本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及一種基于垂直溝道的MESFET器件(Vertical Channel Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor Field-effect Transistor,VC-MESFET)及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，CMOS器件和集成電路已經(jīng)步入所謂的后摩爾時(shí)代，也即，集成電路的發(fā)展已經(jīng)逐步偏離“摩爾定律”的曲線(xiàn)。特別是當(dāng)器件的柵長(zhǎng)及溝道長(zhǎng)度越來(lái)越短、柵介質(zhì)層越來(lái)越薄時(shí)所帶來(lái)的“短溝道效應(yīng)”、“DIBL效應(yīng)”(Drain Induced Barrier Lowering，漏端引入的勢(shì)壘降低)以及源漏直接隧穿等，使得器件尺寸縮小愈來(lái)愈困難。并且由于柵長(zhǎng)變短，柵控能力下降，使器件的亞閾擺幅以及開(kāi)關(guān)電流比下降，帶來(lái)功耗增加等一系列問(wèn)題。為了解決以上問(wèn)題，研究人員提出了Si基Fin-FET、Si基垂直溝道器件、基于納米線(xiàn)的垂直器件等解決方案。但這些解決方案仍存在一些缺陷。例如，F(xiàn)in-FET仍然要借助光刻技術(shù)來(lái)獲得更小的柵長(zhǎng)。又如，基于Si納米線(xiàn)的器件等必須進(jìn)行局部摻雜，這增大了工藝難度。再如，Si的垂直溝道器件可以先行形成多層不同摻雜類(lèi)型的結(jié)構(gòu)再刻蝕形成垂直溝道結(jié)構(gòu)，但是，這無(wú)疑更加增大了工藝的復(fù)雜程度，而且Si材料體系由于其材料性質(zhì)所限，在耐高壓和耐高溫、抗輻射等方面的性能也不甚理想。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有垂直溝道陣列的MESFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field-effect Transistor,，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件及其制備方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于垂直溝道的MESFET器件，包括MES結(jié)構(gòu)、源極及漏極，所述MES結(jié)構(gòu)包括柵極以及至少一半導(dǎo)體溝道，所述半導(dǎo)體溝道的軸線(xiàn)基本垂直于一選定平面，所述柵極環(huán)繞所述半導(dǎo)體溝道設(shè)置，所述源極經(jīng)所述半導(dǎo)體溝道與所述漏極電連接，所述源極和漏極沿所述半導(dǎo)體溝道軸向間隔設(shè)置，所述柵極分布于源極和漏極之間。

在一些較佳實(shí)施方案中，所述MESFET器件包括由復(fù)數(shù)個(gè)所述的半導(dǎo)體溝道形成的溝道陣列。

進(jìn)一步的，所述柵極與所述半導(dǎo)體溝道形成肖特基接觸。

進(jìn)一步的，所述源極及漏極與所述半導(dǎo)體溝道形成歐姆接觸。

在一些較佳實(shí)施方案中，所述源極、漏極及柵極中的至少一者平行于所述選定平面。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種基于垂直溝道的MESFET器件的制備方法，其包括：

于襯底主平面上形成至少一半導(dǎo)體溝道，所述半導(dǎo)體溝道的軸線(xiàn)基本垂直于所述襯底主平面；

制作源極、柵極及漏極，并使所述源極與漏極經(jīng)所述半導(dǎo)體溝道電連接，其中所述源極和漏極沿所述半導(dǎo)體溝道軸向間隔設(shè)置，所述柵極分布于源極和漏極之間。

在一些較佳實(shí)施方案中，所述的制備方法還可包括：于襯底主平面上形成由復(fù)數(shù)個(gè)所述的半導(dǎo)體溝道形成的溝道陣列，之后制作所述源極、柵極及漏極。

