本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜、薄膜晶體管及制作方法。

背景技術(shù)：

多晶硅(poly-silicon)因具有優(yōu)于非晶硅的電氣特性，以及低于單晶硅的成本考慮的優(yōu)勢(shì)，而于近幾年在薄膜晶體管制造上，尤其是在薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)顯示器的應(yīng)用上廣受重視。

目前在多晶硅薄膜的制作上，最為普遍使用的是準(zhǔn)分子激光回火(Excimer Laser Anneal，ELA)技術(shù)，但此方法存在制備設(shè)備昂貴，形成的多晶硅膜層均一性差，制作過程復(fù)雜等缺點(diǎn)。金屬誘導(dǎo)非晶硅晶化(Metal Induced Crystallization，MIC)技術(shù)可在低溫工藝制備出高性能的多晶硅薄膜，與其它低溫多晶硅技術(shù)相比有明顯的優(yōu)勢(shì)。

現(xiàn)有MIC技術(shù)在將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜時(shí)，通常是在非晶硅薄膜上依次沉積金屬隔離層和金屬層，以使金屬層的金屬原子可以通過金屬隔離層擴(kuò)散到非晶硅薄膜，含有金屬原子的非晶硅薄膜在退火工藝過程中進(jìn)而可以轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч璞∧?。但上述該現(xiàn)有MIC技術(shù)在將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜時(shí)，通常需單獨(dú)制作金屬隔離層，而且，在將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜后，還需去除金屬隔離層和金屬層，致使現(xiàn)有MIC技術(shù)由非晶硅薄膜制作成多晶硅薄膜的成本較高，工藝較為復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜、薄膜晶體管及制作方法，在通過金屬誘導(dǎo)非晶硅晶化方法將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換為多晶硅薄膜時(shí)，可以避免需單獨(dú)制作金屬隔離層，同時(shí)，也可以避免金屬隔離層和金屬層的去除工藝，降低將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換為多晶硅薄膜的制作成本，簡(jiǎn)化工藝制作。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成金屬層；

在所述金屬層上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成非晶硅膜層；

通過金屬原子對(duì)所述非晶硅膜層的催化作用，將所述非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，其中，所述金屬原子為所述金屬層擴(kuò)散的、并與所述非晶硅膜層接觸的金屬原子。

優(yōu)選的，在所述緩沖層上形成非晶硅膜層之前，所述制作方法還包括：采用第一退火工藝，在所述緩沖層上形成金屬擴(kuò)散層，其中，所述金屬擴(kuò)散層由所述金屬層的金屬原子擴(kuò)散到所述緩沖層的上方形成；

所述通過金屬原子對(duì)所述非晶硅膜層的催化作用，將所述非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，具體包括：采用第二退火工藝，使所述非晶硅膜層通過所述金屬擴(kuò)散層的催化作用轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層。

優(yōu)選的，在所述金屬擴(kuò)散層上形成非晶硅膜層，具體包括：

在金屬擴(kuò)散層上形成非晶硅薄膜；

采用干法刻蝕，使所述非晶硅薄膜形成圖案化的非晶硅膜層，并同時(shí)去所述除緩沖層上第一區(qū)域以外其它區(qū)域的金屬擴(kuò)散層，其中，所述第一區(qū)域在所述襯底基板上的垂直投影與所述非晶硅膜層的圖案在所述襯底基板上的垂直投影重疊。

優(yōu)選的，所述在襯底基板上形成金屬層，具體包括：

在襯底基板上形成圖案化的金屬層，其中，所述金屬層的圖案在所述襯底基板上的垂直投影與所述非晶硅膜層的圖案在所述襯底基板上的垂直投影重疊。

優(yōu)選的，所述通過金屬原子對(duì)所述非晶硅膜層的催化作用，將所述非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，具體包括：

采用第三退火工藝，使所述金屬擴(kuò)散層的金屬原子擴(kuò)散到所述非晶硅膜層，并同時(shí)使所述非晶硅膜層通過所述金屬原子的催化作用轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層。

優(yōu)選的，將所述非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層之后，所述制作方法還包括，對(duì)所述多晶硅膜層的背向所述緩沖層一側(cè)的表面進(jìn)行處理，以去除所述多晶硅膜層的背向所述緩沖層一側(cè)的部分薄膜。

優(yōu)選的，在襯底基板上形成金屬層之前，所述制作方法還包括：

在所述襯底基板上形成阻擋層。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述的多晶硅薄膜的制作方法。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括：

