本發(fā)明涉及電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管、陣列基板、發(fā)光器件及顯示裝置。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管是一種由電流直接激發(fā)發(fā)光的器件，目前的發(fā)光二極管包括量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管(quantumdotlight-emittingdiode，簡(jiǎn)稱qled)和有機(jī)電致發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，簡(jiǎn)稱oled)。

圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的陽(yáng)極10、空穴傳輸層20、發(fā)光層30、電子傳輸層40和陰極50。發(fā)光二極管的發(fā)光原理為：在電場(chǎng)作用下，空穴由陽(yáng)極10注入到發(fā)光層30的價(jià)帶并向陰極50遷移，電子由陰極50注入到發(fā)光層30的導(dǎo)帶并向陽(yáng)極10遷移?？昭ê碗娮幼⑷氲桨l(fā)光層30的價(jià)帶和導(dǎo)帶能級(jí)時(shí)在庫(kù)侖力作用下形成激子(電子-空穴對(duì))，激子態(tài)的電子發(fā)生輻射躍遷，能量以光子形式釋放，從而實(shí)現(xiàn)電致發(fā)光。

然而，當(dāng)發(fā)光二極管為qled時(shí)，發(fā)光層30的材料為量子點(diǎn)發(fā)光材料，示例的，若空穴傳輸層20材料的homo(最高占據(jù)分子軌道)能級(jí)位于5.0～6.0ev，量子點(diǎn)價(jià)帶能級(jí)位于6.0～7.0ev，因而空穴傳輸層20和量子點(diǎn)發(fā)光層30界面處存在較大的空穴注入勢(shì)壘，由于電子傳輸層40材料如zno納米粒子的導(dǎo)帶能級(jí)接近量子點(diǎn)導(dǎo)帶能級(jí)，從而會(huì)存在電子和空穴注入不平衡的問題。而發(fā)光強(qiáng)度與電子和空穴的濃度的乘積成正比，當(dāng)電子和空穴濃度相同時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度最大；當(dāng)電子和空穴的濃度相差越大時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度越小，且多余的載流子會(huì)造成焦耳熱，縮短器件的壽命。

當(dāng)發(fā)光二極管為oled時(shí)，發(fā)光層30的材料為有機(jī)電致發(fā)光材料，載流子的注入能力與材料的遷移率及其施加于其上的電壓平方成正比，與電子傳輸層40或空穴傳輸層20的厚度成反比，在有機(jī)電致發(fā)光二極管中，電子傳輸層40與空穴傳輸層20的厚度都約為幾十個(gè)nm，量級(jí)相同，且在有機(jī)電致發(fā)光二極管中，當(dāng)陽(yáng)極10和陰極50施加電壓時(shí)，可近似認(rèn)為電場(chǎng)強(qiáng)度均勻的落在電子傳輸層40與空穴傳輸層20上，但是若電子傳輸層40材料的遷移率小于空穴傳輸層20材料的遷移率，因而會(huì)導(dǎo)致電子和空穴注入不平衡，從而影響了有機(jī)電致發(fā)光二極管的發(fā)光效率和壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管、陣列基板、發(fā)光器件及顯示裝置，可解決電子和空穴注入不平衡的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種發(fā)光二極管，包括依次設(shè)置的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層一側(cè)的第一輔助電極和第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述第一輔助電極和所述陽(yáng)極之間；和/或，所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在所述陰極遠(yuǎn)離所述電子傳輸層一側(cè)的第二絕緣層和第二輔助電極，所述第二絕緣層位于所述第二輔助電極和所述陰極之間。

優(yōu)選的，所述陽(yáng)極和/或所述陰極具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或多孔結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述空穴傳輸層之間的空穴注入層和/或設(shè)置在所述陰極和所述電子傳輸層之間的電子注入層。

進(jìn)一步優(yōu)選的，在所述發(fā)光二極管還包括空穴注入層和電子注入層時(shí)，所述空穴傳輸層、所述空穴注入層、所述電子注入層和所述電子傳輸層的厚度均在1～200nm的范圍內(nèi)。

優(yōu)選的，所述發(fā)光層包括量子點(diǎn)發(fā)光材料或有機(jī)電致發(fā)光材料。

第二方面，提供一種陣列基板，包括呈矩陣排列的多個(gè)上述的發(fā)光二極管。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極、有源層、漏極、柵極、柵絕緣層，所述漏極與發(fā)光二極管的陰極或陽(yáng)極電連接；所述柵極和所述發(fā)光二極管的第一輔助電極或第二輔助電極位于同一層，或者所述柵極和所述發(fā)光二極管的第一輔助電極或第二輔助電極為同一圖案。

優(yōu)選的，多個(gè)發(fā)光二極管的第一輔助電極相互連接形成面狀電極，和/或多個(gè)發(fā)光二極管的第二輔助電極相互連接形成面狀電極。

優(yōu)選的，在陽(yáng)極具有多孔結(jié)構(gòu)時(shí)，所述孔徑的尺寸為微米級(jí)或納米級(jí)，且孔徑的尺寸小于所述陣列基板的一個(gè)亞像素的尺寸。