進(jìn)一步的，所述的制備方法還包括：使所述柵極與所述半導(dǎo)體溝道之間形成肖特基接觸。

進(jìn)一步的，所述的制備方法還包括：使所述源極及漏極與所述半導(dǎo)體溝道形成歐姆接觸。

較之現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明至少具有如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)本發(fā)明的MESFET器件的柵極可對(duì)溝道實(shí)現(xiàn)全角度包圍，因此可以最大限度提高柵控能力。

(2)本發(fā)明的MESFET器件的柵極長(zhǎng)度由沉積的柵極金屬厚度決定，其極限厚度可以達(dá)到單原子層厚度，即，可以突破光刻的極限，因此可以極大提高器件工作頻率。

(4)本發(fā)明的MESFET器件在制作時(shí)，無(wú)需如現(xiàn)有平面結(jié)構(gòu)器件那樣考慮柵極、漏極、源極的引線(xiàn)交迭問(wèn)題，可以大大簡(jiǎn)化工藝難度，提高成品率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明一典型實(shí)施例中一種基于垂直溝道的MESFET器件的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明一典型實(shí)施例中一種基于垂直溝道的MESFET器件的主視圖。

圖3是本發(fā)明一典型實(shí)施例中一種基于垂直溝道的MESFET器件的俯視圖。

圖4是本發(fā)明一典型實(shí)施例中一種基于垂直溝道的MESFET器件的左視圖。

圖5是本發(fā)明另一典型實(shí)施例中一種基于垂直溝道的MESFET器件的主視圖。

圖6是本發(fā)明另一典型實(shí)施例中一種基于垂直溝道的MESFET器件的俯視圖。

圖7是本發(fā)明另一典型實(shí)施例中一種基于垂直溝道的MESFET器件的左視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面提供的一種基于垂直溝道的MESFET器件(VC-MESFET)，包括MES結(jié)構(gòu)、源極及漏極，所述MES結(jié)構(gòu)包括柵極以及至少一半導(dǎo)體溝道，所述半導(dǎo)體溝道的軸線(xiàn)基本垂直于一選定平面，所述柵極環(huán)繞所述半導(dǎo)體溝道設(shè)置，所述源極經(jīng)所述半導(dǎo)體溝道與所述漏極電連接，所述源極和漏極沿所述半導(dǎo)體溝道軸向間隔設(shè)置，所述柵極分布于源極和漏極之間。

前述的“基本垂直于”是指所述半導(dǎo)體溝道的軸線(xiàn)與所述選定平面成90°或接近于90°的角，即所述半導(dǎo)體溝道可以相對(duì)于所述選定平面豎直站立或者傾斜站立的方式設(shè)置。

其中，因前述源極和漏極沿半導(dǎo)體溝道軸向間隔設(shè)置，而柵極設(shè)于源、漏極之間，即，源、漏、柵是非共平面的，所以在制作時(shí)無(wú)需考慮柵極、漏極、源極的引線(xiàn)交迭等問(wèn)題，可以大大簡(jiǎn)化工藝難度。

其中，因前述柵極環(huán)繞半導(dǎo)體溝道設(shè)置。亦即，前述柵極對(duì)半導(dǎo)體溝道可以實(shí)現(xiàn)全角度包圍，如此可以最大限度提高柵控能力。

進(jìn)一步的，前述半導(dǎo)體溝道可以為柱狀的，其徑向截面可以是圓形、正六邊形、三角形或其它封閉多邊形中的一種。亦即，所述半導(dǎo)體溝道可以呈圓柱狀、棱柱狀等。

進(jìn)一步的，前述半導(dǎo)體溝道的長(zhǎng)度和直徑可以依據(jù)實(shí)際需要而相應(yīng)設(shè)置。

例如，前述半導(dǎo)體溝道為納米柱，即，其直徑可以為納米級(jí)的。

例如，前述半導(dǎo)體溝道的長(zhǎng)度可以達(dá)到納米尺度，當(dāng)其小于符合條件的值時(shí)，將使所述MESFET器件具有更佳性能，例如產(chǎn)生諸如彈道輸運(yùn)等性能。

