技術(shù)編號：12725382
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜、薄膜晶體管及制作方法。背景技術(shù)多晶硅(poly-silicon)因具有優(yōu)于非晶硅的電氣特性，以及低于單晶硅的成本考慮的優(yōu)勢，而于近幾年在薄膜晶體管制造上，尤其是在薄膜晶體管驅(qū)動顯示器的應(yīng)用上廣受重視。目前在多晶硅薄膜的制作上，最為普遍使用的是準(zhǔn)分子激光回火(ExcimerLaserAnneal，ELA)技術(shù)，但此方法存在制備設(shè)備昂貴，形成的多晶硅膜層均一性差，制作過程復(fù)雜等缺點(diǎn)。金屬誘導(dǎo)非晶硅晶化(MetalInducedCrystall...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。