設(shè)置在襯底基板上的金屬層；

設(shè)置在所述金屬層上的緩沖層；

設(shè)置在所述緩沖層上的多晶硅膜層，其中，所述多晶硅膜層由所述緩沖層上的非晶硅膜層通過金屬原子的催化作用轉(zhuǎn)化形成，所述金屬原子為所述金屬層擴(kuò)散的、并與所述非晶硅膜層接觸的金屬原子。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述多晶硅薄膜。

本申請(qǐng)實(shí)施例的有益效果如下：本申請(qǐng)?jiān)谝r底基板上形成金屬層，在金屬層上形成緩沖層，并在緩沖層上形成非晶硅膜層，金屬層中的金屬原子可以進(jìn)行擴(kuò)散，與非晶硅膜層進(jìn)行接觸，使非晶硅膜層在金屬的催化作用下可以轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，由于在將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換為多晶硅薄膜時(shí)，利用多晶硅薄膜在制作成薄膜晶體管所存在的緩沖層替代金屬隔離層，進(jìn)而可以不需要單獨(dú)制作金屬隔離層，而且，也可以省略金屬隔離層和金屬層的去除工藝，可以降低生產(chǎn)成本，簡(jiǎn)化工藝制作步驟。

附圖說明

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種制作薄膜晶體管的多晶硅薄膜的方法流程圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的設(shè)置在襯底基板上形成阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在阻擋上形成金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在非晶硅膜層上形成緩沖層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在緩沖層上形成金屬擴(kuò)散層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在金屬擴(kuò)散層上形成非晶硅薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的形成圖案化的非晶硅膜層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的去除多晶硅膜層的背向緩沖層一層的部分薄膜將非晶硅膜層轉(zhuǎn)換為多晶硅膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9本申請(qǐng)實(shí)施例提供的去除多晶硅膜層的背向緩沖層一層的部分薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種具體的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過程進(jìn)行詳細(xì)說明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

參見圖1，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜的制作方法，包括：

101，在襯底基板上形成金屬層。

在具體實(shí)施時(shí)，可以通過濺射方法在襯底基板上制備1nm～100nm的金屬層，優(yōu)選為50nm。具體金屬的材質(zhì)可以為金屬Ni、Au、Cu、Pd、Co、Ag中的任意一種。

本申請(qǐng)實(shí)施例中的襯底基板具體可以為玻璃基板，為了防止玻璃中的雜質(zhì)離子(例如玻璃中的堿金屬Na或K離子)進(jìn)入上方膜層，對(duì)上方的膜層造成影響，優(yōu)選的，在襯底基板上形成金屬層之前，所述制作方法還包括：在襯底基板上形成阻擋層。在具體實(shí)施時(shí)，可以通過等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)在襯底基板上制備10nm～100nm的阻擋層，該阻擋層可以為碳化硅化合物，例如，阻擋層具體可以為SiN。

102，在金屬層上形成緩沖層。

在具體實(shí)施時(shí)，可以通過等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)在金屬層上制備10nm～100nm的緩沖層，優(yōu)選為50nm。該緩沖層一般為薄膜晶體管中的緩沖層，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，該緩沖層不僅作為薄膜晶體管中常用的緩沖層，還用于控制金屬層中的金屬原子擴(kuò)散到上方的非晶硅膜層的金屬量的控制，即，在非晶硅膜層和金屬層之間設(shè)置的緩沖層，可以避免金屬層中的原子過多地?cái)U(kuò)散到非晶硅膜層中，進(jìn)而可以避免形成的薄膜晶體管由于含有較多的金屬原子而產(chǎn)生漏電流較大的問題。具體緩沖層的材質(zhì)可以為氧化硅的化合物，例如，具體可以為SiO。

103，在緩沖層上形成非晶硅膜層。

在具體實(shí)施時(shí)，可以通過等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)在緩沖層上沉積10nm～100nm的非晶硅膜層，優(yōu)選為50nm。應(yīng)該理解的是，該非晶硅膜層通常作為薄膜晶體管中的有源層。

104，通過金屬原子對(duì)非晶硅膜層的催化作用，將非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，其中，金屬原子為金屬層擴(kuò)散的、并與非晶硅膜層接觸的金屬原子。

