本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種顯示裝置以及電子裝置。

背景技術：

電激發(fā)光顯示裝置的技術特點包括：自發(fā)光、直流低電壓驅(qū)動(10v以下)、發(fā)光效率高、功率低、發(fā)光顏色豐富、容易達成彩色顯示、成本低、溫度特性優(yōu)異，發(fā)光性能不受溫度影響等，因此。電激發(fā)光顯示裝置廣泛應用于手機、平板電腦等電子設備。然而，現(xiàn)有的顯示裝置在落球試驗后會出現(xiàn)黑斑不良的情況，且無法恢復，影響電子設備的顯示性能。

技術實現(xiàn)要素：

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括：

基板；

像素限定層，設置在所述基板上，其中，所述像素限定層限定出多個像素區(qū)域和多個非像素區(qū)域；

主柱，設置在所述像素限定層上，并位于所述非像素區(qū)域；以及

輔柱，位于所述非像素區(qū)域，并位于所述主柱和像素區(qū)域之間，所述輔柱的高度低于所述主柱的高度，且所述輔柱的高度高于所述像素限定層的高度。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述像素限定層在所述像素區(qū)域具有像素開口，所述像素限定層在所述非像素區(qū)域具有輔柱開口，至少部分所述輔柱位于所述輔柱開口中。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述輔柱和主柱的材料相同。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述輔柱設置在所述像素限定層上，所述輔柱的厚度小于所述主柱的厚度。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述輔柱圍繞在所述主柱的四周。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述顯示裝置還包括一蓋板，所述蓋板覆蓋所述主柱、輔柱和像素限定層，所述主柱支撐所述蓋板。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述陰極膜層覆蓋所述主柱和輔柱，所述陰極膜層隔離所述主柱和所述蓋板，并隔離所述輔柱和所述蓋板。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述顯示裝置還包括多個像素，每個所述像素位于一個所述像素區(qū)域內(nèi)的基板上，所述陰極膜層覆蓋所述像素，所述輔柱的高度高于所述像素的高度。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述陰極膜層包括自下至上依次沉積的陰極和光提取層。

根據(jù)本發(fā)明的另一面，還提供一種包括如上任意一項所述顯示裝置的電子裝置。

在本發(fā)明提供一種顯示裝置中，所述顯示裝置包括：基板；像素限定層，設置在所述基板上，其中，所述像素限定層限定出多個像素區(qū)域和多個非像素區(qū)域；主柱，設置在所述像素限定層上，并位于所述非像素區(qū)域；以及輔柱，位于所述非像素區(qū)域，并位于所述主柱和像素區(qū)域之間，所述輔柱的高度低于所述主柱的高度，且所述輔柱的高度高于所述像素限定層的高度。當主柱承受較大的沖擊時，輔柱可以起到一定的支撐效果，防止主柱承受過大的壓力；并且，若主柱上的陰極或/和光提取層會被壓壞，甚至主柱被壓壞，輔柱會阻擋散落的碎屑會掉入像素區(qū)域，從而避免黑斑的產(chǎn)生。

進一步的，在本發(fā)明提供一種顯示裝置中，所述像素限定層在所述像素區(qū)域具有像素開口，所述像素限定層在所述非像素區(qū)域具有輔柱開口，至少部分所述輔柱位于所述輔柱開口中，所述輔柱和主柱的材料相同，所述輔柱和主柱可以通過同一沉積步驟和同一刻蝕步驟同時形成，可以簡化工藝。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例的顯示裝置的剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例的顯示裝置的俯視圖，圖1為圖2沿aa’線的剖面圖；

圖3為本發(fā)明一實施例的像素限定層的俯視圖；

圖4為本發(fā)明另一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。

具體實施例

現(xiàn)有的顯示裝置在落球試驗后會出現(xiàn)黑斑不良的情況，且無法恢復，影響電子設備的顯示性能。通過對現(xiàn)有技術研究發(fā)現(xiàn)，當顯示裝置的柱子(spacer，簡稱spc)用于支撐蓋板，當蓋板承受較大壓力時，會將壓力向下轉(zhuǎn)移，轉(zhuǎn)移給柱子spc，柱子spc上的陰極或/和光提取層會被壓壞，甚至柱子spc被壓壞，散落的碎屑會掉入像素區(qū)域，導致像素(開口區(qū))的光被遮擋，導致黑斑。

