一種led封裝器件及照明裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，具體為一種LED封裝體及照明裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)白光LED器件的封裝方式一般將LED芯片通過固晶膠粘接或共晶焊接的方式固定在支架上的碗杯中，采用金線將晶片的正、負(fù)極連接于支架的正、負(fù)極，再向碗杯中填充符合目標(biāo)色區(qū)的熒光膠。由于支架、熒光膠、用于粘接晶片的膠體的熱膨脹系數(shù)不同，LED封裝器件容易在支架、熒光膠、金線、膠體等方面出現(xiàn)可靠性問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型提供了一種LED封裝器件，其無支架結(jié)構(gòu)，只有頂部一個發(fā)光面，光的一致性和指向性良好且出光效率高。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種LED封裝器件，包括LED芯片、光轉(zhuǎn)換層和保護(hù)層，所述LED芯片具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，所述光轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述LED芯片的上表面之上，所述保護(hù)層設(shè)置于所述LED芯片的側(cè)壁之上，所述LED芯片僅有上表面出光，其上、下表面之間的厚度h為0.25mm以下。
[0005]優(yōu)選地，所述LED芯片上、下表面之間的厚度h為150?250μπι。
[0006]優(yōu)選地，所述LED芯片具有透明襯底，其厚度為ΙΟΟμπι以下。
[0007]優(yōu)選地，所述光轉(zhuǎn)換層的厚度為40?150μπι。
[0008]優(yōu)選地，所述光轉(zhuǎn)換層向下延伸，覆蓋所述LED芯片的側(cè)壁，所述保護(hù)層覆蓋在所述光轉(zhuǎn)換層的側(cè)壁上。
[0009]優(yōu)選地，所述保護(hù)層為白漆或DRB結(jié)構(gòu)。
[0010]優(yōu)選地，所述透明硅膠層的頂部與底部之間的高度差d為所述芯片的厚度h的0.5?100 倍。
[0011]優(yōu)選地，所述透明硅膠的厚度為25?2500μπι。
[0012]本實(shí)用新型還提供了一種照明裝置，包括所述的LED封裝器件。
[0013]本實(shí)用新型至少具有以下有益效果:I)所述LED封裝器件因無支架結(jié)構(gòu)，故體積小，靈活度高，應(yīng)用范圍廣泛;2)所述LED封裝器件的側(cè)壁由保護(hù)層覆蓋，只有頂部出光，光的一致性和指向性良好;3)通過減薄所述LED芯片的厚度，從而減少所述LED芯片發(fā)出的光受到所述保護(hù)層的遮擋，提升了單面出光LED封裝器件的出光效率。
[0014]本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。
【附圖說明】
[0015]附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。
[0016]圖1為一種無支架的LED封裝器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2?5為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施的四種LED封裝器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合示意圖對本實(shí)用新型的LED器件進(jìn)行詳細(xì)的描述，借此對本實(shí)用新型如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。
[0019]圖1顯示了一種無基板的LED封裝器件，包括LED芯片、光轉(zhuǎn)換層130和保護(hù)層120。該LED芯片具有相對的上表面和下表面及連接上、下表面的側(cè)壁，光轉(zhuǎn)換層130設(shè)置于LED芯片的上表面上，保護(hù)層120設(shè)置于LED芯片的側(cè)壁上。具體的，該LED芯片為倒裝芯片，具有透明襯底111、發(fā)光外延薄膜112、第一電極113a和第二電極113b。
[0020]在該LED封裝器件中由于無支架結(jié)構(gòu)，其體積可以做到很小，接近芯片的尺寸或與芯片的尺寸一致，因此業(yè)界稱之為芯片級封裝器件(Chip Scale Package，簡稱CSP)。
[0021]該LED封裝器件只有頂部一個出光面，其發(fā)光角度約120°，便以進(jìn)行二次透鏡設(shè)計，因此光的一致性和指向性均很好。但是一般LED芯片的厚度一般為0.35mm以上，該芯片周邊由保護(hù)層覆蓋造成了亮度衰減，與正常五面發(fā)光的LED封裝器件相比，亮度差異約15?20%。
[0022]下面各實(shí)施例解決了單面出光的封裝器件中亮度衰減的問題。
[0023]參看圖2，本實(shí)用新型的一種較佳的LED封裝器件，包括LED芯片、光轉(zhuǎn)換層130和保護(hù)層120。在本實(shí)施例中，減少LED芯片的厚度h，從而減少LED芯片側(cè)壁保護(hù)層120的阻擋。具體的，LED芯片的厚度h可為50?250μπι，光轉(zhuǎn)換層130的厚度b為40?150μπι，其中透明襯底111的厚度為10ym以下。光轉(zhuǎn)換層130可為熒光粉層，保護(hù)層120可采用白漆，如二氧化鈦等。為了進(jìn)一步提高出光效率，可將保護(hù)層120制作成DBR反射層結(jié)構(gòu)。