本申請(qǐng)?jiān)谝r底基板上形成金屬層，在金屬層上形成緩沖層，并在緩沖層上形成非晶硅膜層，金屬層中的金屬原子可以進(jìn)行擴(kuò)散，與非晶硅膜層進(jìn)行接觸，使非晶硅膜層在金屬的催化作用下可以轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，由于在將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換為多晶硅薄膜時(shí)，利用多晶硅薄膜在制作成薄膜晶體管所存在的緩沖層替代金屬隔離層，進(jìn)而可以不需要單獨(dú)制作金屬隔離層，而且，也可以省略金屬隔離層和金屬層的去除工藝，可以降低生產(chǎn)成本，簡(jiǎn)化工藝制作步驟。

需要說明的是，在通過金屬誘導(dǎo)非晶硅晶化方法將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換為多晶硅薄膜時(shí)，金屬層一般作為催化劑，使非晶硅膜層在金屬原子的催化作用下轉(zhuǎn)換為多晶硅膜層，而由于在金屬層與非晶硅膜層之間還形成有緩沖層，為了能夠使金屬層的金屬原子對(duì)非晶硅膜層起到催化的作用，通過需要將金屬層進(jìn)行一定的加熱，使金屬層中的金屬原子能夠進(jìn)行擴(kuò)散，與非晶硅膜層接觸。在具體實(shí)施時(shí)，可以通過不同的工藝步驟，實(shí)現(xiàn)非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層。以下進(jìn)行具體舉例說明。

例如，為了能夠使金屬層的金屬原子充分?jǐn)U散到非晶硅膜層，形成結(jié)晶性能優(yōu)異的多晶硅薄膜，本申請(qǐng)實(shí)施例的制作方法，在緩沖層上形成非晶硅膜層之前，還包括：通過第一退火工藝，在緩沖層上形成金屬擴(kuò)散層，該金屬擴(kuò)散層由金屬層的金屬原子擴(kuò)散到緩沖層的上方形成。在緩沖層上形成金屬擴(kuò)散層之后，再在金屬擴(kuò)散層上形成非晶硅膜層，再通過第二退火工藝，使非晶硅膜層在金屬擴(kuò)散層的催化作用下轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層。具體的，第一退火工藝可以為以溫度為低于600℃，時(shí)長(zhǎng)為第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的退火過程，第二退火工藝可以為溫度為低于600℃，時(shí)長(zhǎng)為第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的退火過程。

又例如，本申請(qǐng)實(shí)施例中使非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層的過程中，還可以通過一步退火工藝實(shí)現(xiàn)，即，在金屬層上形成緩沖層后，直接在緩沖層上形成非晶硅膜層，可以通過一次較長(zhǎng)時(shí)間的退火過程，在使金屬層的金屬原子擴(kuò)散到非晶硅膜層的過程中，通過使非晶硅膜層在該金屬原子的催化作用下轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層。第三退火工藝可以為溫度為低于600℃，時(shí)長(zhǎng)為第三預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的退火過程。其中，第三預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)大于第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，同時(shí)也大于第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，即，相比第一退火工藝和第二工藝，第三退火工藝的時(shí)長(zhǎng)更長(zhǎng)。

在具體實(shí)施時(shí)，本申請(qǐng)實(shí)施例在制作多晶硅膜層時(shí)，可以直接將多晶硅膜層制作為圖案化的多晶硅膜層，即，直接使該多晶硅膜層具有有源層的圖案，例如，只在薄膜晶體管的溝道區(qū)形成多晶硅薄膜，對(duì)于通過兩次退火工藝將非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，若要形成圖案化的多晶硅膜層，可以在經(jīng)過第一退火工藝后，在緩沖層的上方形成非晶硅薄膜，采用干法刻蝕，使所述非晶硅薄膜形成圖案化的非晶硅膜層。優(yōu)選的，在形成圖案化的非晶硅膜層時(shí)，還可以選擇合適的過刻比，同時(shí)去除緩沖層上第一區(qū)域以外其它區(qū)域的金屬擴(kuò)散層，即，金屬層在擴(kuò)散到緩沖層的上方時(shí)，可能還擴(kuò)散到非溝道區(qū)，進(jìn)而在將多晶硅薄膜層圖案化時(shí)，同時(shí)去除金屬擴(kuò)散層第一區(qū)域以外的其它區(qū)域的薄膜，可以降低金屬層的金屬原子由于擴(kuò)散到非溝道區(qū)時(shí)對(duì)多晶硅薄膜形成的薄膜晶體管的影響，即，可以在不增加制作工藝步驟的情況下，降低金屬層的金屬原子由于擴(kuò)散到非溝道區(qū)時(shí)對(duì)多晶硅薄膜形成的薄膜晶體管的影響。具體的過刻比，可以理解為在能夠去除非溝道區(qū)的非晶硅膜層的情況下，進(jìn)一步向下刻蝕，去除非晶硅膜層下方的金屬擴(kuò)散層，例如，若去除去除非溝道區(qū)的非晶硅膜層的用時(shí)為30min,則，可以適當(dāng)延長(zhǎng)時(shí)間為40min，以刻蝕掉緩沖非溝道區(qū)的金屬擴(kuò)散層。當(dāng)然，上述只是以30min和40min進(jìn)行舉例說明，本申請(qǐng)并不以此為限。具體可以選用氟系氣體和氯系氣體的混合氣體進(jìn)行刻蝕。