第三方面，提供一種發(fā)光器件，包括上述的陣列基板和控制芯片，所述控制芯片具有第一電壓端口和第二電壓端口，所述陣列基板上發(fā)光二極管的陽(yáng)極與所述第一電壓端口電連接，陰極與所述第二電壓端口電連接；若注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層的電子數(shù)量少，所述控制芯片還具有第三電壓端口和/或第四電壓端口，所述第三電壓端口與第一輔助電極電連接，所述第四電壓端口與第二輔助電極電連接；其中，所述第三電壓端口的電壓小于所述第一電壓端口的電壓，所述第四電壓端口的電壓小于所述第二電壓端口的電壓。

或者，若注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少，所述控制芯片還具有第五電壓端口和/或第六電壓端口，所述第五電壓端口與第一輔助電極電連接，所述第六電壓端口與第二輔助電極電連接；其中，所述第五電壓端口的電壓大于所述第一電壓端口的電壓，所述第六電壓端口的電壓大于所述第二電壓端口的電壓。

第四方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板和控制芯片，所述控制芯片具有第一電壓端口和第二電壓端口，所述陣列基板上發(fā)光二極管的陽(yáng)極與所述第一電壓端口電連接，陰極與所述第二電壓端口電連接；若注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層的電子數(shù)量少，所述控制芯片還具有第三電壓端口和/或第四電壓端口，所述第三電壓端口與第一輔助電極電連接，所述第四電壓端口與第二輔助電極電連接；其中，所述第三電壓端口的電壓小于所述第一電壓端口的電壓，所述第四電壓端口的電壓小于所述第二電壓端口的電壓。

或者，若注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少，所述控制芯片還具有第五電壓端口和/或第六電壓端口，所述第五電壓端口與第一輔助電極電連接，所述第六電壓端口與第二輔助電極電連接；其中，所述第五電壓端口的電壓大于所述第一電壓端口的電壓，所述第六電壓端口的電壓大于所述第二電壓端口的電壓。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管、陣列基板、發(fā)光器件及顯示裝置，當(dāng)注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層的電子數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陽(yáng)極遠(yuǎn)離空穴傳輸層一側(cè)的第一輔助電極和第一絕緣層，因而可以給第一輔助電極施加比陽(yáng)極小的電壓時(shí)，此時(shí)電子便會(huì)在陽(yáng)極與第一絕緣層的界面處積累，這樣就會(huì)使得陽(yáng)極和空穴傳輸層界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，空穴傳輸層中的電子向陽(yáng)極移動(dòng)，空穴傳輸層能級(jí)降低，從而降低了空穴傳輸層的注入勢(shì)壘，因而較多空穴會(huì)注入至發(fā)光層，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題。

當(dāng)注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陰極遠(yuǎn)離電子傳輸層一側(cè)的第二絕緣層和第二輔助電極，因而給第二輔助電極施加比陰極大的電壓，空穴便會(huì)在第二輔助電極和第二絕緣層的界面處積累，這樣就會(huì)使得陰極和電子傳輸層界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，陰極中的電子向電子傳輸層移動(dòng)，電子傳輸層能級(jí)升高，從而降低了電子傳輸層的注入勢(shì)壘，因而注入到發(fā)光層的電子增加，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖2(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖3(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖4(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四。

附圖標(biāo)記：

10-陽(yáng)極；20-空穴傳輸層；30-發(fā)光層；40-電子傳輸層；50-陰極；60-第一輔助電極；70-第一絕緣層；80-第二絕緣層；90-第二輔助電極；100-空穴注入層；110-電子注入層；120-薄膜晶體管；121-源極；122-有源層；123-漏極；124-柵極；125-柵絕緣層；130-襯底基板。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例解決發(fā)光二極管中電子和空穴注入不平衡的原理具體為：若注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層的電子數(shù)量少時(shí)，可通過調(diào)控使空穴傳輸層能級(jí)降低，而能級(jí)是由電子所占據(jù)能態(tài)構(gòu)成，則空穴傳輸層的注入勢(shì)壘降低，因而注入到發(fā)光層的空穴的數(shù)量增加，從而使電子和空穴注入平衡。若注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少時(shí)，可通過調(diào)控使電子傳輸層能級(jí)升高，則電子傳輸層的注入勢(shì)壘降低，因而注入到發(fā)光層的電子的數(shù)量增加，從而使電子和空穴注入平衡。