進(jìn)一步的，前述柵極的長(zhǎng)度(亦即在所述半導(dǎo)體溝道軸向上的厚度)可以通過(guò)對(duì)柵金屬的沉積厚度進(jìn)行控制，因此可以極小，乃至可以突破光刻的極限，甚至可以達(dá)到單電子層厚度，因而可以極大提高器件工作頻率，直至將器件工作頻率延伸至太赫茲波段。

同樣的，對(duì)于所述源極和漏極而言，其長(zhǎng)度(亦即在所述半導(dǎo)體溝道軸向上的厚度)也可以通過(guò)對(duì)源金屬、漏金屬的沉積厚度進(jìn)行控制。

進(jìn)一步的，前述柵極與半導(dǎo)體溝道形成肖特基接觸。

進(jìn)一步的，前述源極和漏極與半導(dǎo)體溝道形成歐姆接觸，從而使源、漏極可通過(guò)半導(dǎo)體溝道形成電連接。

在一些較佳實(shí)施方案中，前述柵極與源極之間的距離小于柵極與漏極之間的距離，以獲得較大的擊穿電壓。

在一些實(shí)施方案中，所述源極和漏極可以分別設(shè)置于半導(dǎo)體溝道兩端處。并且，所述源極和漏極的位置可以互換。

在一些較佳實(shí)施方案中，所述源極、漏極及柵極中的至少一者平行于所述選定平面。

進(jìn)一步，前述源極、漏極及柵極均平行于所述選定平面，如此可進(jìn)一步簡(jiǎn)化源、漏及柵極的制作工藝，降低制作成本。

進(jìn)一步的，前述柵極與源極之間以及前述柵極與漏極之間的交疊面積(亦可認(rèn)為是柵極與源極和/或漏極于所述選定平面上的正投影的交疊面積)應(yīng)盡量小，以盡量減小甚至完全消除柵源、柵漏寄生電容。

在一些較為具體的實(shí)施案例中，所述源極包括源極接觸環(huán)，所述源極接觸環(huán)環(huán)繞所述半導(dǎo)體溝道設(shè)置。進(jìn)一步的，所述源極接觸環(huán)還可經(jīng)連接線(xiàn)與源極引線(xiàn)盤(pán)電連接。

在一些較為具體的實(shí)施案例中，所述漏極包括漏極接觸環(huán)，所述漏極接觸環(huán)環(huán)繞所述半導(dǎo)體溝道設(shè)置。進(jìn)一步的，所述漏極接觸環(huán)還可經(jīng)連接線(xiàn)與漏極引線(xiàn)盤(pán)電連接。

在一些較為具體的實(shí)施案例中，所述柵極包括柵極接觸環(huán)，所述柵極接觸環(huán)環(huán)繞所述半導(dǎo)體溝道設(shè)置。進(jìn)一步的，所述柵極接觸環(huán)還可經(jīng)連接線(xiàn)與柵極引線(xiàn)盤(pán)電連接。

更進(jìn)一步的，前述源極接觸環(huán)、漏極接觸環(huán)和柵極接觸環(huán)中的至少一者與所述半導(dǎo)體溝道同軸設(shè)置。

在一些較佳實(shí)施方案中，所述半導(dǎo)體溝道中的柵極接觸環(huán)與半導(dǎo)體同軸設(shè)置。

更進(jìn)一步的，前述源極接觸環(huán)、漏極接觸環(huán)和柵極接觸環(huán)中的至少一者平行于所述選定平面。

在一些實(shí)施方案中，所述源極和漏極中的至少一者與柵極之間還保留或未保留隔離絕緣介質(zhì)層。優(yōu)選的，所述源極和漏極中的任一者與柵極之間均無(wú)隔離絕緣介質(zhì)層。進(jìn)一步的，前述隔離絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)可以選自二氧化硅、氮化硅、氧化鋁等業(yè)界習(xí)用的材料。

