1.一種用于制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：
在襯底之上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比例高于化學計量組成中的氧比例的氧；
在所述氧化物絕緣膜上形成氧化物半導體膜，并且所述氧化物半導體膜與所述氧化物絕緣膜相接觸；
通過執(zhí)行熱處理來減小所述氧化物半導體膜中的氫濃度和氧空位；
蝕刻所述氧化物半導體膜的部分以形成島形氧化物半導體膜；
在所述島形氧化物半導體膜之上形成柵極絕緣膜；以及
形成與所述島形氧化物半導體膜重疊的柵電極，所述柵極絕緣膜處于所述柵電極和所述島形氧化物半導體膜之間，
其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×1020原子/cm3。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體裝置的方法，還包括在所述氧化物半導體膜上形成具有n型導電性的緩沖層的步驟。
3.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體裝置的方法，其中在所述氧化物絕緣膜中，在所述島形氧化物半導體膜下方的整個區(qū)域與所述襯底直接接觸。
4.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于所述襯底的應變點的溫度處執(zhí)行。
5.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述柵極絕緣膜包括氧化硅。
6.根據(jù)權利要求1所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述半導體裝置被結合到計算機的監(jiān)視器、數(shù)碼相框、電子書閱讀器、移動電話、數(shù)碼相機和電視機中的一個中。
7.一種用于制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：
在襯底上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比例高于化學計量組成中的氧比例的氧；
在所述氧化物絕緣膜上形成氧化物半導體膜，并且所述氧化物半導體膜與所述氧化物絕緣膜相接觸；
通過執(zhí)行熱處理來減小所述氧化物半導體膜中的氫濃度，并使所述氧化物絕緣膜中含有的氧擴散到所述氧化物半導體膜中；
通過蝕刻所述氧化物半導體膜來形成島形氧化物半導體膜；
在所述島形氧化物半導體膜之上形成柵極絕緣膜；以及
形成與所述島形氧化物半導體膜重疊的柵電極，所述柵極絕緣膜處于所述柵電極和所述島形氧化物半導體膜之間，
其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×1020原子/cm3。
8.根據(jù)權利要求7所述的用于制造半導體裝置的方法，還包括在所述氧化物半導體膜上形成具有n型導電性的緩沖層的步驟。
9.根據(jù)權利要求7所述的用于制造半導體裝置的方法，其中在所述氧化物絕緣膜中，在所述島形氧化物半導體膜下方的整個區(qū)域與所述襯底直接接觸。
10.根據(jù)權利要求7所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于所述襯底的應變點的溫度處執(zhí)行。
11.根據(jù)權利要求7所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述柵極絕緣膜包括氧化硅。
12.根據(jù)權利要求7所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述半導體裝置被結合到計算機的監(jiān)視器、數(shù)碼相框、電子書閱讀器、移動電話、數(shù)碼相機和電視機中的一個中。
13.一種用于制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：
在襯底之上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比例高于化學計量組成中的氧比例的氧；
在所述氧化物絕緣膜之上形成第一柵電極；
在所述第一柵電極和所述氧化物絕緣膜之上形成第一柵極絕緣膜；
在所述第一柵極絕緣膜之上形成氧化物半導體膜；
通過執(zhí)行熱處理來減小所述氧化物半導體膜中的氫濃度和氧空位；
在執(zhí)行所述熱處理之后蝕刻所述氧化物半導體膜的部分以形成島形氧化物半導體膜；
在所述島形氧化物半導體膜之上形成第二柵極絕緣膜；以及
形成與所述島形氧化物半導體膜、所述第一柵極絕緣膜和所述第一柵電極重疊的第二柵電極，所述第二柵極絕緣膜處于所述第二柵電極和所述島形氧化物半導體膜、所述第一柵極絕緣膜和所述第一柵電極之間。
14.根據(jù)權利要求13所述的用于制造半導體裝置的方法，其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×1020原子/cm3。
15.根據(jù)權利要求13所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述第一柵極絕緣膜包括氧化硅。
16.根據(jù)權利要求13所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于所述襯底的應變點的溫度處執(zhí)行。
17.根據(jù)權利要求13所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述第二柵極絕緣膜包括氧化硅。
18.根據(jù)權利要求13所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述半導體裝置被結合到計算機的監(jiān)視器、數(shù)碼相框、電子書閱讀器、移動電話、數(shù)碼相機和電視機中的一個中。
