本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的，涉及薄膜晶體管、含有該薄膜晶體管的陣列基板，含有該陣列基板的電子設(shè)備，以及制備該薄膜晶體管的方法。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，對(duì)TFT(薄膜晶體管)半導(dǎo)體層的電子遷移率要求越來越高，低溫多晶硅技術(shù)(LTPS)應(yīng)運(yùn)而生。LTPS顯示技術(shù)顯著提高了像素寫入速度，從而可以設(shè)置更細(xì)的線寬、更小的TFT開關(guān)，更高的開口率。

傳統(tǒng)的頂柵LTPS TFT通常需要制備LS(遮光層)、源/漏極摻雜(S/D doping)、輕摻雜漏區(qū)(Ldd doping)等工藝，工藝復(fù)雜，成本較高。底柵LTPS TFT無需LS層和摻雜工藝，但是背溝道刻蝕對(duì)有源層(active層)的損傷和歐姆接觸問題較難同時(shí)解決。

因而，目前的薄膜晶體管工藝仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種可以有效防止背溝道刻蝕工藝對(duì)有源層的損傷，降低接觸電阻或有效提升TFT性能的薄膜晶體管。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該薄膜晶體管包括：柵極；柵絕緣層；有源層；源漏電極，其中，所述有源層的材料為多晶硅，在所述源漏電極靠近所述柵極的表面設(shè)置有保護(hù)結(jié)構(gòu)。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在源漏電極靠近所述柵極的表面設(shè)置保護(hù)結(jié)構(gòu)，可以通過濕法刻蝕工藝進(jìn)行處理，進(jìn)而可以有效避免在干刻工藝過程對(duì)有源層的損傷，不會(huì)對(duì)有源層的溝道區(qū)發(fā)生侵蝕，且通過設(shè)置保護(hù)結(jié)構(gòu)，可以降低接觸電阻，從而可以大大提升薄膜晶體管的使用性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)的材料為氧化物半導(dǎo)體。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅和氧化鋅中的至少一種。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該薄膜晶體管進(jìn)一步包括歐姆接觸結(jié)構(gòu)，所述歐姆接觸結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述保護(hù)結(jié)構(gòu)和所述源漏電極之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述歐姆接觸結(jié)構(gòu)的材料為n+a-Si。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板包括前面所述的薄膜晶體管。該陣列基板具有前面所述的薄膜晶體管的全部特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再一一贅述。

在本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該電子設(shè)備包括前面所述的陣列基板。該電子設(shè)備具有前面所述的陣列基板的全部特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再一一贅述。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種制備薄膜晶體管的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：S100：在襯底上形成柵極和柵絕緣層；S200：形成有源層；S300：在所述有源層和柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次形成保護(hù)層和電極層；S400：通過構(gòu)圖工藝依次形成源漏電極和保護(hù)結(jié)構(gòu)。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過該方法可以快速有效的制備獲得前面所述的薄膜晶體管，且由于在有源層和柵絕緣層的上表面形成保護(hù)結(jié)構(gòu)，其可通過濕法刻蝕工藝獲得，可以有效避免干刻工藝對(duì)有源層造成損傷，不會(huì)對(duì)有源層造成侵蝕，同時(shí)該保護(hù)結(jié)構(gòu)可以降低接觸電阻，大大提高了薄膜晶體管的使用性能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，步驟S300中，在所述有源層和柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次形成所述保護(hù)層、歐姆接觸層和所述電極層；步驟S400中，通過構(gòu)圖工藝依次形成所述源漏電極、歐姆接觸結(jié)構(gòu)和所述保護(hù)結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過構(gòu)圖工藝依次形成源漏電極、歐姆接觸結(jié)構(gòu)和保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括：對(duì)所述電極層進(jìn)行濕法刻蝕，形成所述源漏電極；對(duì)所述歐姆接觸層進(jìn)行干法刻蝕，形成所述歐姆接觸結(jié)構(gòu)；對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行濕法刻蝕，形成所述保護(hù)結(jié)構(gòu)。。