在具體實(shí)施時(shí)，考慮到由金屬層擴(kuò)散出的金屬原子可能富集在多晶硅膜層的背向緩沖層一側(cè)的表面層,進(jìn)而,通過對(duì)多晶硅膜層的背向緩沖層一側(cè)的表面進(jìn)行處理，可以去除多晶硅膜層的背向所述緩沖層一側(cè)的部分薄膜,降低多晶硅薄膜形成的薄膜晶體管的漏電流較高的問題。優(yōu)選的，本申請(qǐng)實(shí)施例在將非晶硅膜層轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層后，制作方法還包括：對(duì)多晶硅膜層的背向緩沖層一側(cè)的表面進(jìn)行處理，以去除多晶硅膜層的背向緩沖層一側(cè)的部分薄膜。具體的，可以采用干刻工藝去除富集金屬催化劑的多晶硅的表面層，例如，利用ICP設(shè)備，在CF4+O2或Cl2+O2氛圍下，采用功率為第一預(yù)設(shè)功率的Source Power和功率為第二預(yù)設(shè)功率的Bias Power或無Bias Power對(duì)多晶硅膜層表面進(jìn)行處理。其中，優(yōu)選的，選取Bias Power為低功率或不設(shè)置Bias Power功率，可以避免對(duì)多晶硅膜層的溝道區(qū)截面產(chǎn)生損傷而影響形成的薄膜晶體管的特性。

為了更詳細(xì)的對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中的多晶硅薄膜的制備方法進(jìn)行說明，結(jié)合附圖2至附圖9舉例如下：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種具體的薄膜晶體管中的多晶硅薄膜的制備方法，包括：

步驟一，采用等離子體化學(xué)氣相沉積法，在襯底基板1上沉積50nm厚的SiN膜層作為阻擋層2。襯底基板1具體可以為玻璃基板，該無機(jī)SiN膜層可用來阻擋玻璃基板中的堿金屬離子，例如，Na或K。在襯底基板1上形成阻擋層2后的示意圖如圖2所示。

步驟二，通過濺射方法，并采用與后期形成的多晶硅膜層的圖案一致的掩模板，在阻擋層2上形成50nm厚圖案化的Ni金屬層3，即，為了降低金屬層擴(kuò)散的金屬原子擴(kuò)散到薄膜晶體管非溝道區(qū)的幾率，金屬層3的圖案在襯底基板上的垂直投影與多晶硅膜層的圖案在襯底基板上的垂直投影重疊。在阻擋層2上形成金屬層3后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示。

步驟三，采用等離子體化學(xué)氣相沉積法，在Ni金屬層3上沉積50nm厚的SiO薄膜作為緩沖層4，此SiO薄膜用于控制進(jìn)入多晶硅薄膜的金屬量。在金屬層上形成緩沖層4后的示意圖如圖4所示。

步驟四，以溫度為500℃，進(jìn)行退火，使金屬層3的金屬原子擴(kuò)散到SiO緩沖層4的上表面，形成由擴(kuò)散的金屬原子構(gòu)成的金屬擴(kuò)散層5。在緩沖層4上形成金屬擴(kuò)散層5后的示意圖如圖5所示。

步驟五，采用等離子體化學(xué)氣相沉積法，在金屬擴(kuò)散層5上沉積50nm厚的非晶硅薄膜60。在金屬擴(kuò)散層5上形成非晶硅薄膜60后的示意圖如圖6所示。