在一些較佳實(shí)施方案中，所述柵極還可具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。

在一些較為具體的實(shí)施案例中，所述MESFET器件還可包括襯底，所述選定平面為所述襯底主平面，并且所述半導(dǎo)體溝道形成于所述襯底主平面上。

進(jìn)一步的，所述襯底可以選自業(yè)界習(xí)用的襯底，例如藍(lán)寶石襯底、GaN襯底、SiC襯底等，且不限于此。

在一些較佳實(shí)施方案中，所述MESFET器件還可包括由復(fù)數(shù)個(gè)所述半導(dǎo)體溝道形成的溝道陣列(亦可稱(chēng)為溝道簇)，如此可提高器件電流。顯然的，通過(guò)控制所述半導(dǎo)體溝道陣列的數(shù)量等，還可以實(shí)現(xiàn)對(duì)器件電流的精確調(diào)控。

進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體溝道陣列可以采用業(yè)界習(xí)知的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。

所述基于垂直溝道的MESFET器件可以通過(guò)習(xí)見(jiàn)半導(dǎo)體器件加工工藝制成。

綜述之，與現(xiàn)有平面型HEET相比，本發(fā)明基于垂直溝道的MESFET器件具有如下優(yōu)點(diǎn)：第一，器件的柵電極長(zhǎng)度決定于金屬的厚度，不需要借助光刻工藝定義，因此，可以突破光刻分辨率限制，獲得極小柵長(zhǎng)。對(duì)于提高器件頻率特性具有非常重要意義。第二，由于柵電極360°包圍溝道，所以可以大大提高柵控能力，從而獲得極高跨導(dǎo)并且降低關(guān)態(tài)電流。

本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)方面還提供了一種制作前述基于垂直溝道的MESFET器件的方法，其可以包括：

于襯底主平面上形成至少一半導(dǎo)體溝道，所述半導(dǎo)體溝道的軸線(xiàn)基本垂直于所述襯底主平面；

制作源極、柵極及漏極，并使所述源極與漏極經(jīng)所述半導(dǎo)體溝道電連接，其中所述源極和漏極沿所述半導(dǎo)體溝道軸向間隔設(shè)置，所述柵極分布于源極和漏極之間。

進(jìn)一步的，在所述制備方法中，可以通過(guò)MOCVD、PECVD等業(yè)界已知的物理和/或化學(xué)方式等于襯底主平面上生長(zhǎng)或沉積形成所述半導(dǎo)體溝道。

進(jìn)一步的，在所述制備方法中，可以通過(guò)金屬濺射、原子層積等方式制作形成前述源極、漏極、柵極等。而這些電極的材質(zhì)也可以選自業(yè)界常用的金屬或非金屬材料，特別是金屬材料，例如Au、Ni、Ti等等。

進(jìn)一步的，在所述制備方法中，也可以通過(guò)業(yè)界已知的物理和/或化學(xué)沉積方式形成前述的隔離絕緣介質(zhì)層等。

進(jìn)一步的，所述的制備方法還可包括：于襯底主平面上形成由復(fù)數(shù)個(gè)所述的半導(dǎo)體溝道形成的溝道陣列，之后制作所述源極、柵極及漏極。

進(jìn)一步的，所述的制備方法還包括：使所述柵極與所述半導(dǎo)體溝道之間形成肖特基接觸。

進(jìn)一步的，所述的制備方法還包括：使所述源極及漏極與所述半導(dǎo)體溝道形成歐姆接觸。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1所示系本發(fā)明一典型實(shí)施例中的一種基于垂直溝道的MESFET(VC-MESFET)器件，其包括襯底、MES結(jié)構(gòu)、源極以及漏極等。

該MES結(jié)構(gòu)包括柵極以及半導(dǎo)體溝道。

其中，該半導(dǎo)體溝道可以由柱狀的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)a組成。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)a垂直于襯底主平面設(shè)置。