進一步研究發(fā)現(xiàn)，如果將柱子spc作為支撐蓋板的主柱，在主柱與像素區(qū)域之間設置高度低于主柱的輔柱，當主柱承受較大的沖擊時，輔柱可以起到一定的支撐效果，防止主柱承受過大的壓力；并且，若主柱上的陰極或/和光提取層會被壓壞，甚至主柱被壓壞，輔柱會阻擋散落的碎屑會掉入像素區(qū)域，從而避免黑斑的產(chǎn)生。

根據(jù)上述研究，本發(fā)明提出一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基板；像素限定層，設置在所述基板上，其中，所述像素限定層限定出多個像素區(qū)域和多個非像素區(qū)域；主柱，設置在所述像素限定層上，并位于所述非像素區(qū)域；以及輔柱，位于所述非像素區(qū)域，并位于所述主柱和像素區(qū)域之間，所述輔柱的高度低于所述主柱的高度，且所述輔柱的高度高于所述像素限定層的高度。

當主柱承受較大的沖擊時，輔柱可以起到一定的支撐效果，防止主柱承受過大的壓力；并且，若主柱上的陰極或/和光提取層會被壓壞，甚至主柱被壓壞，輔柱會阻擋散落的碎屑會掉入像素區(qū)域，從而避免黑斑的產(chǎn)生。

進一步的，在所述顯示裝置中，所述像素限定層在所述像素區(qū)域具有像素開口，所述像素限定層在所述非像素區(qū)域具有輔柱開口，至少部分所述輔柱位于所述輔柱開口中，所述輔柱和主柱的材料相同，所述輔柱和主柱可以通過同一沉積步驟和同一刻蝕步驟同時形成，可以簡化工藝。

下面將結合示意圖對本發(fā)明的顯示裝置進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

參考圖1和圖2(為了清楚顯示，在圖2中省略陰極膜層和蓋板)，所述顯示裝置1包括基板100、像素限定層110、主柱121、輔柱22。在本實施例中，所述基板100為陣列基板，所述基板100上設置有電路層101，所述電路層101內(nèi)設置有tft電路(薄膜晶體管電路，圖中未示出)。所述像素限定層110設置在所述基板100上，在本實施例中所述像素限定層110設置在所述電路層101上，其中，所述像素限定層110具有多個像素開口111，從而限定出多個像素區(qū)域11和多個非像素區(qū)域12，其中，所述像素開口111處限定出所述像素區(qū)域11。

所述主柱121設置在所述像素限定層110上，并位于所述非像素區(qū)域12，所述主柱(spacer，簡稱spc)121用于支撐一蓋板140。所述主柱121的材料可以為氮化硅或氧化硅等材料。所述輔柱122位于所述非像素區(qū)域12，并位于所述主柱121和像素區(qū)域150之間，用于隔離所述主柱121和像素區(qū)域150。所述輔柱122的高度略低于所述主柱121的高度，使得所述主柱121能夠接觸支撐所述蓋板140，而所述輔柱122不會接觸支撐所述蓋板140。并且，所述輔柱122的高度高于所述像素限定層110的高度，當所述蓋板140受到?jīng)_擊時，所述蓋板140壓向所述輔柱122，所述輔柱122會輔助支撐所述蓋板140，而不會壓到所述像素限定層110。

如圖1所示，所述顯示裝置1還包括多個像素111，每個所述像素111位于一個所述像素區(qū)域11內(nèi)的基板100上，在本實施例中，所述像素111位于一個所述像素區(qū)域11內(nèi)的電路層101上，所述輔柱122的高度高于所述像素111的高度，當所述蓋板140受到?jīng)_擊時，所述蓋板140壓向所述輔柱122，所述輔柱122會輔助支撐所述蓋板140，而不會壓到所述像素111。

所述顯示裝置1還包括一蓋板140，所述蓋板140覆蓋所述主柱121、輔柱122和像素限定層110、像素111，所述主柱121支撐所述蓋板140。所述蓋板140為透明蓋板，一般為玻璃。所述顯示裝置1還包括陰極膜層130，所述陰極膜層130覆蓋所述主柱121和輔柱122，所述陰極膜層130隔離所述主柱121和所述蓋板140，并隔離所述輔柱122和所述蓋板140，所述陰極膜層130覆蓋所述像素111、主柱121、輔柱122以及像素限定層110。在本實施例中，所述陰極膜層130包括自下至上依次沉積的陰極131和光提取層(cpl)132。

