本發(fā)明實(shí)施例涉及芯片封裝技術(shù)，尤其涉及一種芯片及其封裝方法。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品多功能化和小型化的快速發(fā)展，高密度微電子組裝技術(shù)逐漸成為電子產(chǎn)品的主要組裝技術(shù)。為了配合電子產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)、掌上電腦、超級(jí)本等產(chǎn)品的發(fā)展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向發(fā)展，因此芯片的封裝技術(shù)也越來(lái)越重要?，F(xiàn)有的芯片封裝技術(shù)主要是晶圓級(jí)封裝技術(shù)。

采用晶圓級(jí)封裝技術(shù)封裝芯片時(shí)，首先將裁切好的芯片通過(guò)膠膜貼到承載片上，然后通過(guò)塑封工藝進(jìn)行封裝并在塑封完成后去除承載片和膠膜使芯片正面漏出，最后進(jìn)行布線和電路布局后切割為單個(gè)芯片產(chǎn)品。

顯然，現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝技術(shù)在封裝芯片過(guò)程中存在以下不足：貼膠膜和貼芯片等工藝均需要專用的承載片和相關(guān)配套設(shè)備，增加了工藝成本；增加了臨時(shí)鍵合技術(shù)；貼芯片精度較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片及其封裝方法，以解決現(xiàn)有封裝技術(shù)的工藝流程多且成本高等問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片封裝方法，該芯片封裝方法包括：

在晶片的電極上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)，將所述晶片貼附在貼片膜上并將所述晶片切割為多個(gè)芯片，其中，所述電極位于所述晶片的正面，所述晶片的正面與所述貼片膜貼合；

拉伸所述貼片膜以使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間具有間隙；

在所述多個(gè)芯片的背離所述貼片膜的第一表面上形成第一絕緣層，以及去除所述貼片膜并在所述多個(gè)芯片的面向所述貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出所述導(dǎo)電凸點(diǎn)；

在所述多個(gè)芯片上布線且布線完成后切割以形成多個(gè)芯片產(chǎn)品。

進(jìn)一步地，將晶片貼附在貼片膜上之前，還包括：

將所述貼片膜貼附在環(huán)形封裝模具上，其中，所述環(huán)形封裝模具的形狀為方環(huán)形或圓環(huán)形。

進(jìn)一步地，在晶片的電極上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)的具體執(zhí)行過(guò)程為：采用電鍍工藝、化學(xué)鍍工藝或引線鍵合工藝在所述晶片的電極上形成所述導(dǎo)電凸點(diǎn)。

進(jìn)一步地，拉伸所述貼片膜的具體執(zhí)行過(guò)程為：

采用張膜機(jī)拉伸所述貼片膜以使所述貼片膜撐開(kāi)，使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間具有間隙。

進(jìn)一步地，任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間的間隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。

進(jìn)一步地，在所述多個(gè)芯片的面向所述貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出所述導(dǎo)電凸點(diǎn)包括：

在所述多個(gè)芯片的第二表面上形成第二絕緣層，對(duì)所述第二絕緣層進(jìn)行刻蝕處理并刻蝕至所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的表面。

進(jìn)一步地，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層均為感光樹(shù)脂材料。

進(jìn)一步地，在所述多個(gè)芯片上布線包括：

在所述多個(gè)芯片的第二表面上形成第一保護(hù)層并在所述第一保護(hù)層中形成與所述導(dǎo)電凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第一過(guò)孔且所述第一過(guò)孔的底部延伸至所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的表面；

在所述第一保護(hù)層上形成導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述導(dǎo)電凸點(diǎn)電連接；

在所述導(dǎo)電圖案上形成第二保護(hù)層并在所述第二保護(hù)層中形成與所述導(dǎo)電凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔且所述第二過(guò)孔的底部延伸至所述導(dǎo)電圖案的表面，在垂直于所述芯片的方向上，所述第二過(guò)孔的投影與對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的投影交疊；

在所述第二過(guò)孔中形成焊球，所述焊球通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述導(dǎo)電圖案電連接。

進(jìn)一步地，所述第一保護(hù)層和所述第二保護(hù)層均為感光樹(shù)脂材料。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種芯片，該芯片采用如上所述的芯片封裝方法進(jìn)行封裝，該芯片包括：

位于晶片的電極上的導(dǎo)電凸點(diǎn)，所述晶片貼附在貼片膜上且所述晶片包括多個(gè)芯片，其中，所述電極位于所述晶片的正面，所述晶片的正面與所述貼片膜貼合；

貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)所述芯片之間具有間隙；

位于所述多個(gè)芯片的背離所述貼片膜的第一表面上的第一絕緣層，以及去除所述貼片膜后位于所述多個(gè)芯片的面向所述貼片膜的第二表面上的第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層露出所述導(dǎo)電凸點(diǎn)；

位于所述多個(gè)芯片上的布線層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片及其封裝方法，將晶片貼附在貼片膜上，可固定晶片，便于對(duì)晶片進(jìn)行劃片形成多個(gè)芯片，再通過(guò)拉伸貼片膜使貼片膜撐開(kāi)，進(jìn)而使得任意相鄰兩個(gè)芯片之間具有間隙，在芯片的第一表面和第二表面上分別形成第一絕緣層和第二絕緣層并露出導(dǎo)電凸點(diǎn)，便于后續(xù)芯片堆疊，封裝完成后對(duì)芯片布線后進(jìn)行切割形成芯片產(chǎn)品。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例中無(wú)需提供一承載片并在承載片上貼芯片粘結(jié)膠以作為臨時(shí)鍵合結(jié)構(gòu)，也無(wú)需采用貼片工藝將裁切好的多個(gè)芯片按照一定間隔倒裝在粘結(jié)膠上，因此減少了封裝工藝流程，降低了封裝成本，消除了因貼片工藝誤差導(dǎo)致的重構(gòu)芯片位置精度的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖做一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝方法的流程圖；

圖2A～圖2J是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝工藝的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片的局部示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將參照本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，通過(guò)實(shí)施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種芯片封裝方法的流程圖。本實(shí)施例提供的芯片封裝方法具體包括如下步驟：

步驟110、在晶片的電極上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)，將晶片貼附在貼片膜上并將晶片切割為多個(gè)芯片，其中，電極位于晶片的正面，晶片的正面與貼片膜貼合。

本實(shí)施例中晶片是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，多指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，通常為圓形，因此也稱為晶圓。本實(shí)施例中晶片是晶圓加工廠已經(jīng)加工好的晶圓片，選定晶圓片后在晶圓片的一側(cè)表面設(shè)置有電極，本實(shí)施例中還在晶片的電極上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)，設(shè)置導(dǎo)電凸點(diǎn)后能夠使互連長(zhǎng)度更短，互連的電阻和電感更小，器件的電性能得到明顯提高和改善。本實(shí)施例中晶片的正面是指晶片具有電極和導(dǎo)電凸點(diǎn)的一側(cè)表面也稱為功能面，晶片的不具有電極的一側(cè)基板表面為晶片背面也稱為非功能面。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明中晶片不僅限于硅晶片且其形狀不僅限于圓形，任意一種用于制造芯片的晶片均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本實(shí)施例中貼片膜的至少一側(cè)表面具有粘性，晶片正面貼附在貼片膜的具有粘性的一側(cè)表面上，則貼片膜能夠固定晶片。晶片固定在貼片膜后，可采用劃片工藝對(duì)晶片進(jìn)行切割以形成多個(gè)芯片。在本實(shí)施例中可選貼片膜置于平臺(tái)上便于進(jìn)行晶片劃片。

可選的，在貼附晶片之前可對(duì)晶片的正面和背面進(jìn)行研磨減薄。從晶圓加工廠中采選晶片后，在運(yùn)輸過(guò)程中晶片可能出現(xiàn)鋸痕和表面損傷，則采用研磨工藝研磨晶片能夠減少晶片正面和背面的鋸痕和表面損傷，同時(shí)研磨還能夠減薄晶片厚度，幫助釋放晶片生產(chǎn)過(guò)程中積累的應(yīng)力，提高晶片質(zhì)量。

步驟120、拉伸貼片膜以使貼附在貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)芯片之間具有間隙。

本實(shí)施例中劃片完成后，通過(guò)拉伸貼片膜可以撐開(kāi)貼片膜，則貼合在貼片膜上的各個(gè)芯片之間也出現(xiàn)間隙，具體的拉伸完成后貼附在貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)芯片之間均具有間隙。可選的，采用張膜機(jī)拉伸貼片膜以使貼片膜撐開(kāi)，使貼附在貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)芯片之間具有間隙，張膜機(jī)用于拉伸薄膜并將薄膜撐開(kāi)，則在本實(shí)施例中張膜機(jī)應(yīng)用于拉伸貼片膜進(jìn)而撐開(kāi)貼片膜使任意相鄰兩個(gè)芯片之間具有間隙。

