技術總結
本發(fā)明公開了一種基于垂直溝道的MESFET(金屬?半導體場效應晶體管)器件，其包括MES結構、源極及漏極，所述MES結構包括柵極以及至少一半導體溝道，所述半導體溝道的軸線基本垂直于一選定平面，所述柵極環(huán)繞半導體溝道設置，所述源極經半導體溝道與漏極電連接，所述源極和漏極沿半導體溝道軸向間隔設置，所述柵極分布于源、漏極之間。本發(fā)明還公開了所述MESFET器件的制備方法。本發(fā)明的MESFET器件具有柵控能力好、工作頻率高，制作工藝難度低，成品率高等優(yōu)點。

技術研發(fā)人員：董志華;張輝;張佩佩;蔡勇;劉國華;柯華杰;周濤;程知群
受保護的技術使用者：杭州電子科技大學
文檔號碼：201710086828
技術研發(fā)日：2017.02.17
技術公布日：2017.06.20