其中，對(duì)于量子點(diǎn)發(fā)光二極管，若空穴傳輸層和發(fā)光層界面處的注入勢(shì)壘較高，則注入到發(fā)光層的空穴的數(shù)量較少；若電子傳輸層和發(fā)光層界面處的注入勢(shì)壘較高，則注入到發(fā)光層的電子的數(shù)量較少。對(duì)于有機(jī)電致發(fā)光二極管，若空穴傳輸層材料的空穴遷移率大于電子傳輸層材料的電子遷移率，則注入到發(fā)光層的電子的數(shù)量較少；若空穴傳輸層材料的遷移率小于電子傳輸層的遷移率，則注入到發(fā)光層的空穴的數(shù)量較少。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管，如圖2(a)、圖2(b)以及圖2(c)所示，包括依次設(shè)置的陽(yáng)極10、空穴傳輸層20、發(fā)光層30、電子傳輸層40和陰極50，發(fā)光二極管還包括設(shè)置在陽(yáng)極10遠(yuǎn)離空穴傳輸層20一側(cè)的第一輔助電極60和第一絕緣層70，第一絕緣層70位于第一輔助電極60和陽(yáng)極10之間；和/或，發(fā)光二極管還包括設(shè)置在陰極50遠(yuǎn)離電子傳輸層40一側(cè)的第二絕緣層80和第二輔助電極90，第二絕緣層80位于第二輔助電極90和陰極50之間。

需要說明的是，第一，發(fā)光二極管可以如圖2(a)所示，在現(xiàn)有發(fā)光二極管的基礎(chǔ)上還設(shè)置有第一輔助電極60和第一絕緣層70，也可以如圖2(b)所示，在現(xiàn)有發(fā)光二極管的基礎(chǔ)上還設(shè)置有第二絕緣層80和第二輔助電極90，當(dāng)然也可以如圖2(c)所示，在現(xiàn)有發(fā)光二極管的基礎(chǔ)上還設(shè)置有第一輔助電極60、第一絕緣層70以及第二絕緣層80和第二輔助電極90。

第二，第一絕緣層70和第二絕緣層80。當(dāng)?shù)谝唤^緣層70和第二絕緣層80為介電層時(shí)，介電層是指由介電質(zhì)形成的薄膜層。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)發(fā)光二極管包括第一絕緣層70和第二絕緣層80時(shí)，第一絕緣層70和第二絕緣層80的材料可以相同，也可以不同。具體的，第一絕緣層70和第二絕緣層80的材料可以為氮化硅(sinx)、氧化硅(sioy)、氮氧化硅(sinxoy)、氟化鋰(lif)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋁(al2o3)、氧化鋯(zro2)、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等中的至少一種。

此處，優(yōu)選第一絕緣層70和第二絕緣層80的厚度在5～200nm范圍內(nèi)。

第三，當(dāng)發(fā)光二極管包括第一輔助電極60和第二輔助電極90時(shí)，第一輔助電極60和第二輔助電極90的材料可以相同，也可以不同。具體的，第一輔助電極60和第二輔助電極90的材料可以為金屬單質(zhì)如鋁(al)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鉬(mo)、鉻(cr)、鋰(ti)、銅(cu)、合金或金屬氧化物如氧化銦鋅(indiumzincoxide，簡(jiǎn)稱izo)、氧化銦錫(indiumtinoxide，簡(jiǎn)稱ito)等中的至少一種。

此外，優(yōu)選第一輔助電極60和第二輔助電極90的厚度在2～200nm范圍內(nèi)。

第四，對(duì)于空穴傳輸層20的材料不進(jìn)行限定，例如可以為三氧化鎢(wo3)、氧化鎳(niox)、聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)tfb、聚(9-乙烯基咔唑)(pvk)、n,n′-二苯基-n,n′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(npb)、4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯(cbp)、酞菁銅(cupc)、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]；4-丁基-n,n-二苯基苯胺均聚物；苯胺,4-丁基-n,n-二苯基-,均聚合物(poly-tpd)中的至少一種。對(duì)于電子傳輸層40的材料不進(jìn)行限定，例如可以為氧化鋅(zno)、氧化錫(snox)、二氧化鈦(tio2)、三(8-羥基喹啉鋁)(alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑](oxd-7)等中的至少一種。

此外，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管中僅有電子傳輸層40，沒有電子注入層，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，為了確保發(fā)光二極管可以正常發(fā)光，此時(shí)電子傳輸層40既具有電子傳輸?shù)哪康模志哂须娮幼⑷氲哪康?。同理，發(fā)光二極管中僅有空穴傳輸層20，沒有空穴注入層，此時(shí)空穴傳輸層20既具有空穴傳輸?shù)哪康?，又具有空穴注入的目的?/p>

第五，對(duì)于發(fā)光層30的發(fā)光材料不進(jìn)行限定，可以包括量子點(diǎn)發(fā)光材料，此時(shí)發(fā)光二極管為量子點(diǎn)發(fā)光二極管，也可以包括有機(jī)電致發(fā)光材料，此時(shí)發(fā)光二極管為有機(jī)電致發(fā)光二極管。

