增加小的優(yōu)點，進而與使用現(xiàn)有乾2A進行濺射而得的半透明反射膜相比，熱導率高、吸收率低，因此作為半透明反射膜具有優(yōu)異的特性。但是，對于使用本發(fā)明范圍以外的含有Mg、Ca的比較靶1A~12A所制成的半透明反射膜，其吸收率差、或者熱導率降低，從而表現(xiàn)為不優(yōu)選的特性。接著，作為原料，準備純度為99.99質量％以上的Ag、純度為99.9質量。/o以上的Mg、和純度為99質量o/。以上的Eu、Pr、Ce、Sm、Nd和Y。接著，將Ag在高頻真空熔融爐中進行熔融來制備Ag熔融液，在該Ag溶鬲蟲液中添力口Mg,進而添力口Eu、Pr、Ce、Sm、Nd和Y并進4亍溶禹蟲、鑄造，由此制成鑄錠，將得到的鑄錠進行冷軋后，在大氣中、600。C的條件下保持2小時來實施熱處理，接著通過進行機械加工制成具有直徑為152.4mm、厚度為6mm的尺寸、且具有表11~12所示成分組成的本發(fā)明粑IB~30B、比較耙IB~10B和現(xiàn)有靼IB~2B。使用這些本發(fā)明耙IB~30B、比較靶IB~10B和現(xiàn)有靶IB~2B分別制成半透明反射膜，對于這些半透明反射膜進行下述的測定，其結果示于表13、14。(g)膜的熱導率測定將這些本發(fā)明耙IB~30B、比較靼IB~10B和現(xiàn)有革巴IB~2B分別焊接在無氧銅制的被襯板上，并將其安裝在直流磁控管濺射裝置上，利用真空排氣裝置將直流磁控管濺射裝置內排氣至lxi(^Pa以下后，引入Ar氣體并形成l.OPa的濺射壓，接著利用直流電源在耙上外加250W的直流'踐射功率，使在縱向為30mm、橫向為30mm、厚度為1mm的帶有氧化膜的Si晶片基板與上述靶之間產生等離子體，所述Si晶片基板與上述靶呈對向且設置70mm的間隔、并與上述靶平行來配置，從而形成厚度為10nm的具有表13,14所示成分組成的本發(fā)明半透明反射膜IB~30B、比較半透明反射膜IB~10B和現(xiàn)有半透明反射膜IB~2B。通過四探針法測定這些具有表13、14所示成分組成的本發(fā)明半透明反射膜1B~30B、比較半透明反射膜1B~10B和現(xiàn)有半透明反射膜IB~2B的電阻率，利用基于維德曼-弗朗茨定律的式子k=2.44xlCT8T/p(其中，k:熱導率、T:絕對溫度、p:電阻率)由電阻率值通過計算求得熱導率，其結果示于表13、14。(h)膜的吸收率測定為了測定反射率.透射率，使在縱向為30mm、橫向為30mm、厚度為0.6mm的聚碳酸酯基板與上述本發(fā)明耙1B30B、比較粑IB~10B和現(xiàn)有靶1B~2B之間產生等離子體，在聚碳酸酯基板上形成厚度為10nm的具有表13、14所示成分組成的本發(fā)明半透明反射膜1B~30B、比較半透明反射膜1B~IOB和現(xiàn)有半透明反射膜1B~2B,利用分光光度計在65011111的波長下測定半透明反射膜側的反射率和透射率，將"100-(反射率+透射率)"定義為吸收率而求出，其結果示于表13、14。(i)膜的耐凝聚性測定使在縱向為30mm、橫向為30mm、厚度為0.6mm的聚碳酸酯基板與上述本發(fā)明靼1B~30B、比較粑1B~IOB和現(xiàn)有靼1B2B之間產生等離子體，在聚碳酸酯基板上形成厚度為10nm的具有表13、14所示成分組成的本發(fā)明半透明反射膜1B30B、比較半透明反射膜1B~IOB和現(xiàn)有半透明反射膜1B~2B,將這些耐凝聚性評價樣品在溫度為90°C、相對濕度為85%的恒溫恒濕槽中保持300小時后，利用分光光度計在650nm的波長下測定半透明反射膜側的反射率和透射率，根據(jù)上述吸收率的定義求得耐凝聚性試驗后的膜的吸收率。使用在上述(h)膜的吸收率測定中求得的值作為耐凝聚性試驗前的吸收率，求出耐凝聚性試驗前后的吸收率增加量，其結果示于表13、14,基于該結果對膜的耐凝聚性進行評價。[表11]<table>complextableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>[表12]<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>注*標記表示本發(fā)明范圍以外的值。<table>complextableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>從表11~14所示的結果可知，通過使用本發(fā)明耙1B~30B進行濺射而得到的半透明反射膜，與通過使用現(xiàn)有靶1B~2B進行濺射而得到的半透明反射膜相比，由于熱導率高、吸收率增加量低，所以耐凝聚性更為優(yōu)異，從而吸收率經時變化更少，因此作為半透明反射膜具有優(yōu)異的特性。但是，對于使用本發(fā)明范圍以外的含有Mg、Ca的比較耙lBIOB所制成的半透明反射膜，其吸收率增加量變差、或者熱導率下降，從而表現(xiàn)為不優(yōu)選的特性。產業(yè)實用性本發(fā)明的光記錄介質用半透明反射膜和光記錄介質用反射膜具有低吸收率、高耐凝聚性、高耐腐蝕性等的特性，即使長時間反復進行記錄、再生或者消去也能夠抑制吸收率的增加，因此作為記錄盤(CD-RW,DVD-RW,DVD-RAM等)等、特別是使用藍色激光進行記錄、再生或者消去的光記錄盤(藍光光盤規(guī)格、HDDVD規(guī)格等的光記錄盤)的光記錄介質的構成層是非常有用的。權利要求1.光記錄介質用半透明反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001～0.1質量％的Ca、0.05～1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。2.