其中，該柵極環(huán)繞半導(dǎo)體溝道設(shè)置，且位于源、漏電極之間。

其中，該源極和漏極可分別設(shè)置于半導(dǎo)體溝道的上、下兩端，且與半導(dǎo)體溝道形成歐姆接觸，使得源、漏極可通過(guò)半導(dǎo)體溝道形成電連接。

前述半導(dǎo)體溝道的材質(zhì)可以是GaN等III～V族半導(dǎo)體材料等。

前述柵極、源極、漏極的材質(zhì)可以選自業(yè)界已知的合適金屬材料。

進(jìn)一步的，所述漏極可以包括漏極接觸環(huán)c1，該漏極接觸環(huán)c1可以通過(guò)漏極連接線(xiàn)c3與漏極引線(xiàn)盤(pán)c2電連接。

進(jìn)一步的，所述柵極可以包括柵極接觸環(huán)e1，該柵極接觸環(huán)e1可以通過(guò)柵極連接線(xiàn)e3與柵極引線(xiàn)盤(pán)e2電連接。該柵極接觸環(huán)g1與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)a配合形成同軸MES結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述源極可以包括源極接觸環(huán)g1，該源極接觸環(huán)g1可以通過(guò)源極連接線(xiàn)g3與源極引線(xiàn)盤(pán)g2電連接。

進(jìn)一步的，所述源極與柵極之間和/或所述漏極與柵極之間還可分布有隔離絕緣介質(zhì)層。進(jìn)一步的，所述介質(zhì)層的材質(zhì)可以是Si₃N₄等，且不限于此。

本發(fā)明一典型實(shí)施例中的一種制備所述VC-MESFET器件的方法可以包括如下步驟：

(1)在選定襯底上形成半導(dǎo)體溝道。

(2)形成漏極，包括環(huán)繞半導(dǎo)體溝道的漏極接觸環(huán)c1。其中，對(duì)于某些半導(dǎo)體，需要先對(duì)漏區(qū)進(jìn)行摻雜，然后形成歐姆接觸，從而形成漏極。而對(duì)于某些半導(dǎo)體，如GaN，可以直接利用Ti基金屬堆棧(如Ti/Al/Ni/Au)合金化與GaN形成歐姆接觸，從而形成漏極。

(3)沉積柵、漏之間的隔離絕緣介質(zhì)層。

(4)形成柵極，包括環(huán)繞半導(dǎo)體溝道的柵極接觸環(huán)e1。該柵極與半導(dǎo)體溝道之間形成肖特基接觸。

(5)沉積柵、源之間的隔離絕緣介質(zhì)層。

(6)形成源極，包括環(huán)繞溝道的源極接觸環(huán)g1。其中，對(duì)于某些半導(dǎo)體，需要先對(duì)源區(qū)進(jìn)行摻雜，然后形成歐姆接觸，從而形成源極。而對(duì)于某些半導(dǎo)體，如GaN，可以直接利用Ti基金屬堆棧(如Ti/Al/Ni/Au)合金化與GaN形成歐姆接觸，從而形成源極。

(7)去除位于引線(xiàn)盤(pán)之外的柵極與漏極、柵極與源極之間的隔離絕緣介質(zhì)層。

(8)刻蝕形成源極、柵極、漏極引線(xiàn)盤(pán)的接觸孔。

(9)制作源極、柵極、漏極引線(xiàn)。

進(jìn)一步的，前述漏極連接線(xiàn)c3、柵極連接線(xiàn)e3、源極連接線(xiàn)g3皆不平行。

再請(qǐng)參閱圖2～圖4，本發(fā)明一典型實(shí)施例中的一種基于垂直溝道的MESFET可以包括襯底2、柱狀同軸MES結(jié)構(gòu)、源極3和漏極5。其中，所述柱狀同軸MES結(jié)構(gòu)主要由半導(dǎo)體溝道和柵極的接觸環(huán)部分配合形成，其中半導(dǎo)體溝道由半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1形成。該柱狀同軸MES結(jié)構(gòu)垂直設(shè)置于襯底主平面。源極和漏極分別位于該柱狀同軸MES結(jié)構(gòu)兩端，與半導(dǎo)體溝道形成歐姆接觸，源極和漏極金屬與襯底主平面平行。柵極位于源、漏極之間。柵極金屬與襯底主平面平行。