步驟六，在非晶硅薄膜60上形成圖案化的光刻膠層(圖中未示出)，并在圖案化的光刻膠層的遮擋下，在氟氣和氯氣的混合氣體氛圍下，對(duì)非晶硅薄膜60進(jìn)行干刻，形成圖案化的非晶硅膜層6，該圖案化的非晶硅膜層6在經(jīng)過處理后可作為薄膜晶體管溝道區(qū)的有源層，在該步驟中，可適當(dāng)增加過刻比，在形成圖案化的非晶硅膜層6時(shí)，同時(shí)去除非溝道區(qū)的金屬擴(kuò)散層5。形成圖案化的非晶硅膜層6后的示意圖如圖7所示。

步驟七，以溫度為500℃，進(jìn)行退火，使非晶硅膜層6在金屬的催化作用下轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層7，該多晶硅膜層7包括背向緩沖層4一側(cè)的含有較多金屬原子的第一膜層7a以及含有較小或不含金屬原子的其它膜層7b。在將非晶硅膜層6轉(zhuǎn)換為多晶硅薄膜7后的示意圖如圖8所示。

步驟八，通過ICP設(shè)備，以CF4和O2的混合氣體，以Source Power為第一預(yù)設(shè)功率，Bias Power為第二預(yù)設(shè)功率，對(duì)多晶硅膜層7的表面層進(jìn)行干刻處理，以去除多晶硅膜層7背向緩沖層一側(cè)的表面層的部分薄膜，即第一膜層7a。去除多晶硅膜層7背向緩沖層一側(cè)的表面層的部分薄膜后的示意圖如圖9所示。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中的多晶硅薄膜的制作方法。當(dāng)然，對(duì)于整體的薄膜晶體管，參見圖10，薄膜晶體管的制作方法，還包括形成其它膜層的制作步驟，例如，薄膜晶體管的制作步驟還包括：

在多晶硅膜層7上形成柵極絕緣層8，并在柵極絕緣層8上形成柵極9，其中，多晶硅膜層7在襯底基板1上的垂直投影覆蓋柵極9在襯底基板上的垂直投影，當(dāng)然，這里的多晶硅膜層7可指去除了背向緩沖層一側(cè)的表面層的部分薄膜的多晶硅膜層；

在柵極9上形成源漏極絕緣層10，并在柵極絕緣層8與源漏極絕緣層10形成與多晶硅膜層7接觸的第一過孔13和第二過孔14；

在源漏極絕緣層上形成源極11和漏極12，并通過第一過孔13使源極11與多晶硅膜層7接觸，通過第二過孔14使漏極12與多晶硅膜層7接觸。

參見圖9，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜，包括：

設(shè)置在襯底基板1上的金屬層3；

設(shè)置在金屬層3上的緩沖層4；

設(shè)置在緩沖層4上的多晶硅膜層7(該多晶硅膜層7可指去除了背向緩沖層一側(cè)的表面層的部分薄膜的其它膜層7b)，其中，多晶硅膜層7由緩沖層4上的非晶硅膜層通過金屬原子的催化作用轉(zhuǎn)化形成，金屬原子為金屬層3擴(kuò)散的、并與非晶硅膜層接觸的金屬原子。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的多晶硅薄膜。

參見圖10，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種具體的薄膜晶體管，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的多晶硅薄膜，包括：

設(shè)置在多晶硅膜層7上的柵極絕緣層8，設(shè)置在柵極絕緣層8上的柵極9，其中，多晶硅膜層7在襯底基板1上的垂直投影覆蓋柵極9在襯底基板1上的垂直投影，該多晶硅膜層7可指去除了背向緩沖層一側(cè)的表面層的部分薄膜后的多晶硅膜層；

設(shè)置在柵極9上的源漏極絕緣層10，以及設(shè)置在源漏極絕緣層10上的源極11和漏極12，其中，源極11通過第一過孔13與多晶硅膜層7接觸，漏極12通過第二過孔14與多晶硅膜層7接觸。

綜上所述，本申請(qǐng)?jiān)谝r底基板上形成金屬層，在金屬層上形成緩沖層，并在緩沖層上形成非晶硅膜層，金屬層中的金屬原子可以進(jìn)行擴(kuò)散，與非晶硅膜層進(jìn)行接觸，使非晶硅膜層在金屬的催化作用下可以轉(zhuǎn)化為多晶硅膜層，由于在將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換為多晶硅薄膜時(shí)，利用多晶硅薄膜在制作成薄膜晶體管所存在的緩沖層替代金屬隔離層，進(jìn)而可以不需要單獨(dú)制作金屬隔離層，而且，也可以省略金屬隔離層和金屬層的去除工藝，可以降低生產(chǎn)成本，簡(jiǎn)化工藝制作步驟。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。