光記錄介質用半透明反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量0/o的Cu、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。3.光記錄介質用半透明反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。4.光記錄介質用半透明反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量%的Cu、0.05-1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。5.光記錄介質用反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05-1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。6.光記錄介質用反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001-0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的Cu、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。7.光記錄介質用反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。8.光記錄介質用反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的Cu、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。9.用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金濺射靶，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量%的Ca、0.05l質量%的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。10.用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金濺射靶，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量%的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的01、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。11.用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金'踐射靶，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。12.用于形成光記錄介質用半透明反射膜或者光記錄介質用反射膜的Ag合金賊射靶，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.001~0.1質量％的Ca、0.05~1質量％的Mg、0.1~2質量％的Cu、0.05~1質量％的稀土元素、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。13.光記錄介質的半透明反射膜，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.05~1質量％的Mg、進而以合計0.05~1質量％的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的1種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。14.光記錄介質的半透明反射膜形成用Ag合金濺射靶，其特征在于，包含銀合金，該銀合金具有含有0.05~1質量％的Mg、進而以合計0.05~1質量％的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的1種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質的組成。全文摘要包含銀合金的光記錄介質用半透明反射膜和反射膜，所述銀合金具有含有0.001～0.1質量％的Ca、0.05～1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成；以及包含銀合金的靶，所述銀合金具有含有0.001～0.1質量％的Ca、0.05～1質量％的Mg、余量包含Ag和不可避免雜質的組成；包含銀合金的光記錄介質的半透明反射膜，所述銀合金具有下述的組成，即，含有0.05～1質量％的Mg、進而以合計0.05～1質量％的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的1種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質；以及光記錄介質的半透明反射膜形成用Ag合金濺射靶，其包含銀合金，所述銀合金具有下述的組成，含有0.05～1質量％的Mg、進而以合計0.05～1質量％的量含有Eu、Pr、Ce和Sm中的1種或者2種以上、余量包含Ag和不可避免雜質。文檔編號C23C14/34GK101346491SQ20068004935公開日2009年1月14日申請日期2006年12月28日優(yōu)先權日2005年12月29日發(fā)明者三島昭史,小見山昌三,山口剛申請人:三菱麻鐵里亞爾株式會社