該典型實(shí)施案例的MESFET器件中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的材質(zhì)、直徑、長(zhǎng)度、形狀等可以依據(jù)實(shí)際需要而定，例如，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以為GaAs納米線(xiàn)，直徑可以為100nm，并且半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中與源極、漏極對(duì)應(yīng)的漏區(qū)和源區(qū)的GaAs還進(jìn)行了n型摻雜，而半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的徑向截面可以為圓形等形狀。又及，其中半導(dǎo)體溝道的長(zhǎng)度，也即源、漏極之間的距離也可以依據(jù)實(shí)際需要而定，例如可以為50nm。其中，該MESFET器件的柵極長(zhǎng)度，源、漏極距離，柵、源極距離等也均可以依據(jù)實(shí)際需要而定，例如，柵極長(zhǎng)度可以為5nm，源、漏極距離可以為30nm，柵、源極距離可以為15nm，漏極可以位于該MESFET器件的頂側(cè)，源極可以位于該MESFET器件的底側(cè)。而源、漏極的厚度根據(jù)過(guò)器件的總輸出電流要求大小給予合理設(shè)計(jì)。

在本發(fā)明的另一典型實(shí)施案例中，一種基于垂直溝道的MESFET(VC-MESFET)器件可以具有圖5～圖7所示的結(jié)構(gòu)，在該圖5～圖7中，各附圖標(biāo)記的釋義同前所述。

進(jìn)一步的，該VC-MESFET器件包括襯底、MES結(jié)構(gòu)、源極以及漏極等。

該MES結(jié)構(gòu)包括柵極以及若干半導(dǎo)體溝道形成的溝道陣列。

其中，每一半導(dǎo)體溝道可以由一柱狀的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)a組成。這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)a均垂直于襯底主平面設(shè)置。

其中，該柵極環(huán)繞半導(dǎo)體溝道設(shè)置，且位于源、漏電極之間。

該源極和漏極可分別設(shè)置于半導(dǎo)體溝道的上、下兩端，且與半導(dǎo)體溝道形成歐姆接觸，使得源、漏極可通過(guò)半導(dǎo)體溝道形成電連接。

前述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)a可以為沿c軸生長(zhǎng)的GaN，其直徑可以依據(jù)實(shí)際需要而定，例如可以為0～2μm(不為0)。

前述半導(dǎo)體溝道的長(zhǎng)度，也即源、漏極之間的距離可以依據(jù)實(shí)際需要而定，例如可以為100nm。

前述溝道陣列可以為點(diǎn)陣形態(tài)的，例如可以分布為3*3正方點(diǎn)陣。

前述柵極和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的徑向截面可以為圓形等形狀的。

該典型實(shí)施案例的MESFET器件中，器件的柵極長(zhǎng)度，源、漏極距離，柵、源極距離等也均可以依據(jù)實(shí)際需要而定，例如，柵極長(zhǎng)度可以為10nm，源、漏極距離可以為60nm，柵、源極距離可以為30nm，漏極位于該MESFET器件底側(cè)，源極位于該MESFET器件頂側(cè)。源、漏極的厚度根據(jù)過(guò)器件的總輸出電流要求大小給予合理設(shè)計(jì)。

本發(fā)明不局限于前述的實(shí)施例。事實(shí)上，還可以有許多利用本發(fā)明技術(shù)特征的不同類(lèi)型設(shè)計(jì)的變化實(shí)施形式。例如，在前述實(shí)施案例中，于柵極與漏極之間和源極與柵極之間還可設(shè)置氧化鋁介質(zhì)層等。

需要說(shuō)明的是，在本文中，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

應(yīng)當(dāng)理解，以上所述僅是本發(fā)明的具體實(shí)施方式，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。