可選的，任意相鄰兩個(gè)芯片之間的間隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，芯片間隙包括但不限于以上范圍，相關(guān)從業(yè)人員可根據(jù)產(chǎn)品所需或工藝條件自行確定相鄰兩個(gè)芯片之間的間隙，并通過(guò)控制張膜機(jī)得到所需的芯片間隙尺寸。

上述步驟中，晶片貼附貼片膜后，可直接進(jìn)行劃片并通過(guò)拉伸貼片膜實(shí)現(xiàn)各個(gè)芯片貼片，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無(wú)需提供一承載片并在承載片上貼芯片粘結(jié)膠以作為臨時(shí)鍵合結(jié)構(gòu)，也無(wú)需采用貼片工藝將裁切好的多個(gè)芯片按照一定間隔倒裝在粘結(jié)膠上，因此無(wú)需采用臨時(shí)鍵合工藝和貼片工藝，減少了封裝工藝流程，降低了封裝成本。

步驟130、在所述多個(gè)芯片的背離貼片膜的第一表面上形成第一絕緣層，以及去除貼片膜并在所述多個(gè)芯片的面向貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出導(dǎo)電凸點(diǎn)。

在所述多個(gè)芯片的背離貼片膜的第一表面上形成第一絕緣層，則第一絕緣層填充芯片間的間隙并將芯片的第一表面包裹住，便于后續(xù)芯片堆疊。對(duì)芯片的第一表面進(jìn)行封裝后可以對(duì)芯片的功能面進(jìn)行導(dǎo)電圖案設(shè)置，因此需去除貼片膜。已知芯片的電極上設(shè)置有導(dǎo)電凸點(diǎn)，為了避免導(dǎo)電凸點(diǎn)損壞以及防止相鄰導(dǎo)電凸點(diǎn)之間發(fā)生短路，在所述多個(gè)芯片的面向貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出導(dǎo)電凸點(diǎn)，由此實(shí)現(xiàn)了封裝過(guò)程，便于后續(xù)芯片堆疊。

步驟140、在所述多個(gè)芯片上布線且布線完成后切割以形成多個(gè)芯片產(chǎn)品。

本實(shí)施例中封裝完成后，可在芯片上布線，按照所需的導(dǎo)電圖案進(jìn)行布線且布線完成后即可對(duì)封裝好的晶片進(jìn)行切割以形成多個(gè)芯片產(chǎn)品，芯片產(chǎn)品可應(yīng)用在集成電路中。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，相關(guān)從業(yè)人員可根據(jù)產(chǎn)品所需自行在芯片上設(shè)置導(dǎo)電圖案布線層，在本發(fā)明中不對(duì)布線工藝和流程進(jìn)行具體限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，相關(guān)從業(yè)人員也可根據(jù)產(chǎn)品或工藝所需，先切割封裝體后進(jìn)行芯片布線，在本發(fā)明中不對(duì)芯片布線進(jìn)行具體限制。

本實(shí)施例提供的芯片封裝方法，將晶片貼附在貼片膜上，可固定晶片，便于對(duì)晶片進(jìn)行劃片形成多個(gè)芯片，再通過(guò)拉伸貼片膜使貼片膜撐開(kāi)，進(jìn)而使得任意相鄰兩個(gè)芯片之間具有間隙，在芯片的第一表面和第二表面上分別形成第一絕緣層和第二絕緣層并露出導(dǎo)電凸點(diǎn)，便于后續(xù)芯片堆疊，封裝完成后對(duì)芯片布線后進(jìn)行切割形成芯片產(chǎn)品。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中無(wú)需提供一承載片并在承載片上貼芯片粘結(jié)膠以作為臨時(shí)鍵合結(jié)構(gòu)，也無(wú)需采用貼片工藝將裁切好的多個(gè)芯片按照一定間隔倒裝在粘結(jié)膠上，因此減少了封裝工藝流程，降低了封裝成本，消除了因貼片工藝誤差導(dǎo)致的重構(gòu)芯片位置精度的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例二還提供一種芯片封裝工藝，具體的該芯片封裝工藝如圖2A～圖2J所示。本實(shí)施例提供的芯片封裝工藝具體包括如下步驟：