19.一種用于制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：
通過濺射法在襯底之上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比化學計量組成中的氧比例高的第一比例的氧；
形成覆蓋所述氧化物絕緣膜的氧化物半導體膜；
在以所述氧化物半導體膜覆蓋所述氧化物絕緣膜之后，執(zhí)行熱處理；
在執(zhí)行所述熱處理之后，通過蝕刻所述氧化物半導體膜的部分來形成島形氧化物半導體膜；
在所述島形氧化物半導體膜之上形成柵極絕緣膜；以及
形成與所述島形氧化物半導體膜重疊的柵電極，所述柵極絕緣膜設置在所述柵電極和所述島形氧化物半導體膜之間，
其中通過所述熱處理減小了所述氧化物半導體膜中的氫濃度和氧空位。
20.根據(jù)權利要求19所述的用于制造半導體裝置的方法，其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×1018原子/cm3。
21.根據(jù)權利要求20所述的用于制造半導體裝置的方法，其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量是通過熱解吸譜分析來測量的。
22.根據(jù)權利要求19所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述氧化物絕緣膜具有從200nm到500nm的厚度。
23.根據(jù)權利要求19所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于或等于450℃的溫度處執(zhí)行。
24.根據(jù)權利要求19所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述氧化物絕緣膜包括氧化硅。
25.根據(jù)權利要求19所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述柵極絕緣膜包括氧化硅。
26.一種用于制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：
通過濺射法在襯底上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比例高于化學計量組成中的氧比例的氧；
形成覆蓋所述氧化物絕緣膜的氧化物半導體膜；
在以所述氧化物半導體膜覆蓋所述氧化物絕緣膜之后，執(zhí)行熱處理；
在執(zhí)行所述熱處理之后，通過蝕刻所述氧化物半導體膜來形成島形氧化物半導體膜；
在所述島形氧化物半導體膜上形成源電極和漏電極，
其中通過所述熱處理減小了所述氧化物半導體膜中的氫濃度和氧空位。
27.根據(jù)權利要求26所述的用于制造半導體裝置的方法，其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×1018原子/cm3。
28.根據(jù)權利要求27所述的用于制造半導體裝置的方法，其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量是通過熱解吸譜分析來測量的。
29.根據(jù)權利要求26所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述氧化物絕緣膜具有從200nm到500nm的厚度。
30.根據(jù)權利要求26所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于或等于450℃的溫度處執(zhí)行。
31.根據(jù)權利要求26所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述氧化物絕緣膜包括氧化硅。
32.一種用于制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：
通過濺射法在襯底之上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比化學計量組成中的氧比例高的第一比例的氧；
形成覆蓋所述氧化物絕緣膜的氧化物半導體膜；
在以所述氧化物半導體膜覆蓋所述氧化物絕緣膜之后，執(zhí)行熱處理；
在執(zhí)行所述熱處理之后，通過蝕刻所述氧化物半導體膜的部分來形成島形氧化物半導體膜；
在所述島形氧化物半導體膜之上形成源電極和漏電極；
在所述島形氧化物半導體膜和所述源電極和所述漏電極之上形成柵極絕緣膜；以及
形成與所述島形氧化物半導體膜重疊的柵電極，所述柵極絕緣膜設置在所述柵電極和所述島形氧化物半導體膜之間，
其中通過所述熱處理減小了所述氧化物半導體膜中的氫濃度和氧空位。
33.根據(jù)權利要求32所述的用于制造半導體裝置的方法，其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×1018原子/cm3。
34.根據(jù)權利要求33所述的用于制造半導體裝置的方法，其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量是通過熱解吸譜分析來測量的。
35.根據(jù)權利要求32所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述氧化物絕緣膜具有從200nm到500nm的厚度。
36.根據(jù)權利要求32所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于或等于450℃的溫度處執(zhí)行。
37.根據(jù)權利要求32所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述氧化物絕緣膜包括氧化硅。
38.根據(jù)權利要求32所述的用于制造半導體裝置的方法，其中所述柵極絕緣膜包括氧化硅。