相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年1月11日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請no.10-2016-0003326的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

本公開一般涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法，并且更具體地說，涉及制造包括線形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)：

由于半導(dǎo)體裝置的小尺寸、執(zhí)行多功能的能力和/或低制造成本，半導(dǎo)體裝置被廣泛用作電子工業(yè)中的重要元件。然而，隨著電子工業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體裝置變得越來越高度集成，并且會出現(xiàn)許多技術(shù)問題。例如，隨著半導(dǎo)體裝置的集成密度增大，在半導(dǎo)體裝置中形成細(xì)微元件會變得困難。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例提供了一種制造高度可靠并高度集成的半導(dǎo)體裝置的方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可包括：在包括單元區(qū)和外圍區(qū)的襯底上形成蝕刻目標(biāo)層并且在蝕刻目標(biāo)層上形成第一圖案和本體圖案。第一圖案可形成在單元區(qū)上，并且可具有第一寬度，并且本體圖案可形成在外圍區(qū)上。所述方法還可包括：在所述第一圖案和所述本體圖案上共形地形成間隔件層并且形成第一掩模圖案以覆蓋單元區(qū)上的間隔件層并暴露出外圍區(qū)上的間隔件層；利用第一掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻外圍區(qū)上的間隔件層和本體圖案，以在外圍區(qū)上形成第二圖案；在所述第一圖案和所述第二圖案上形成第一層；蝕刻第一層和間隔件層直至暴露出所述第一圖案和所述第二圖案的頂表面，以在單元區(qū)上形成多個第三圖案和間隔件；以及各向異性地蝕刻所述間隔件，以形成暴露出所述第一圖案和所述第三圖案的側(cè)表面的開口。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可包括：在包括單元區(qū)和外圍區(qū)的襯底上形成蝕刻目標(biāo)層并且在單元區(qū)上形成第一圖案。所述第一圖案中的每一個可具有第一寬度并且可包括延伸至外圍區(qū)的至少一部分上的一部分。所述方法還可包括：在所述第一圖案上共形地形成具有第一厚度的間隔件層；形成第一掩模圖案以覆蓋單元區(qū)并暴露出外圍區(qū)；利用第一掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻外圍區(qū)上的間隔件層，以形成具有小于第一厚度的第二厚度的外圍間隔件層；在位于單元區(qū)上的間隔件層和外圍間隔件層上形成第一層；拋光第一層、單元區(qū)上的間隔件層和外圍間隔件層，以暴露出所述第一圖案，以形成單元間隔件、外圍間隔件和第二圖案；以及各向異性地蝕刻單元間隔件和外圍間隔件。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，一種形成半導(dǎo)體裝置的方法可包括：在襯底上形成底層；在底層上形成多個第一掩模和多個第二掩模；以及沿著所述多個第一掩模的表面形成間隔件層。所述間隔件層可在所述多個第一掩模中的各個第一掩模之間限定多個凹槽。所述方法還可包括：在所述多個第一掩模和所述多個第二掩模上形成第一掩模層。第一掩模層可形成在所述多個凹槽中，并且可形成在所述多個第二掩模中的各個第二掩模之間的空間中，并且第一掩模層可接觸所述多個第二掩模的側(cè)部。所述方法還可包括：通過蝕刻第一掩模層和間隔件層直至暴露出所述多個第一掩模的上表面和所述多個第二掩模的上表面，在所述多個凹槽中的各個凹槽中形成多個第三掩模，在所述空間中的各個空間中形成多個第四掩模，并且形成多個間隔件；蝕刻所述多個間隔件直至暴露出底層；以及在蝕刻所述多個間隔件之后，利用所述多個第一掩模、所述多個第二掩模、所述多個第三掩模和所述多個第四掩模作為蝕刻掩模來蝕刻底層。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖的描述，將更加清楚地理解示例實施例。附圖表示非限制性示例實施例。

圖1至圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖10是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖11至圖16是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

應(yīng)該注意，這些附圖旨在示出在示例實施例中利用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特征并對下面提供的書面說明進(jìn)行補充。然而，這些附圖不一定按照比例，并且可不準(zhǔn)確反映任何給出的實施例的準(zhǔn)確結(jié)構(gòu)或性能特征，并且不應(yīng)解釋為限定或限制通過示例實施例涵蓋的值的范圍或特性。例如，為了清楚，可縮小或夸大層、區(qū)和/或結(jié)構(gòu)性元件的相對厚度和定位。在各個附圖中使用相似或相同的附圖標(biāo)記旨在指示存在相似或相同的元件或特征。