當所述蓋板140受到?jīng)_擊時，所述主柱121承受較大的沖擊時，所述蓋板140壓向所述輔柱122，所述輔柱122可以起到一定的支撐效果，防止所述主柱121承受過大的壓力；并且，若所述主柱121上的陰極131或/和光提取層132被壓壞，甚至所述主柱121被壓壞，所述輔柱122會阻擋散落的碎屑掉入所述像素區(qū)域111，避免散落的碎屑遮擋所述像素111，從而避免黑斑的產(chǎn)生。

進一步的，所述輔柱122的高度略低于所述主柱121的高度，例如，所述輔柱122的高度比所述主柱121的高度低10nm～2μm，如50nm、100nm、500nm、1μm、1.5μm等等，可以保證在所述蓋板140未受到?jīng)_擊時，所述輔柱122不會接觸所述蓋板140，而當所述蓋板140受到?jīng)_擊時，所述輔柱122可以輔助支撐所述蓋板140，并能有效阻擋散落的碎屑。

在本發(fā)明一實施例中，所述像素限定層110在所述非像素區(qū)域12具有輔柱開口112，所述輔柱開口112和所述像素開口111可以采用同一步刻蝕工藝形成，可以使用同一光罩，節(jié)約成本。

至少部分所述輔柱122位于所述輔柱開口112中，例如全部所述輔柱122位于所述輔柱開口112中，大部分所述輔柱122位于所述輔柱開口112中，有利于降低所述輔柱122的高度。所述輔柱122和主柱121的材料相同，所述輔柱122和主柱121可以通過同一沉積步驟和同一刻蝕步驟同時形成，可以簡化工藝。例如，在所述像素限定層110上沉積一膜層，所述膜層填充所述輔柱開口112，填充進所述輔柱開口112的膜層高度低于未填充進所述輔柱開口112的膜層高度。然后對所述膜層進行選擇性刻蝕，同時形成所述輔柱122和主柱121，所述輔柱122和主柱121具有不同的高度。

如圖2所示，所述輔柱122圍繞在所述主柱121的四周，可以有效的包裹散落的碎屑，避免散落的碎屑遮擋所述像素111，從而避免黑斑的產(chǎn)生。如圖3所示，所述輔柱開口112為一方環(huán)形。

本實施例中的所述顯示裝置1可以用于電子裝置，例如手機、平板電腦、顯示櫥窗等等，所述電子裝置的顯示性能可靠，不易產(chǎn)生黑斑。

如圖4所示，在本發(fā)明的另一實施例中，所述像素限定層110中未設置所述輔柱開口112，所述輔柱222設置在所述像素限定層110上，所述輔柱222的厚度k2小于所述主柱121的厚度k1，亦可以實現(xiàn)所述輔柱222的高度低于所述主柱121的高度。例如在制備所述輔柱222和主柱121時，可以先沉積主柱膜層，然后對主柱膜層進行選擇性刻蝕，以形成主柱121；然后沉積輔柱膜層，然后對輔柱膜層進行選擇性刻蝕，以形成輔柱222。當然，所述輔柱222和主柱121的形成方法并不限于上述公開的范圍，本領域的普通技術人員可以根據(jù)需要選擇制備步驟。

在另一實施例中，當所述蓋板140受到?jīng)_擊時，所述主柱121承受較大的沖擊時，所述蓋板140壓向所述輔柱222，所述輔柱222可以起到一定的支撐效果，防止所述主柱121承受過大的壓力；并且，若所述主柱121上的陰極131或/和光提取層132被壓壞，甚至所述主柱121被壓壞，所述輔柱222會阻擋散落的碎屑掉入所述像素區(qū)域111，避免散落的碎屑遮擋所述像素111，從而避免黑斑的產(chǎn)生。

綜上所述，本發(fā)明提供一種顯示裝置以及電子設備，所述顯示裝置包括：基板；像素限定層，設置在所述基板上，其中，所述像素限定層限定出多個像素區(qū)域和多個非像素區(qū)域；主柱，設置在所述像素限定層上，并位于所述非像素區(qū)域；以及輔柱，位于所述非像素區(qū)域，并位于所述主柱和像素區(qū)域之間，所述輔柱的高度低于所述主柱的高度，且所述輔柱的高度高于所述像素限定層的高度。

當主柱承受較大的沖擊時，輔柱可以起到一定的支撐效果，防止主柱承受過大的壓力；并且，若主柱上的陰極或/和光提取層被壓壞，甚至主柱被壓壞，輔柱會阻擋散落的碎屑掉入像素區(qū)域，從而避免黑斑的產(chǎn)生。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。