1.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括：
在晶片的電極上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)，將所述晶片貼附在貼片膜上并將所述晶片切割為多個(gè)芯片，其中，所述電極位于所述晶片的正面，所述晶片的正面與所述貼片膜貼合；
拉伸所述貼片膜以使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間具有間隙；
在所述多個(gè)芯片的背離所述貼片膜的第一表面上形成第一絕緣層，以及去除所述貼片膜并在所述多個(gè)芯片的面向所述貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出所述導(dǎo)電凸點(diǎn)；
在所述多個(gè)芯片上布線且布線完成后切割以形成多個(gè)芯片產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，將晶片貼附在貼片膜上之前，還包括：
將所述貼片膜貼附在環(huán)形封裝模具上，其中，所述環(huán)形封裝模具的形狀為方環(huán)形或圓環(huán)形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，在晶片的電極上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)的具體執(zhí)行過程為：采用電鍍工藝、化學(xué)鍍工藝或引線鍵合工藝在所述晶片的電極上形成所述導(dǎo)電凸點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，拉伸所述貼片膜的具體執(zhí)行過程為：
采用張膜機(jī)拉伸所述貼片膜以使所述貼片膜撐開，使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間具有間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間的間隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，在所述多個(gè)芯片的面向所述貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出所述導(dǎo)電凸點(diǎn)包括：
在所述多個(gè)芯片的第二表面上形成第二絕緣層，對(duì)所述第二絕緣層進(jìn)行刻蝕處理并刻蝕至所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層均為感光樹脂材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，在所述多個(gè)芯片上布線包括：
在所述多個(gè)芯片的第二表面上形成第一保護(hù)層并在所述第一保護(hù)層中形成與所述導(dǎo)電凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第一過孔且所述第一過孔的底部延伸至所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的表面；
在所述第一保護(hù)層上形成導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案通過所述第一過孔與所述導(dǎo)電凸點(diǎn)電連接；
在所述導(dǎo)電圖案上形成第二保護(hù)層并在所述第二保護(hù)層中形成與所述導(dǎo)電凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第二過孔且所述第二過孔的底部延伸至所述導(dǎo)電圖案的表面，在垂直于所述芯片的方向上，所述第二過孔的投影與對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的投影交疊；
在所述第二過孔中形成焊球，所述焊球通過所述第二過孔與所述導(dǎo)電圖案電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層和所述第二保護(hù)層均為感光樹脂材料。
10.一種芯片，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的芯片封裝方法進(jìn)行封裝，該芯片包括：
位于晶片的電極上的導(dǎo)電凸點(diǎn)，所述晶片貼附在貼片膜上且所述晶片包括多個(gè)芯片，其中，所述電極位于所述晶片的正面，所述晶片的正面與所述貼片膜貼合；
貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間具有間隙；
位于所述多個(gè)芯片的背離所述貼片膜的第一表面上的第一絕緣層，以及去除所述貼片膜后位于所述多個(gè)芯片的面向所述貼片膜的第二表面上的第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層露出所述導(dǎo)電凸點(diǎn)；
位于所述多個(gè)芯片上的布線層。