當(dāng)發(fā)光層30包括量子點(diǎn)發(fā)光材料時(shí)，量子點(diǎn)可以為ii-vi族或iii-v化合物半導(dǎo)體納米晶，如砷化鎵(gaas)、硫化鎘(cds)、碲化鎘(cdte)、鋅化鎘(znse)、硒化鎘(cdse)、硫化汞(hgs)、氧化鋅(zno)、硫化鋅(zns)、銻化銦(insb)、碲化鋅(znte)、砷化銦(inas)、磷化銦(inp)或由半導(dǎo)體納米晶組合而成的核殼結(jié)構(gòu)納米晶和合金納米晶，例如以cdse為核、cds為殼層的量子點(diǎn)，此處可以根據(jù)需要發(fā)出的光的顏色選擇相應(yīng)的量子點(diǎn)。

當(dāng)發(fā)光層30包括有機(jī)電致發(fā)光材料時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光材料例如可以為聚苯撐乙烯(ppv)、聚苯撐乙烯衍生物、二唑衍生物、三芳胺衍生物、蔥衍生物、1,3-丁二烯衍生物、dcm(4-二氰基甲基-2-甲基-6-(p-二甲胺基苯乙烯)h-吡喃)、二唑吡啶衍生物、苝類、芳基取代蒽類、芴類中的至少一種，此處可以根據(jù)需要發(fā)出的光的顏色選擇相應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光材料。

此處，優(yōu)選發(fā)光層30的厚度在5～200nm范圍內(nèi)。

第六，發(fā)光二極管的發(fā)光層30發(fā)出的光可以僅從陽(yáng)極10出射，也可以僅從陰極50出射，當(dāng)然也可以從陽(yáng)極10或陰極50均出射。當(dāng)發(fā)光層30發(fā)出的光從陽(yáng)極10出射時(shí)，陽(yáng)極10、第一輔助電極60和第一絕緣層70的材料均為透明材料，陽(yáng)極10的材料例如可以為izo、ito或厚度較薄的金屬中的至少一種，此時(shí)陰極50的材料例如可以為金屬單質(zhì)例如al、ag、mg、au、mo、cr、ti、cu或合金等；當(dāng)發(fā)光層30發(fā)出的光從陰極50出射時(shí)，陰極50、第二輔助電極90、第二絕緣層80的材料均為透明材料，陰極50的材料例如可以為izo、ito或厚度較薄的金屬中的至少一種，此時(shí)陽(yáng)極10的材料例如可以為金屬單質(zhì)例如al、ag、mg、au、mo、cr、ti、cu或合金等；當(dāng)發(fā)光層30發(fā)出的光從陽(yáng)極10和陰極50均出射時(shí)，陽(yáng)極10、第一輔助電極60、第一絕緣層70、陰極50、第二輔助電極90以及第二絕緣層80的材料均為透明材料，此時(shí)陽(yáng)極10和陰極50的材料例如可以為izo、ito或厚度較薄的金屬中的至少一種。

此處，可以將陽(yáng)極10靠近襯底基板設(shè)置，也可以將陰極50靠近襯底基板設(shè)置。優(yōu)選的，陽(yáng)極10和陰極50的厚度在2～200nm范圍內(nèi)。

第七，對(duì)于陽(yáng)極10、陰極50、第一輔助電極60以及第二輔助電極90上分別施加的電壓的大小不進(jìn)行限定，可以根據(jù)發(fā)光二極管中電子和空穴的注入的數(shù)量進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，以確保電子和空穴注入平衡即可。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管，當(dāng)注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陽(yáng)極10遠(yuǎn)離空穴傳輸層20一側(cè)的第一輔助電極60和第一絕緣層70，因而可以給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10小的電壓時(shí)，此時(shí)電子便會(huì)在陽(yáng)極10與第一絕緣層70的界面處積累，這樣就會(huì)使得陽(yáng)極10和空穴傳輸層20界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，空穴傳輸層20中的電子向陽(yáng)極10移動(dòng)，空穴傳輸層20能級(jí)降低，從而降低了空穴傳輸層20的注入勢(shì)壘，因而較多空穴會(huì)注入至發(fā)光層30，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題。或者，也可以給第二輔助電極90施加比陰極50小的電壓，以使電子傳輸層40能級(jí)降低，電子傳輸層40的注入勢(shì)壘升高，以減少注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量。

當(dāng)注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陰極50遠(yuǎn)離電子傳輸層40一側(cè)的第二絕緣層80和第二輔助電極90，因而給第二輔助電極90施加比陰極50大的電壓，空穴便會(huì)在第二輔助電極90和第二絕緣層80的界面處積累，這樣就會(huì)使得陰極50和電子傳輸層40界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，陰極50中的電子向電子傳輸層40移動(dòng)，電子傳輸層40能級(jí)升高，從而降低了電子傳輸層40的注入勢(shì)壘，因而注入到發(fā)光層30的電子增加，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題。或者，也可以給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10大的電壓，以使空穴傳輸層20能級(jí)升高，空穴傳輸層20的注入勢(shì)壘升高，以減少注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量。