附圖說明

圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3A和圖3B顯示了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖。

圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖。

圖6顯示根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖。

圖7A-圖7E顯示了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖。

圖8A-圖8G顯示了根據(jù)本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例的制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。下面描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例中未注明具體技術(shù)或條件的，按照本領(lǐng)域內(nèi)的文獻(xiàn)所描述的技術(shù)或條件或者按照產(chǎn)品說明書進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過市購獲得的常規(guī)產(chǎn)品。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D1，該薄膜晶體管包括：柵極10；柵絕緣層20；有源層30；源漏電極40，其中，所述有源層的材料為多晶硅，在所述源漏電極40靠近所述柵極10的表面設(shè)置有保護(hù)結(jié)構(gòu)50。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在源漏電極靠近所述柵極的表面設(shè)置保護(hù)結(jié)構(gòu)，且保護(hù)結(jié)構(gòu)可以通過濕法刻蝕處理獲得，可以避免在刻蝕工藝過程對(duì)有源層的損傷，不會(huì)對(duì)有源層的溝道區(qū)發(fā)生侵蝕，同時(shí)該保護(hù)結(jié)構(gòu)可以降低接觸電阻，從而可以大大提升薄膜晶體管的使用性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)沒有特別限制，可以為本領(lǐng)域常規(guī)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，例如，包括但不限于底柵型薄膜晶體管或頂柵型薄膜晶體管。在本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例中，參照?qǐng)D1，該薄膜晶體管為為底柵型薄膜晶體管。由此，可以省去摻雜工藝和遮光層工藝，在工藝和成本上具有較大優(yōu)勢(shì)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述保護(hù)結(jié)構(gòu)的材料不受特別限制，只要能夠保護(hù)有源層不在刻蝕工藝過程中被損傷、且可通過濕法刻蝕工藝去除即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)的材料為氧化物半導(dǎo)體形成。由此，防止有源層不被損傷的效果較佳，且可以有效通過濕法刻蝕去除，不對(duì)有源層造成侵蝕。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述氧化物半導(dǎo)體的具體種類也沒有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以采用的氧化物半導(dǎo)體包括但不限于銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅和氧化鋅中的至少一種。由此，具有較好的保護(hù)效果，且易于通過濕法刻蝕去除。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D2，該薄膜晶體管進(jìn)一步包括歐姆接觸結(jié)構(gòu)60，所述歐姆接觸結(jié)構(gòu)60設(shè)置在所述保護(hù)結(jié)構(gòu)50和所述源漏電極40之間。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過設(shè)置歐姆接觸結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步降低接觸電阻，提升開啟電流，同時(shí)降低漏電流。特別的，當(dāng)柵極加負(fù)壓時(shí)，有源層中電子耗盡，主要通過熱載流子(空穴)發(fā)生導(dǎo)電，而歐姆接觸層的存在，形成的P-N結(jié)，可以有效阻止空穴漏電流，大大降低I_off。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成歐姆接觸結(jié)構(gòu)的具體材料沒有特別限制，只要能夠有效發(fā)揮降低接觸電阻，提升開啟電流，同時(shí)降低漏電流的作用即可。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，形成歐姆接觸結(jié)構(gòu)的材料為高濃度N型摻雜的非晶硅(n+a-Si)。由此，接觸電阻較低，開啟電流較高，且漏電流大大降低。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，上述的薄膜晶體管還可以具有本領(lǐng)域常規(guī)薄膜晶體管具備的其他結(jié)構(gòu)。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D3A和圖3B，上述的薄膜晶體管還可以包括襯底100，以對(duì)薄膜晶體管提供支撐作用。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板包括前面所述的薄膜晶體管。該陣列基板具有前面所述的薄膜晶體管的全部特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再一一贅述。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了上述薄膜晶體管外，本發(fā)明所述的陣列基板還具備常規(guī)陣列基板的其他必要結(jié)構(gòu)和部件，例如柵線、數(shù)據(jù)線及必要的電路結(jié)構(gòu)等，在此不再一一贅述。