具體實施方式

圖1至圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

參照圖1，可在襯底100上形成蝕刻目標(biāo)層105。襯底100可包括其上設(shè)有存儲器單元的單元區(qū)cr和其上設(shè)有邏輯電路的外圍區(qū)pr。

可在蝕刻目標(biāo)層105上按次序形成第一層110、蝕刻停止層115、第二層120和拋光停止層125。第一層110和第二層120可由相同材料形成或包括相同材料。例如，第一層110和第二層120可包括旋涂硬掩模(soh)材料。蝕刻停止層115和拋光停止層125中的每一個可包括相對于第一層110和第二層120具有蝕刻選擇性的材料。蝕刻停止層115和拋光停止層125中的每一個可包括在工藝條件下蝕刻率與第一層110和第二層120的蝕刻率不同的材料。例如，蝕刻停止層115和拋光停止層125可由氮氧化硅形成或包括氮氧化硅。在一些實施例中，可省略形成第一層110。應(yīng)該理解，可將蝕刻目標(biāo)層105、第一層110和蝕刻停止層115稱作底層。

參照圖2，可在拋光停止層125上形成第一掩模圖案127，并且可利用第一掩模圖案127作為蝕刻掩模按次序蝕刻拋光停止層125和第二層120。各個第一掩模圖案127中的一些可形成在單元區(qū)cr上，并且形成在單元區(qū)cr上的第一掩模圖案127中的每一個可具有線形結(jié)構(gòu)并且可在特定方向上延伸，所述線形結(jié)構(gòu)具有第一寬度wt1。第一掩模圖案127中的相鄰的兩個可彼此間隔開第一距離dt1，這里，第一距離dt1可為第一寬度wt1的約三倍。各個第一掩模圖案127之一可形成在外圍區(qū)pr上，以覆蓋拋光停止層125。

作為蝕刻處理的結(jié)果，可在單元區(qū)cr上形成第一圖案130。第一圖案130中的每一個可具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中按次序堆疊有第二層120的一部分和拋光停止層125的一部分。第一圖案130中的每一個可具有第一寬度wt1，并且第一圖案130中的相鄰的兩個可彼此間隔開第一距離dt1。在外圍區(qū)pr上，第二層120和拋光停止層125可構(gòu)成本體圖案133，當(dāng)執(zhí)行蝕刻處理以形成第一圖案130時未對本體圖案133進(jìn)行蝕刻。應(yīng)該理解，由于通過后續(xù)處理對本體圖案133進(jìn)行蝕刻，因此本體圖案133可稱作初級圖案。

在蝕刻處理之后，可去除第一掩模圖案127。

參照圖3，可在襯底100的單元區(qū)cr和外圍區(qū)pr上共形地形成間隔件層135。間隔件層135可很薄以致無法完全填充單元區(qū)cr上的各第一圖案130之間的間隙區(qū)。在一些實施例中，間隔件層135可沿著第一圖案130的表面形成，并且可具有基本均勻的厚度，如圖3所示。

間隔件層135可與第一圖案130一起用于通過雙圖案化技術(shù)(dpt)形成精細(xì)的線-間隔結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，間隔件層135可形成為具有基本上等于第一寬度wt1的寬度th，如圖3所示。

間隔件層135可包括相對于第一圖案130和蝕刻停止層115具有蝕刻選擇性的材料。間隔件層135可包括在工藝條件下蝕刻率與第一圖案130和蝕刻停止層115的蝕刻率不同的材料。例如，間隔件層135可由二氧化硅形成或包括二氧化硅。

參照圖4，第二掩模圖案140可形成為完全覆蓋單元區(qū)cr并且部分暴露出外圍區(qū)pr上的間隔件層135。在一些實施例中，第二掩模圖案140可包括在工藝條件下可與第二層120按照基本相同的蝕刻率蝕刻的材料。例如，第二掩模圖案140可包括與第二層120基本相同的材料。例如，第二掩模圖案140可由soh或光致抗蝕劑材料形成或者包括soh或光致抗蝕劑材料。