圖2A所示，提供一貼片膜10?？蛇x該貼片膜10貼附在環(huán)形封裝模具11上，其中，環(huán)形封裝模具11的形狀為圓環(huán)形。將貼片膜10貼附在中間鏤空的環(huán)形封裝模具11上，便于對(duì)貼片膜10進(jìn)行固定和后續(xù)拉伸工藝。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在其他可選實(shí)施例中環(huán)形封裝模具的形狀可選為方環(huán)形，或其他形狀，或者封裝模具為平臺(tái)，在本發(fā)明中不限制承載貼片膜的模具形狀和結(jié)構(gòu)。

圖2B所示，提供一晶片20，該晶片20包括功能面20a(正面)和非功能面20b(背面)，晶片20的功能面20a上具有電極21，如圖2B所示在晶片20的電極21上分別對(duì)應(yīng)形成導(dǎo)電凸點(diǎn)22，在本實(shí)施例中可選通過(guò)掩膜版采用電鍍工藝在晶片20的電極21上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)22。在其他實(shí)施例中還可選采用化學(xué)鍍工藝或引線鍵合工藝在晶片的電極上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，導(dǎo)電凸點(diǎn)的組成材料和制造工藝有多種，在本發(fā)明中不限制導(dǎo)電凸點(diǎn)的組成材料和制造工藝。

圖2C所示，將晶片20貼附在貼片膜10上并將晶片20切割為多個(gè)芯片23，其中，晶片20的正面與貼片膜10貼合?？蛇x在貼片之前可對(duì)晶片20的背面進(jìn)行研磨減薄。已知晶片20貼附在貼片膜10上，貼片膜10具有粘性，因此劃片切割后的多個(gè)芯片23仍舊粘貼在貼片膜10上，無(wú)需貼片工藝進(jìn)行貼片和固定，消除了因貼片工藝誤差導(dǎo)致的重構(gòu)芯片位置精度的問(wèn)題。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，劃片時(shí)可以根據(jù)產(chǎn)品所需自行對(duì)晶片進(jìn)行劃片切割。

圖2D所示，采用張膜機(jī)拉伸貼片膜10，將貼片膜10撐開(kāi)，則貼附在貼片膜10上的任意相鄰兩個(gè)芯片23之間產(chǎn)生了間隙。優(yōu)選任意相鄰兩個(gè)芯片23之間的間隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。

圖2E所示，在多個(gè)芯片23的第一表面(對(duì)應(yīng)晶片20的非功能面20b)上形成第一絕緣層24，可選該第一絕緣層24為感光樹(shù)脂材料。第一絕緣層24填充芯片23間的間隙并將芯片23的第一表面包裹住?？蛇x第一絕緣層24超過(guò)芯片23的第一表面達(dá)50微米以上。在其他可選實(shí)施例中第一絕緣層還可僅能夠填充芯片間的間隙且未包裹住芯片的第一表面。

圖2F所示，去除貼片膜10后，在多個(gè)芯片23的第二表面(對(duì)應(yīng)晶片20的功能面20a)上形成第二絕緣層25，可選該第二絕緣層25為感光樹(shù)脂材料，則第二絕緣層25填充在芯片23上的導(dǎo)電凸點(diǎn)22間，避免相鄰兩個(gè)導(dǎo)電凸點(diǎn)22之間短路。可選在垂直于晶片20的方向上，第二絕緣層25的厚度大于或等于導(dǎo)電凸點(diǎn)22的高度。當(dāng)?shù)诙^緣層25的厚度等于導(dǎo)電凸點(diǎn)22的高度時(shí)，第二絕緣層25填充在任意相鄰的導(dǎo)電凸點(diǎn)22之間且未覆蓋導(dǎo)電凸點(diǎn)22的表面；當(dāng)?shù)诙^緣層25的厚度大于導(dǎo)電凸點(diǎn)22的高度時(shí)，第二絕緣層25填充在任意相鄰的導(dǎo)電凸點(diǎn)22之間且覆蓋導(dǎo)電凸點(diǎn)22的表面，則對(duì)第二絕緣層25進(jìn)行刻蝕處理并刻蝕至導(dǎo)電凸點(diǎn)22的表面。在其他可選實(shí)施例中還可采用研磨工藝對(duì)第二絕緣層25進(jìn)行研磨以露出導(dǎo)電凸點(diǎn)22。由此可形成封裝體。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，第一絕緣層和第二絕緣層的絕緣材料包括但不限于上述示例，任意一種能夠用于封裝芯片的絕緣材料均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。