在本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該電子設(shè)備包括前面所述的陣列基板。該電子設(shè)備具有前面所述的陣列基板的全部特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再一一贅述。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該電子設(shè)備的具體種類不受特別限制，可以為任何設(shè)置有陣列基板的電子設(shè)備。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，該電子設(shè)備包括但不限于顯示裝置、手機(jī)、平板電腦、游戲機(jī)、電視機(jī)等。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除了前面所述的陣列基板，該電子設(shè)備還包括常規(guī)電子設(shè)備的其他必要結(jié)構(gòu)和部件，例如，以顯示面板為例，可以具有陣列基板、彩膜基板、填充于陣列基板和彩膜基板之間的液晶、背光模組等。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種制備前面所述的薄膜晶體管的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D4，該方法可以包括以下步驟：

S100：在襯底上形成柵極和柵絕緣層。

具體的，該步驟中，可以采用本領(lǐng)域任何已知的形成柵極和柵絕緣層的方法進(jìn)行，例如，包括但不限于通過物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積方法形成柵極和柵絕緣層，具體可以為真空濺射、淀積等方法。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，該步驟中，可以直接在預(yù)定位置形成柵極和柵絕緣層，也可以預(yù)先在襯底上形成整面的層結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕等工藝進(jìn)行圖形化，另外，也可以包括摻雜等步驟。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，襯底、柵極和柵絕緣層的材質(zhì)不受特別限制，可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的材料形成襯底、柵極和柵絕緣層，例如，襯底包括但不限于為玻璃襯底，柵極可以為金屬柵極等，形成柵絕緣層的材料可以為聚合物、氧化物等。

S200：形成有源層。

具體的，該步驟中，可以先形成覆蓋柵絕緣層的層結(jié)構(gòu)，然后通過圖案化等操作形成滿足要求的有源層。形成有源層的方法可以為物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積，具體可以為真空濺射、淀積等方法。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成有源層的材料可以為多晶硅。由此，薄膜晶體管具有良好的使用性能。具體的，可以預(yù)先在柵絕緣層的上表面形成非晶硅層，然后通過準(zhǔn)分子激光晶化工藝，將非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層，然后通過圖案化獲得有源層。

S300：在所述有源層和柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次形成保護(hù)層和電極層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以通過物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積方法形成保護(hù)層和電極層。形成該保護(hù)層的材料可以為氧化物半導(dǎo)體，具體的，包括但不限于銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅和氧化鋅中的至少一種。由此，具有較好的保護(hù)效果，且易于通過濕法刻蝕去除。形成電極層的材料可以為本領(lǐng)域任何可以形成源漏電極的材料，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中，可以通過物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積，例如，包括但不限于真空濺射、淀積等方法形成該保護(hù)層和電極層。

S400：通過構(gòu)圖工藝依次形成源漏電極和保護(hù)結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中，采用濕法刻蝕對(duì)電極層和保護(hù)層進(jìn)行刻蝕處理，不會(huì)對(duì)有源層產(chǎn)生損傷，有效提升薄膜晶體管的使用性能。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過該方法可以快速有效的制備獲得前面所述的薄膜晶體管，且由于在源漏電極靠近柵極的表面形成保護(hù)結(jié)構(gòu)，其可以通過濕法刻蝕工藝處理獲得，從而可以有效避免干法刻蝕過程中對(duì)有源層造成損傷，不會(huì)對(duì)有源層造成侵蝕，同時(shí)該保護(hù)結(jié)構(gòu)可以降低接觸電阻，大大提高了薄膜晶體管的使用性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，有源層的材料為多晶硅。由此，有源層不會(huì)在濕法刻蝕步驟中造成損傷，干法刻蝕步驟中也可以通過保護(hù)層得到理想的保護(hù)，薄膜晶體管的使用性能得到顯著提升。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D5，步驟S300中，在所述有源層和柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次形成所述保護(hù)層、歐姆接觸層和所述電極層；步驟S400中，通過構(gòu)圖工藝依次形成所述源漏電極、歐姆接觸結(jié)構(gòu)和所述保護(hù)結(jié)構(gòu)。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過設(shè)置歐姆接觸結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步降低接觸電阻，提升開啟電流，同時(shí)降低漏電流。特別的，當(dāng)柵極加負(fù)壓時(shí)，有源層中電子耗盡，主要通過熱載流子(空穴)發(fā)生導(dǎo)電，而歐姆接觸層的存在，形成的P-N結(jié)，可以有效阻止空穴漏電流，大大降低I_off。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成歐姆接觸層的材料可以為n+a-Si，由此，接觸電阻較低，開啟電流較高，且漏電流大大降低。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D6，通過構(gòu)圖工藝依次形成源漏電極、歐姆接觸結(jié)構(gòu)和保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括：S410：對(duì)所述電極層進(jìn)行濕法刻蝕，形成所述源漏電極；S420：對(duì)所述歐姆接觸層進(jìn)行干法刻蝕，形成所述歐姆接觸結(jié)構(gòu)；S430：對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行濕法刻蝕，形成所述保護(hù)結(jié)構(gòu)。