需要說明的是，當(dāng)注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少時(shí)，若給第二輔助電極90施加比陰極50小的電壓，會(huì)導(dǎo)致發(fā)光二極管的功耗增加，因而優(yōu)選的，當(dāng)注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少時(shí)，如圖2(a)所示，發(fā)光二極管只設(shè)置第一輔助電極60和第一絕緣層70，不設(shè)置第二輔助電極90和第二絕緣層80，且在應(yīng)用時(shí)給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10小的電壓。

同理，當(dāng)注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量少時(shí)，若給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10大的電壓，會(huì)導(dǎo)致發(fā)光二極管的功耗增加，因而優(yōu)選的，當(dāng)注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量少時(shí)，如圖2(b)所示，發(fā)光二極管只設(shè)置第二輔助電極90和第二絕緣層80，不設(shè)置第一輔助電極60和第一絕緣層70，且在使用時(shí)給第二輔助電極90施加比陰極50大的電壓。

基于上述，現(xiàn)有的量子點(diǎn)發(fā)光二極管通常是空穴傳輸層20的注入勢(shì)壘較高，即注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少，因此可以如圖2(a)所示，在陽(yáng)極10遠(yuǎn)離空穴傳輸層20一側(cè)設(shè)置第一輔助電極60和第一絕緣層70，且在使用時(shí)給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10小的電壓。

現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光二極管通常是空穴傳輸層材料的空穴遷移率大于電子傳輸層材料的電子遷移率，即注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量少，因此可以如圖2(b)所示，在陰極50遠(yuǎn)離電子傳輸層40一側(cè)設(shè)置第二絕緣層80和第二輔助電極90，且在使用時(shí)給第二輔助電極90上施加比陰極50大的電壓。

優(yōu)選的，陽(yáng)極10和/或陰極50具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或多孔結(jié)構(gòu)。

其中，多孔結(jié)構(gòu)是指材料中包含有相互貫通或封閉的多個(gè)空洞。此處，對(duì)于孔徑尺寸和排列方式不進(jìn)行限定。

此外，可以利用真空鍍膜、光刻膠剝離(liftoff)、微鈉加工或3d打印等方法形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或多孔結(jié)構(gòu)。示例的，在形成多孔結(jié)構(gòu)時(shí)，可以先在待設(shè)置陽(yáng)極10或陰極50的位置沉積多個(gè)有機(jī)材料小球，再利用真空蒸鍍形成一定厚度的導(dǎo)電薄膜，采用liftoff工藝將有機(jī)材料小球去掉，這樣便可以獲得多孔結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極10或陰極50。在此基礎(chǔ)上，還可以利用噴墨印刷、轉(zhuǎn)印、納米壓印或3d打印納米導(dǎo)線等方法，獲得具有特殊孔狀的多孔結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陽(yáng)極10和/或陰極50具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或多孔結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此，其它有利于電子移動(dòng)的結(jié)構(gòu)均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本發(fā)明實(shí)施例，當(dāng)陽(yáng)極10具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或多孔結(jié)構(gòu)時(shí)，有利于電子在陽(yáng)極10中移動(dòng)，從而可以快速使電子和空穴注入平衡，且提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效率；當(dāng)陰極50具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或多孔結(jié)構(gòu)時(shí)，有利于電子在陰極50中移動(dòng)，從而可以快速使電子和空穴注入平衡，且提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

優(yōu)選的，如圖3(a)、圖3(b)以及圖3(c)所示，發(fā)光二極管還包括設(shè)置在陽(yáng)極10和空穴傳輸層20之間的空穴注入層100和/或設(shè)置在陰極50和電子傳輸層40之間的電子注入層110。

其中，發(fā)光二極管可以是如圖3(a)所示，還只包括設(shè)置在陽(yáng)極10和空穴傳輸層20之間的空穴注入層100，也可以是如圖3(b)所示，還只包括設(shè)置在陰極50和電子傳輸層40之間的電子注入層110，當(dāng)然也可以是如圖3(c)所示，既包括設(shè)置在陽(yáng)極10和空穴傳輸層20之間的空穴注入層100，又包括設(shè)置在陰極50和電子傳輸層40之間的電子注入層110。

此處，對(duì)于空穴注入層100的材料不進(jìn)行限定，例如可以為lg101、氧化鉬(moox)、富勒烯(c60)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)：polystyrenesulfonate，pedot：pss)或酞菁銅(cupc)，對(duì)于電子注入層110的材料不進(jìn)行限定，例如可以為氟化鋰(lif)或聚乙烯亞胺等。

本發(fā)明實(shí)施例，當(dāng)發(fā)光二極管還包括設(shè)置在陽(yáng)極10和空穴傳輸層20之間的空穴注入層100和/或設(shè)置在陰極50和電子傳輸層40之間的電子注入層110，空穴注入層100可以改善空穴向發(fā)光層30的注入速率，提高空穴注入能力；電子注入層110可以提高電子注入能力，從而有利于提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