參照圖5，可利用第二掩模圖案140作為蝕刻掩模對通過外圍區(qū)pr上的第二掩模圖案140暴露的間隔件層135和本體圖案133進(jìn)行蝕刻，以形成第二圖案145。第二圖案145中的每一個可具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中按次序堆疊有第二層120的一部分、拋光停止層125的一部分和間隔件層135的一部分。第二圖案145中的每一個可具有大于第一寬度wt1的第二寬度wt2。各第二圖案145之間的距離可大于第一寬度wt1。間隔件層135可在第一圖案130中的相鄰的兩個之間限定凹槽，如圖5所示。

在一些實施例中，就材料或蝕刻率而言，第二掩模圖案140可與本體圖案133的第二層120基本相同。因此，在蝕刻本體圖案133的第二層120的過程中可去除第二掩模圖案140。因此，可不必執(zhí)行去除第二掩模圖案140的額外處理。在一些實施例中，第二掩模圖案140可在蝕刻本體圖案133的第二層120之后保留下來，并且可執(zhí)行去除第二掩模圖案140的處理。

參照圖6，第三層150可形成為覆蓋單元區(qū)cr上的第一圖案130和間隔件層135和外圍區(qū)pr上的第二圖案145。在一些實施例中，第三層150可形成為完全覆蓋單元區(qū)cr和外圍區(qū)pr。在一些實施例中，第三層150可形成在由間隔件層135限定的凹槽和第二圖案145中的相鄰的兩個之間的空間中，如圖6所示。第三層150可接觸第二圖案145的側(cè)部。

在一些實施例中，第三層150可由與第一圖案130和第二圖案145的第二層120基本相同的材料形成或包括基本相同的材料。例如，第三層150可由soh材料形成或包括soh材料。

參照圖7，可去除第三層150和間隔件層135以暴露出第一圖案130和第二圖案145的頂表面。在一些實施例中，可通過拋光第三層150和間隔件層135來去除第三層150和間隔件層135?？衫没匚g處理執(zhí)行第三層150和間隔件層135的拋光。這里，第一圖案130和第二圖案145中的每一個的拋光停止層125可防止過度地執(zhí)行拋光處理。

作為拋光處理的結(jié)果，可在單元區(qū)cr上形成單元間隔件135c和第三圖案155，并且可在外圍區(qū)pr上形成第四圖案160。分別地，單元間隔件135c可在各個第一圖案130之間形成為具有“u”形截面，第三圖案155可形成為填充單元間隔件135c的內(nèi)部空間，并且第四圖案160可形成為填充第二圖案145之間的間隙區(qū)。第二圖案145和第四圖案160可由基本相同的材料形成或包括基本相同的材料。

如發(fā)明人所認(rèn)識到的那樣，如果省略如圖4和圖5所示的蝕刻外圍區(qū)pr上的本體圖案133以形成第二圖案145的步驟，則分別形成在單元區(qū)cr和外圍區(qū)pr上的第三層150的那些部分之間的厚度會存在差異，或者分別形成在單元區(qū)cr和外圍區(qū)pr上的第三層150的那些部分的最上面的表面會處于不同水平。例如，單元區(qū)cr上的第三層150的厚度會小于外圍區(qū)pr上的第三層150的厚度，這是因為在外圍區(qū)pr中，第三層150形成為僅覆蓋本體圖案133，而在包括第一圖案130的單元區(qū)cr中，第三層150形成為不僅填充第一圖案130之間的間隙區(qū)，而且還覆蓋第一圖案130。如果在該結(jié)構(gòu)上執(zhí)行拋光處理，則單元區(qū)cr與外圍區(qū)pr之間的第三層150的最上面的表面的厚度或水平的差異會導(dǎo)致在拋光處理中出現(xiàn)困難。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，由于蝕刻本體圖案133以形成第二圖案145，因此在單元區(qū)cr和外圍區(qū)pr上第三層150可具有相同厚度，因此可容易地執(zhí)行拋光處理。

然后，可去除拋光停止層125。因此，可形成第一圖案130和第二圖案145中的每一個。

參照圖8，可去除(例如，各向異性地蝕刻)單元間隔件135c以形成暴露出第一圖案130和第三圖案155的側(cè)表面并且部分地暴露出蝕刻停止層115的頂表面的開口op。蝕刻停止層115可防止單元對間隔件135c的各向異性蝕刻處理進(jìn)一步進(jìn)行。