[0024]作為本實(shí)施例的一個變形，可增加第一、第二電極的厚度使其足夠支撐發(fā)光外延薄膜112，如此可完全去除透明襯底。
[0025]參看圖3，本實(shí)用新型之另一較佳的LED封裝器件。在該實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層130覆蓋LED芯片的上表面和側(cè)壁，保護(hù)層120覆蓋光轉(zhuǎn)換層130的側(cè)壁。
[0026]參看圖4，本實(shí)用新型之再一較佳的LED封裝器件。該LED封裝器件在圖2所示的結(jié)構(gòu)上增加透明硅膠層140。該透明硅膠層140完全覆蓋光轉(zhuǎn)換層130，并向下延伸，其底部與LED芯片的底部齊平。其中透明硅膠層140的頂部與底部之間的高度差d為LED芯片的厚度h的0.5?100倍。
[0027]參看圖5，本實(shí)用新型之再一較佳的LED封裝器件。該LED封裝器件在圖3所示的結(jié)構(gòu)上增加透明硅膠層140，用于進(jìn)一步提升亮度。該透明硅膠層140的厚度c為25?2500μπι。
[0028]前述各種LED封裝器件適用于各種照明裝置中，包括該LED封裝體的照明裝置也在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0029]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種LED封裝器件，包括LED芯片、光轉(zhuǎn)換層和保護(hù)層，所述LED芯片具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，所述光轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述LED芯片的上表面之上，所述保護(hù)層設(shè)置于所述LED芯片的側(cè)壁之上，其特征在于:所述LED芯片僅有上表面出光，其上、下表面之間的厚度h為0.25mm以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝器件，其特征在于:所述LED芯片上、下表面之間的厚度h 為 50-250μηι。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝器件，其特征在于:所述LED芯片具有透明襯底，其厚度為ΙΟΟμπι以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝器件，其特征在于:所述光轉(zhuǎn)換層的厚度為40?150μπι。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝器件，其特征在于:所述光轉(zhuǎn)換層向下延伸，覆蓋所述LED芯片的側(cè)壁，所述保護(hù)層覆蓋在所述光轉(zhuǎn)換層的側(cè)壁上。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝器件，其特征在于:所述保護(hù)層為白漆或DRB結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝器件，其特征在于:還包括一設(shè)置于所述光轉(zhuǎn)換層上的透明硅膠層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED封裝器件，其特征在于:所述透明硅膠層的頂部與底部之間的高度差d為所述芯片的厚度h的0.5?100倍。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED封裝器件，其特征在于:所述透明硅膠的厚度為25?2500μmD10.—種照明裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9任一項所述的LED封裝器件。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了<b>一種</b><b>LED</b><b>封裝器件及照明裝置，</b>LED封裝器件為無支架結(jié)構(gòu)，只有頂部一個發(fā)光面，光的一致性和指向性良好且出光效率高。該LED封裝器件包括LED芯片、光轉(zhuǎn)換層和保護(hù)層，所述LED芯片具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，所述光轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述LED芯片的上表面之上，所述保護(hù)層設(shè)置于所述LED芯片的側(cè)壁之上，所述LED芯片僅有上表面出光，其上、下表面之間的厚度h為0.25mm以下。該LED封裝器件適用于各種照明裝置中。
【IPC分類】H01L33/58, H01L33/48
【公開號】CN205248303
【申請?zhí)枴緾N201521100984
【發(fā)明人】黃苡叡, 詹佳達(dá), 黃昊, 趙志偉, 徐宸科
【申請人】廈門市三安光電科技有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年12月28日