在發(fā)光二極管還包括空穴注入層100和電子注入層110時(shí)，由于當(dāng)空穴傳輸層20和空穴注入層100的厚度在1～200nm的范圍內(nèi)時(shí)，有利于空穴向發(fā)光層30注入；當(dāng)電子注入層110和電子傳輸層40的厚度在1～200nm的范圍內(nèi)時(shí)，有利于電子向發(fā)光層30注入，因而進(jìn)一步優(yōu)選的，空穴傳輸層20、空穴注入層100、電子注入層110和電子傳輸層40的厚度均在1～200nm的范圍內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖4和圖5所示，包括呈矩陣排列的多個(gè)上述的發(fā)光二極管

需要說明的是，附圖4和圖5均以陽(yáng)極10靠近襯底基板130設(shè)置為例，附圖4(a)、圖4(b)以及圖5均未示意出第二輔助電極90和第二絕緣層80。

其中，發(fā)光二極管可以如圖5所示是無源矩陣驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管，也可以如圖4所示是有源矩陣驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管。當(dāng)發(fā)光二極管為有源矩陣驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管時(shí)，陣列基板還包括薄膜晶體管120。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，陣列基板包括多個(gè)上述的發(fā)光二極管，由于發(fā)光二極管還包括設(shè)置在陽(yáng)極10遠(yuǎn)離空穴傳輸層20一側(cè)的第一輔助電極60和第一絕緣層70和/或設(shè)置在陰極50遠(yuǎn)離電子傳輸層40一側(cè)的第二絕緣層80和第二輔助電極90，通過控制施加到第一輔助電極60和/或第二輔助電極90上的電壓，便可以調(diào)控空穴傳輸層20和電子傳輸層40的注入勢(shì)壘，從而可以使發(fā)光二極管的電子和空穴注入平衡，有利于提升發(fā)光二極管壽命，降低功耗。

優(yōu)選的，如圖4(a)、圖4(b)以及圖4(c)所示，陣列基板還包括薄膜晶體管120，薄膜晶體管120包括源極121、有源層122、漏極123、柵極124、柵絕緣層125，漏極123與發(fā)光二極管的陰極50或陽(yáng)極10電連接；如圖4(a)和圖4(c)所示柵極124和發(fā)光二極管的第一輔助電極60或第二輔助電極90位于同一層(附圖4(a)和圖4(c)中以柵極124和第一輔助電極60位于同一層為例進(jìn)行示意)，或者如圖4(b)所示柵極124和發(fā)光二極管的第一輔助電極60或第二輔助電極90為同一圖案(附圖4(b)中以柵極124和第一輔助電極60為同一圖案進(jìn)行示意)。

需要說明的是，本發(fā)明附圖4(a)和圖4(b)以發(fā)光二極管包括第一輔助電極60和第一絕緣層70，柵極124與第一輔助電極60位于同一層或柵極124與第一輔助電極60為同一圖案為例進(jìn)行示意，但本發(fā)明并不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，若漏極123與發(fā)光二極管的陰極50電連接，此時(shí)陣列基板上的多個(gè)發(fā)光二極管共陽(yáng)極10；若漏極123與發(fā)光二極管的陽(yáng)極10電連接，此時(shí)陣列基板上的多個(gè)發(fā)光二極管共陰極50。

此處，本發(fā)明實(shí)施例以發(fā)光二極管和薄膜晶體管120設(shè)置在襯底基板130上為例進(jìn)行示意，薄膜晶體管120和發(fā)光二極管的設(shè)置方式可以如圖4(a)和圖4(b)所示，但并不限于此。襯底基板130的材料例如可以為聚乙烯、二氧化硅、聚丙烯或聚苯乙烯等。

其中，如圖4(b)所示，當(dāng)柵極124和發(fā)光二極管的第一輔助電極60或第二輔助電極90為同一圖案時(shí)，此時(shí)柵極124相對(duì)于普通薄膜晶體管而言，尺寸較大，柵極124既可以起到柵極124的作用，還可以起到第一輔助電極60的作用。在此基礎(chǔ)上，當(dāng)陣列基板還包括薄膜晶體管120時(shí)，薄膜晶體管120中的柵絕緣層125可以和第一絕緣層70或第二絕緣層80同時(shí)形成，也可以分別形成。

本發(fā)明實(shí)施例，由于柵極124和發(fā)光二極管的第一輔助電極60或第二輔助電極90位于同一層，或者柵極124和發(fā)光二極管的第一輔助電極60或第二輔助電極90為同一圖案，因而可以在制作柵極124的同時(shí)，制作第一輔助電極60或第二輔助電極90，從而可以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝。

優(yōu)選的，如圖5所示，多個(gè)發(fā)光二極管的第一輔助電極60相互連接形成面狀電極，和/或多個(gè)發(fā)光二極管的第二輔助電極90相互連接形成面狀電極(圖5中以多個(gè)第一輔助電極60相互連接形成面狀電極為例)。