作為蝕刻處理的結(jié)果，可在第三圖案155下方分別保留單元間隔件135c的一些部分。第三圖案155中的每一個可具有第三寬度wt3，其可與第一寬度wt1基本相同。另外，開口op中的每一個的寬度可與第一寬度wt1基本相同。在一些實施例中，蝕刻停止層115的形成在外圍區(qū)pr上的一部分可被第二圖案145和第四圖案160完全覆蓋，如圖8所示。

參照圖9，可利用第一圖案130和第三圖案155作為蝕刻掩模來對蝕刻停止層115、第一層110和蝕刻目標(biāo)層105進(jìn)行蝕刻，以形成具有第一寬度wt1的目標(biāo)圖案165。目標(biāo)圖案165可形成在單元區(qū)cr上，以具有線-間隔結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，目標(biāo)圖案165中的相鄰的兩個可形成為彼此間隔開基本上等于第一寬度wt1的距離。

下文中，將參照圖10至圖16描述制造半導(dǎo)體裝置的方法。

圖11至圖16是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。圖10是將通過圖11至圖16所示的方法制造的半導(dǎo)體裝置的平面圖。這里，圖11至圖16中的剖視圖中的每一個示出了沿著圖10的線i-i'和線ii-ii'截取的截面。

參照圖10和圖11，可在襯底200上形成蝕刻目標(biāo)層205。襯底200可包括其上設(shè)有存儲器單元的單元區(qū)cr和其上設(shè)有邏輯電路的外圍區(qū)pr。

可在蝕刻目標(biāo)層205上按次序形成第一層210、蝕刻停止層215、第二層220和拋光停止層225。第一層210和第二層220可由相同材料形成或包括相同材料。例如，第一層210和第二層220可由soh材料形成或包括soh材料。蝕刻停止層215和拋光停止層225中的每一個可包括相對于第一層210和第二層220具有蝕刻選擇性的材料。蝕刻停止層215和拋光停止層225中的每一個可包括在工藝條件下蝕刻率與第一層210和第二層220的蝕刻率不同的材料。例如，蝕刻停止層215和拋光停止層225可包括氮氧化硅。在一些實施例中，可省略形成第一層210。

可在拋光停止層225上形成第一掩模圖案(未示出)，并且可利用第一掩模圖案作為蝕刻掩模按次序蝕刻拋光停止層225和第二層220。第一掩模圖案中的每一個可形成為具有與單元區(qū)cr交叉并且從單元區(qū)cr延伸至外圍區(qū)pr的線形結(jié)構(gòu)。第一掩模圖案可彼此間隔開約為第一寬度wt1的三倍的距離，并且第一掩模圖案中的每一個可具有第一寬度wt1。第一掩模圖案可形成為覆蓋形成在外圍區(qū)pr上的拋光停止層225的一部分。外圍區(qū)pr的一部分可被第一掩模圖案覆蓋，并且外圍區(qū)pr靠近單元區(qū)cr的一部分可通過第一掩模圖案暴露出來。

作為蝕刻處理的結(jié)果，第一圖案230可形成在單元區(qū)cr上。第一圖案230中的每一個可從單元區(qū)cr延伸至外圍區(qū)pr的至少一部分上。第一圖案230中的每一個可具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中按次序堆疊有第二層220的一部分和拋光停止層225的一部分。第一圖案230中的每一個可具有第一寬度wt1，并且第一圖案230中的相鄰的兩個可彼此間隔開可約為第一寬度wt1的三倍的距離dt，如圖11所示。在外圍區(qū)pr的除靠近第一圖案230的暴露的區(qū)以外上，第二層220和拋光停止層225可構(gòu)成本體圖案235，通過蝕刻處理不對本體圖案235進(jìn)行蝕刻。

間隔件層240可形成為共形地覆蓋襯底200的單元區(qū)cr和外圍區(qū)pr。間隔件層240可很薄以致無法完全填充單元區(qū)cr的各第一圖案230之間的間隙區(qū)。例如，間隔件層240可形成為具有與第一寬度wt1基本相同的第一厚度th1。間隔件層240可包括相對于第一圖案230和蝕刻停止層215具有蝕刻選擇性的材料。間隔件層240可包括在工藝條件下蝕刻率與第一圖案230和蝕刻停止層215的蝕刻率不同的材料。間隔件層240可由例如二氧化硅形成或包括例如二氧化硅。

