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半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置與流程

文檔序號(hào):11277943閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠抑制引線的無用的變形的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備如下步驟:對(duì)于引線框架,一邊按壓第1內(nèi)引線,一邊從引線框架的與形成著第1凹部的一面為相反側(cè)的另一面將推壓部件壓抵到配線部而使其變形,以第1凹部為基點(diǎn)剪切第1內(nèi)引線的延伸方向上的端部與配線部的連接部,并且使配線部從端部分離,所述引線框架包括第1引線、第2引線、及將第2內(nèi)引線與第1內(nèi)引線的延伸方向上的端部之間連接的配線部;且第1內(nèi)引線的延伸方向上的端部與配線部之間的連接部在比寬度方向的端部更內(nèi)側(cè)的區(qū)域具有第1凹部。

技術(shù)研發(fā)人員:石井齊
受保護(hù)的技術(shù)使用者:東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:2017.03.08
技術(shù)公布日:2017.09.26
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