圖2G所示，在多個(gè)芯片23的面向貼片膜10的第二表面上形成第一保護(hù)層26并在第一保護(hù)層26中形成與導(dǎo)電凸點(diǎn)22對(duì)應(yīng)的第一過(guò)孔26a且第一過(guò)孔26a的底部延伸至導(dǎo)電凸點(diǎn)22的表面。在其他可選實(shí)施例中也可以采用掩膜版形成具有第一過(guò)孔的第一保護(hù)層，第一過(guò)孔露出導(dǎo)電凸點(diǎn)。在本實(shí)施例中可選第一保護(hù)層26的組成材料為絕緣材料，具體可選為感光樹(shù)脂材料。

圖2H所示，在第一保護(hù)層26上形成導(dǎo)電圖案27，導(dǎo)電圖案27通過(guò)第一過(guò)孔26a與導(dǎo)電凸點(diǎn)22電連接。導(dǎo)電圖案27為導(dǎo)電線路，不同集成電路中所需的導(dǎo)電線路可能不同。如圖2H所示僅示出了封裝體的局部結(jié)構(gòu)，相應(yīng)的也僅示出了部分導(dǎo)電圖案27的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電圖案27的組成材料是任意一種導(dǎo)電材料，具體可選為錫焊膏。

圖2I所示，在導(dǎo)電圖案27上形成第二保護(hù)層28并在第二保護(hù)層28中形成與導(dǎo)電凸點(diǎn)22對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔28a且第二過(guò)孔28a的底部延伸至導(dǎo)電圖案27的表面，在垂直于芯片23的方向上，第二過(guò)孔28a的投影與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電凸點(diǎn)22的投影交疊。本實(shí)施例中第二過(guò)孔28a露出部分導(dǎo)電圖案27，該部分導(dǎo)電圖案27在垂直與芯片23的方向上與導(dǎo)電凸點(diǎn)22交疊，即第二過(guò)孔28a露出了與導(dǎo)電凸點(diǎn)22交疊的導(dǎo)電圖案27區(qū)域，便于在后續(xù)進(jìn)行導(dǎo)電凸點(diǎn)22的焊盤(pán)設(shè)置。在本實(shí)施例中可選第二保護(hù)層28的組成材料為絕緣材料，具體可選為感光樹(shù)脂材料。

圖2J所示，在第二過(guò)孔28a中形成焊球29，焊球29通過(guò)第二過(guò)孔28a與導(dǎo)電圖案27電連接。

本實(shí)施例提供的芯片封裝工藝，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無(wú)需提供一承載片并在承載片上貼芯片粘結(jié)膠以作為臨時(shí)鍵合結(jié)構(gòu)，也無(wú)需采用貼片工藝將裁切好的多個(gè)芯片按照一定間隔倒裝在粘結(jié)膠上，因此無(wú)需采用臨時(shí)鍵合工藝和貼片工藝，減少了封裝工藝流程，降低了封裝成本，消除了因貼片工藝誤差導(dǎo)致的重構(gòu)芯片位置精度的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例三還提供一種芯片，該芯片采用如上任意實(shí)施例所述的芯片封裝方法進(jìn)行封裝，如圖3所示該芯片包括：

位于晶片的電極21上的導(dǎo)電凸點(diǎn)22，晶片貼附在貼片膜(后續(xù)工藝中會(huì)去除，未示出)上且晶片包括多個(gè)芯片23，其中，電極21位于晶片的正面，晶片的正面與貼片膜貼合；

貼附在貼片膜上的任意相鄰兩個(gè)芯片23之間具有間隙；

位于多個(gè)芯片23的背離貼片膜的第一表面上的第一絕緣層24，以及去除貼片膜后位于多個(gè)芯片23的面向貼片膜的第二表面上的第二絕緣層25，其中，第二絕緣層25露出導(dǎo)電凸點(diǎn)22；

位于多個(gè)芯片23上的布線層27，具體的，該布線層27為芯片的導(dǎo)電圖案，不同芯片的導(dǎo)電圖案不同。

本實(shí)施例提供的芯片可應(yīng)用于集成電路中。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在此僅示出了一個(gè)芯片的局部結(jié)構(gòu)，芯片還包括其他結(jié)構(gòu)，在此不再贅述和說(shuō)明。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。