參照圖12，第二掩模圖案245可形成為覆蓋單元區(qū)cr并且暴露外圍區(qū)pr。第二掩模圖案245可包括相對于間隔件層240具有蝕刻選擇性的材料。第二掩模圖案245可包括在工藝條件下蝕刻率與間隔件層240的蝕刻率不同的材料。第二掩模圖案245可由光致抗蝕劑或soh材料形成或者包括光致抗蝕劑或soh材料。

在一些實施例中，第二掩模圖案245可形成為暴露出第一圖案230的在外圍區(qū)pr上延伸的一些部分并且暴露出外圍區(qū)pr上的本體圖案235?？衫玫诙谀D案245作為蝕刻掩模部分地蝕刻外圍區(qū)pr上的間隔件層240?？砂凑諠穹ㄎg刻方式執(zhí)行所述蝕刻處理。作為蝕刻處理的結(jié)果，單元區(qū)cr上的間隔件層240可具有第一厚度th1，外圍區(qū)pr上的間隔件層240可具有小于第一厚度th1的第二厚度th2。為了清楚起見，形成在單元區(qū)cr上的間隔件層240將稱作“單元間隔件層240c”，形成在外圍區(qū)pr上的間隔件層240將稱作“外圍間隔件層240p”。單元間隔件層240c可具有第一厚度th1，外圍間隔件層240p可具有第二厚度th2。

在蝕刻處理之后，可去除第二掩模圖案245。在一些實施例中，可通過灰化處理和/或剝除處理去除第二掩模圖案245。

參照圖13，可在單元間隔件層240c和外圍間隔件層240p上形成第三層250。第三層250可由與第二層220基本相同的材料形成或包括基本相同的材料。例如，第三層250可由soh材料形成或包括soh材料。

在單元區(qū)cr上，第三層250可形成為不僅填充第一圖案230之間的間隙區(qū)而且還覆蓋第一圖案230，因此，單元區(qū)cr上的第三層250可具有位于第一水平lv1的頂表面。相似地，在外圍區(qū)pr的包括第一圖案230的一部分上或附近，第三層250可形成為具有位于第一水平lv1的頂表面。然而，在外圍區(qū)pr的其余區(qū)上，因為第三層250形成在本體圖案235上，所以第三層250的頂表面可位于高于第一水平lv1的第二水平lv2。

參照圖14，可對第三層250執(zhí)行蝕刻處理(例如，拋光處理)以暴露出第一圖案230的頂表面。在一些實施例中，可利用回蝕處理執(zhí)行拋光處理。這里，第一圖案230中的每一個的拋光停止層225可防止過度地執(zhí)行拋光處理。

作為拋光處理的結(jié)果，可在單元區(qū)cr上形成單元間隔件255c和第二圖案260。單元間隔件255c可形成在各第一圖案230之間，以具有“u”形截面，第二圖案260可形成為填充單元間隔件255的內(nèi)部空間，如圖14所示。第二圖案260中的每一個可具有第二寬度wt2'。在一些實施例中，第二寬度wt2'可與第一寬度wt1基本相同。

作為拋光處理的結(jié)果，在外圍區(qū)pr上，分別地，具有“u”形截面的外圍間隔件255p可形成在從單元區(qū)cr延伸的各第一圖案230之間，并且第三圖案265可形成為填充外圍間隔件255p的內(nèi)部空間。第三圖案265中的每一個可具有第三寬度wt3'。在一些實施例中，第三寬度wt3'可大于第一寬度wt1。由于如上所述外圍間隔件255p的厚度th2可小于單元間隔件255c的厚度，因此外圍間隔件255p中的每一個的內(nèi)部空間的寬度可大于單元間隔件255c中的每一個的內(nèi)部空間的寬度。因此，第三寬度wt3'和第一寬度wt1之間可存在差異。另外，本體圖案235可保留在外圍區(qū)pr上。

如上所述，第三層250可在單元區(qū)cr和外圍區(qū)pr中形成為具有位于不同水平的頂表面。在一些實施例中，第三層250的第一水平lv1可用作用于拋光處理的基準(zhǔn)水平。在這種情況下，第三層250可部分地保留在外圍區(qū)pr的其上未設(shè)置第一圖案230的一部分上，但是可從外圍區(qū)pr的鄰近于單元區(qū)cr的其它部分去除第三層250。因此，可在單元區(qū)cr上形成將在后續(xù)處理中使用的第二圖案260。