其中，當(dāng)多個(gè)發(fā)光二極管的第一輔助電極60相互連接形成面狀電極時(shí)，此時(shí)多個(gè)發(fā)光二極管的第一絕緣層70之間可以不相互連接，也可以相互連接形成面狀。同理，多個(gè)發(fā)光二極管的第二輔助電極90相互連接形成面狀電極時(shí)，此時(shí)多個(gè)發(fā)光二極管的第二絕緣層80之間可以不相互連接，也可以相互連接形成面狀。

本發(fā)明實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝惠o助電極60或第二輔助電極90為面狀電極時(shí)，一方面可以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝；另一方面，以第一輔助電極60為例，若多個(gè)發(fā)光二級(jí)管的第一輔助電極60之間不相互連接，則需要將多個(gè)第一輔助電極60分別與電壓端口相連，從而增加了陣列基板的生產(chǎn)工藝難度，而本發(fā)明實(shí)施例由于多個(gè)發(fā)光二極管的第一輔助電極60相互連接，因而只需要將電壓端口與任一個(gè)第一輔助電極60相連接即可，或者由于多個(gè)發(fā)光二極管的第二輔助電極90相互連接，因而只需要將電壓端口與一個(gè)第二輔助電極90相連接即可。

基于上述，需要說明的是，當(dāng)柵極124和發(fā)光二極管的第一輔助電極60或第二輔助電極90位于同一層，或者柵極124和發(fā)光二極管的第一輔助電極60或第二輔助電極90為同一圖案時(shí)，為了確保陣列基板的正常發(fā)光，因而多個(gè)第一輔助電極60或多個(gè)第二輔助電極90不能相互連接形成面狀電極，但是位于同一行的多個(gè)第一輔助電極60或多個(gè)第二輔助電極90可以相互連接形成條狀電極。

在陽(yáng)極10具有多孔結(jié)構(gòu)時(shí)，若多孔結(jié)構(gòu)的孔徑較大，則可能會(huì)影響陽(yáng)極10的性能，基于此，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選，多孔結(jié)構(gòu)的孔徑尺寸為微米級(jí)或納米級(jí)，且孔徑的尺寸小于陣列基板的一個(gè)亞像素的尺寸。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，包括上述的陣列基板和控制芯片，控制芯片具有第一電壓端口和第二電壓端口，陣列基板上發(fā)光二極管的陽(yáng)極10與第一電壓端口電連接，陰極50與第二電壓端口電連接。

若注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少，控制芯片還具有第三電壓端口和/或第四電壓端口，第三電壓端口與第一輔助電極60電連接，第四電壓端口與第二輔助電極90電連接；其中，第三電壓端口的電壓小于第一電壓端口的電壓，第四電壓端口的電壓小于第二電壓端口的電壓；

或者，若注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少，控制芯片還具有第五電壓端口和/或第六電壓端口，第五電壓端口與第一輔助電極60電連接，第六電壓端口與第二輔助電極90電連接；其中，第五電壓端口的電壓大于第一電壓端口的電壓，第六電壓端口的電壓大于第二電壓端口的電壓。

其中，發(fā)光器件可以用于為液晶顯示面板提供光源。

此處，可以根據(jù)需要調(diào)控第一電壓端口、第二電壓端口、第三電壓端口、第四電壓端口、第五電壓端口以及第六電壓端口的電壓，以使電子和空穴注入平衡。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，發(fā)光器件包括上述發(fā)光二極管，當(dāng)注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陽(yáng)極10遠(yuǎn)離空穴傳輸層20一側(cè)的第一輔助電極60和第一絕緣層70，因而可以給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10小的電壓時(shí)，此時(shí)電子便會(huì)在陽(yáng)極10與第一絕緣層70的界面處積累，這樣就會(huì)使得陽(yáng)極10和空穴傳輸層20界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，空穴傳輸層20中的電子向陽(yáng)極10移動(dòng)，空穴傳輸層20能級(jí)降低，從而降低了空穴傳輸層20的注入勢(shì)壘，因而較多空穴會(huì)注入至發(fā)光層30，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題。或者，也可以給第二輔助電極90施加比陰極50小的電壓，以使電子傳輸層40能級(jí)降低，電子傳輸層40的注入勢(shì)壘升高，以減少注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量。

當(dāng)注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陰極50遠(yuǎn)離電子傳輸層40一側(cè)的第二絕緣層80和第二輔助電極90，因而給第二輔助電極90施加比陰極50大的電壓，空穴便會(huì)在第二輔助電極90和第二絕緣層80的界面處積累，這樣就會(huì)使得陰極50和電子傳輸層40界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，陰極50中的電子向電子傳輸層40移動(dòng)，電子傳輸層40能級(jí)升高，從而降低了電子傳輸層40的注入勢(shì)壘，因而注入到發(fā)光層30的電子增加，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題。或者，也可以給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10大的電壓，以使空穴傳輸層20能級(jí)升高，空穴傳輸層20的注入勢(shì)壘升高，以減少注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量。