具體的，首先可以通過濕法刻蝕對(duì)電極層進(jìn)行刻蝕處理，然后通過干法刻蝕對(duì)歐姆接觸層進(jìn)行刻蝕處理，接著，再通過濕法刻蝕對(duì)保護(hù)層進(jìn)行刻蝕處理，該通過干法刻蝕對(duì)歐姆接觸層進(jìn)行刻蝕處理過程中，由于保護(hù)層的存在，可以有效避免有源層在干法刻蝕中造成損傷，且保護(hù)層可以通過濕法刻蝕進(jìn)行圖案化，不會(huì)侵蝕有源層，進(jìn)而大大提高了薄膜晶體管的使用性能。

在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，參照?qǐng)D7A-圖7E，制備前面所述的薄膜晶體管的方法包括：

在襯底100上形成柵極10(參照?qǐng)D7A)；

在襯底100和柵極10的上表面依次形成柵絕緣層20和非晶硅層，并對(duì)非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光晶化處理，以形成多晶硅層32(參照?qǐng)D7B)；

對(duì)多晶硅層32進(jìn)行圖案化處理，以形成有源層30，其中，有源層30在柵極10上的正投影面積小于柵極10的面積(參照?qǐng)D7C)；

在有源層30和柵絕緣層20的上表面依次形成保護(hù)層52和電極層42(參照?qǐng)D7D)；

對(duì)保護(hù)層52和電極層42進(jìn)行濕法刻蝕，以形成保護(hù)結(jié)構(gòu)50和源漏電極40(參照?qǐng)D7E)，即得薄膜晶體管。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體示例，參照?qǐng)D8A-圖8G，制備薄膜晶體管的方法包括：

在襯底100上形成柵極10(參照?qǐng)D8A)；

在襯底100和柵極10的上表面依次形成柵絕緣層20和非晶硅層，并對(duì)非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光晶化處理，以形成多晶硅層32(參照?qǐng)D8B)；

對(duì)多晶硅層32進(jìn)行圖案化處理，以形成有源層30，其中，有源層30在柵極10上的正投影面積小于柵極10的面積(參照?qǐng)D8C)；

在有源層30和柵絕緣層20的上表面依次形成保護(hù)層52、歐姆接觸層62和電極層42(參照?qǐng)D8D)；

利用濕法刻蝕對(duì)電極層42進(jìn)行刻蝕，以形成源漏電極40(參照?qǐng)D8E)；

利用干法刻蝕對(duì)歐姆接觸層進(jìn)行刻蝕，以形成歐姆接觸結(jié)構(gòu)60(參照?qǐng)D8F)；

利用濕法刻蝕對(duì)保護(hù)層52進(jìn)行刻蝕，以形成保護(hù)結(jié)構(gòu)50(參照?qǐng)D8G)，即得薄膜晶體管。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。