在拋光處理之后，可去除拋光停止層225。因此，第一圖案230中的每一個可由第二層形成。

參照圖15，可蝕刻單元間隔件255c和外圍間隔件255p。例如，可通過各向異性蝕刻處理來蝕刻單元間隔件255c和外圍間隔件255p。由于單元間隔件255c具有大于外圍間隔件255p的第二厚度th2的第一厚度th1，因此在通過蝕刻處理對第一圖案230之間的單元間隔件255c進(jìn)行蝕刻的同時，可不充分地對外圍間隔件255p進(jìn)行蝕刻，如圖15所示。因此，在單元區(qū)cr上可形成開口，以暴露出第一圖案230和第二圖案260的側(cè)表面和蝕刻停止層215的一些部分。然而，外圍區(qū)pr上的蝕刻停止層215會由于外圍間隔件255p的其余部分而不被暴露出來。

在一些實施例中，在蝕刻處理之后，可在第二圖案260下方分別保留單元區(qū)cr上的單元間隔件255c的一些部分，并且外圍區(qū)pr上的外圍間隔件255p可保留以分別覆蓋第三圖案265的底表面和側(cè)表面。如圖15所示，外圍間隔件255p的其余部分中的每一個可具有“u”形結(jié)構(gòu)。

參照圖16，可利用第一圖案230和第二圖案260作為蝕刻掩模按次序?qū)ξg刻停止層215、第一層210和蝕刻目標(biāo)層205進(jìn)行蝕刻，以在襯底200上形成目標(biāo)圖案270。

在一些實施例中，第一圖案230和第二圖案260可由與第一層210基本相同的材料形成或包括基本相同的材料。因此，在對蝕刻停止層215進(jìn)行蝕刻之后，例如，可通過蝕刻第一層210的處理蝕刻第一圖案230和第二圖案260。因此，可省略去除第一圖案230和第二圖案260的額外處理。在一些實施例中，在形成目標(biāo)圖案270之后可保留第一圖案230和第二圖案260，并且還可執(zhí)行去除第一圖案230和第二圖案260的處理。

如果第一層210的蝕刻完成，則可暴露出單元區(qū)cr上的蝕刻目標(biāo)層205。在這種情況下，可利用第一層210作為蝕刻掩模來對蝕刻目標(biāo)層205進(jìn)行蝕刻，結(jié)果，可在單元區(qū)cr上形成目標(biāo)圖案270。

目標(biāo)圖案270中的每一個可具有第一寬度wt1，并且目標(biāo)圖案270中的相鄰的兩個可彼此間隔開第一寬度wt1。在一些實施例中，目標(biāo)圖案270可形成為具有線-間隔結(jié)構(gòu)。

通過根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的方法形成的線-間隔圖案可用于實現(xiàn)半導(dǎo)體裝置中的各種元件。例如，所述方法可用于形成有源圖案、器件隔離圖案、字線、位線、互連線和/或接觸插塞。但是本發(fā)明構(gòu)思可不限于此。例如，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的方法可用于實現(xiàn)針對任何半導(dǎo)體裝置的線-間隔結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，可蝕刻外圍區(qū)上的本體圖案以允許形成在本體圖案上的層在單元區(qū)和外圍區(qū)上具有相同頂部水平。這樣，可有效地和容易地執(zhí)行后續(xù)拋光處理。

在一些實施例中，單元區(qū)上的線圖案可從單元區(qū)延伸至外圍區(qū)的一部分上。因此，當(dāng)一層形成為覆蓋單元區(qū)和外圍區(qū)時，形成在外圍區(qū)的該部分上的層可形成為與形成在單元區(qū)上的層具有相同頂部水平。這樣，尤其是在單元區(qū)上，可有效地和容易地執(zhí)行后續(xù)拋光處理。

雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員之一應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可在其中做出改變。以上公開的主題內(nèi)容應(yīng)該理解為是示出性而非限制性的，并且權(quán)利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明構(gòu)思的真實精神和范圍內(nèi)的所有這種修改、改進(jìn)和其它實施例。因此，在法律的最大允許情況下，所述范圍由權(quán)利要求及其等同物的最寬允許解釋來確定，而非由以上具體實施方式局限或限制。