1.一種量子點白光LED器件，其特征在于：
包括有倒裝芯片、量子點層、透明封裝層、反射層和電極層；
所述倒裝芯片的上表面設有凹槽，所述凹槽的內表面設有第一紋路，所述量子點層設于所述凹槽內；
所述電極層設于所述倒裝芯片的底部；
所述反射層包覆所述倒裝芯片的側壁、所述倒裝芯片的上表面的非凹槽區(qū)、以及所述電極層的側壁，所述反射層還填充于所述電極層的電極之間；所述反射層的上表面和內壁設有第二紋路；
所述透明封裝層包覆所述量子點層的裸露區(qū)域、以及所述反射層的上表面。
2.根據權利要求1所述的一種量子點白光LED器件，其特征在于：所述凹槽的側壁為階梯狀；所述量子點層設于處在最中心的所述凹槽內，所述透明封裝層包覆所述量子點層的裸露區(qū)域、所述倒裝芯片的上表面、以及所述反射層的上表面。
3.根據權利要求1或2所述的一種量子點白光LED器件，其特征在于：所述凹槽的最底部設有硅膠層，所述量子點層通過所述硅膠層粘附于所述凹槽內。
4.根據權利要求1或2所述的一種量子點白光LED器件，其特征在于：所述透明封裝層的材質為硅膠。
5.根據權利要求1或2所述的一種量子點白光LED器件，其特征在于：所述反射層的材質為兼具高導熱率和高反射率的材料。
6.根據權利要求1或2所述的一種量子點白光LED器件，其特征在于：所述倒裝芯片包括有外延襯底、N型外延層、發(fā)光層以及P型外延層；所述外延襯底、所述N型外延層、所述發(fā)光層和所述P型外延層從上外下依次層疊設置，所述凹槽設于所述外延襯底的上表面。
7.根據權利要求6所述的一種量子點白光LED器件，其特征在于：所述外延襯底為藍寶石片。