基于上述，當(dāng)注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少時(shí)，為了避免降低發(fā)光二極管的功耗，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選，發(fā)光二極管包括第一輔助電極60和第一絕緣層70，控制芯片具有第三電壓端口，不具有第四電壓端口，且第三電壓端口與第一輔助電極60電連接。同理，當(dāng)注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量少，為了避免降低發(fā)光二極管的功耗，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選，發(fā)光二極管包括第二輔助電極90和第二絕緣層80，控制芯片具有第六電壓端口，不具有第五電壓端口，且第六電壓端口與第二輔助電極90電連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板和控制芯片，控制芯片具有第一電壓端口和第二電壓端口，陣列基板上發(fā)光二極管的陽(yáng)極10與第一電壓端口電連接，陰極50與第二電壓端口電連接。

若注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少，控制芯片還具有第三電壓端口和/或第四電壓端口，第三電壓端口與第一輔助電極60電連接，第四電壓端口與第二輔助電極90電連接；其中，第三電壓端口的電壓小于第一電壓端口的電壓，第四電壓端口的電壓小于第二電壓端口的電壓。

或者，若注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量少，控制芯片還具有第五電壓端口和/或第六電壓端口，第五電壓端口與第一輔助電極60電連接，第六電壓端口與第二輔助電極90電連接；其中，第五電壓端口的電壓大于第一電壓端口的電壓，第六電壓端口的電壓大于第二電壓端口的電壓。

其中，顯示裝置可以是顯示不論運(yùn)動(dòng)(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置。更明確地說，預(yù)期所述實(shí)施例可實(shí)施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動(dòng)電話、無線裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(pda)、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、gps接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、mp4視頻播放器、攝像機(jī)、游戲控制臺(tái)、手表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、導(dǎo)航儀、座艙控制器和/或顯示器、相機(jī)視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機(jī)的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，對(duì)于一件珠寶的圖像的顯示器)等。

此處，可以根據(jù)需要調(diào)控第一電壓端口、第二電壓端口、第三電壓端口、第四電壓端口、第五電壓端口以及第六電壓端口的電壓，以使電子和空穴注入平衡。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，顯示裝置包括上述發(fā)光二極管，當(dāng)注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陽(yáng)極10遠(yuǎn)離空穴傳輸層20一側(cè)的第一輔助電極60和第一絕緣層70，因而可以給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10小的電壓時(shí)，此時(shí)電子便會(huì)在陽(yáng)極10與第一絕緣層70的界面處積累，這樣就會(huì)使得陽(yáng)極10和空穴傳輸層20界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，空穴傳輸層20中的電子向陽(yáng)極10移動(dòng)，空穴傳輸層20能級(jí)降低，從而降低了空穴傳輸層20的注入勢(shì)壘，因而較多空穴會(huì)注入至發(fā)光層30，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題?；蛘?，也可以給第二輔助電極90施加比陰極50小的電壓，以使電子傳輸層40能級(jí)降低，電子傳輸層40的注入勢(shì)壘升高，以減少注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量。

當(dāng)注入到發(fā)光層的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層的空穴數(shù)量少時(shí)，由于發(fā)光二極管包括設(shè)置在陰極50遠(yuǎn)離電子傳輸層40一側(cè)的第二絕緣層80和第二輔助電極90，因而給第二輔助電極90施加比陰極50大的電壓，空穴便會(huì)在第二輔助電極90和第二絕緣層80的界面處積累，這樣就會(huì)使得陰極50和電子傳輸層40界面處產(chǎn)生極化電場(chǎng)，同時(shí)，陰極50中的電子向電子傳輸層40移動(dòng)，電子傳輸層40能級(jí)升高，從而降低了電子傳輸層40的注入勢(shì)壘，因而注入到發(fā)光層30的電子增加，這樣便可以解決電子和空穴注入不平衡的問題?；蛘?，也可以給第一輔助電極60施加比陽(yáng)極10大的電壓，以使空穴傳輸層20能級(jí)升高，空穴傳輸層20的注入勢(shì)壘升高，以減少注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量。

基于上述，當(dāng)注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量比注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量少時(shí)，為了避免降低發(fā)光二極管的功耗，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選，發(fā)光二極管包括第一輔助電極60和第一絕緣層70，控制芯片具有第三電壓端口，不具有第四電壓端口，且第三電壓端口與第一輔助電極60電連接。同理，當(dāng)注入到發(fā)光層30的電子數(shù)量比注入到發(fā)光層30的空穴數(shù)量少，為了避免降低發(fā)光二極管的功耗，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選，發(fā)光二極管包括第二輔助電極90和第二絕緣層80，控制芯片具有第六電壓端口，不具有第五電壓端口，且第六電壓端口與第二輔助電極90電連接。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。