本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。其包括晶體二極管、雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管等。半導(dǎo)體器件在生產(chǎn)過程中，需要使用錫膏涂覆在引線框架上，再將芯片覆蓋在錫膏上，具體而言，一般經(jīng)過以下步驟：先將冷凍保存的錫膏解凍，將解凍后的錫膏在引線框架上涂覆，將芯片以貼片的形式設(shè)置在引線框架上，再經(jīng)過回流焊，最終形成成品。傳統(tǒng)的生產(chǎn)過程中，錫膏一般通過點膠的方式涂覆在引線框架上，生產(chǎn)效率不高，而將錫膏通過印刷的方式直接印刷在引線框架上的效率更高，因此得到越來越多的采用，且很多倒裝芯片必須采用印刷錫膏的方式比較精確的控制錫膏的量。由于錫膏本身的特點，錫膏在涂覆后應(yīng)該要在1個小時內(nèi)完成后續(xù)的流程，即直至完成回流焊，否則錫膏中的助焊劑會揮發(fā)出去，產(chǎn)生回流焊時芯片剝離、焊接不牢固和氣泡過大等問題，導(dǎo)致產(chǎn)品報廢。因此，印刷錫膏的設(shè)備的高生產(chǎn)率會對后續(xù)的流程造成很大的壓力，在實際生產(chǎn)過程中，常常由于焊接芯片的設(shè)備和回流焊設(shè)備的異常以及總負(fù)載能力偏低等特點，導(dǎo)致半成品(即印刷有錫膏的引線框架和設(shè)置有芯片的引線框架)滯留時間超過一個小時而報廢，造成極大浪費(fèi)，而且印刷錫膏的設(shè)備不能滿產(chǎn)能運(yùn)轉(zhuǎn)，導(dǎo)致產(chǎn)能浪費(fèi)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提出一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，通過延長涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品的保存期，避免半導(dǎo)體器件成品浪費(fèi)，極大的提高了生產(chǎn)的靈活性。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括：

S4：將涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品在不超過5℃的低溫中儲存；

S5：將在低溫下儲存的半導(dǎo)體器件半成品解凍到5℃以上后繼續(xù)使用。

其中，步驟S4之前包括：

S1：解凍錫膏；

S2：在引線框架上設(shè)置錫膏；

S3：在引線框架上設(shè)置芯片；

所述半導(dǎo)體器件半成品包括設(shè)置有錫膏的引線框架和/或設(shè)置有芯片的引線框架。

其中，步驟S5中的繼續(xù)使用包括：將解凍后的半導(dǎo)體器件半成品進(jìn)行回流焊處理。

其中，所述錫膏通過印刷的方式設(shè)置于所述引線框架上。

其中，半導(dǎo)體器件半成品在-18℃到5℃之間儲存。

其中，所述半導(dǎo)體半成品解凍到10℃到30℃之間。

其中，步驟S4中，涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品經(jīng)過抽真空密封后在低溫下儲存。

其中，抽真空密封具體包括：涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品置于料盒，放入密封袋中，抽真空。

其中，所述密封袋為鋁箔袋或塑料袋。

其中，涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品放入冷柜中實現(xiàn)低溫儲存。

有益效果：本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，包括：S4：將涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品在不超過5℃的低溫中儲存；S5：將在低溫下儲存的半導(dǎo)體器件半成品解凍到5℃以上后繼續(xù)使用。通過在低溫下保存涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品，可以避免錫膏內(nèi)的助焊劑揮發(fā)，不需要限定在1個小時內(nèi)完成后續(xù)工藝，即使遇到后續(xù)工藝設(shè)備出現(xiàn)故障時，也可以避免浪費(fèi)，極大的提高了生產(chǎn)的靈活性，且不再限制錫膏的涂覆設(shè)備的產(chǎn)能，可以滿產(chǎn)能運(yùn)轉(zhuǎn)，避免產(chǎn)能浪費(fèi)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明供的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。

具體實施方式

為使本發(fā)明解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面結(jié)合附圖并通過具體實施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其包括：

S1：解凍錫膏；

S2：在引線框架上設(shè)置錫膏；

S3：在引線框架上焊芯片；

S4：將涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品在不超過5℃的低溫中儲存；

S5：將在低溫下儲存的半導(dǎo)體器件半成品解凍到5℃以上后繼續(xù)使用。

本發(fā)明通過將涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品低溫儲存的方式，利用錫膏在低溫下凝固的特點，可以避免錫膏內(nèi)的助焊劑揮發(fā)，達(dá)到長時間保持半成品的目的，只需要在進(jìn)行后續(xù)工藝前對低溫儲存的半成品解凍，再繼續(xù)完成后續(xù)工藝即可。通過此種方式，可以有效地延長保存期，不需要限定在1個小時內(nèi)完成后續(xù)工藝，在后續(xù)工藝的設(shè)備，如芯片貼片設(shè)備和回流焊設(shè)備出現(xiàn)故障時，可以將半成品保存，避免浪費(fèi)。且對于使用印刷錫膏的高產(chǎn)能方式而言，對半成品的保存還可以滿產(chǎn)能運(yùn)轉(zhuǎn)印刷錫膏的設(shè)備，印刷后的大量半成品可以在低溫中存儲，不必壓制印刷設(shè)備的產(chǎn)能，避免產(chǎn)能浪費(fèi)。

具體而言，半導(dǎo)體器件半成品可以是步驟S1-S3的過程中所生產(chǎn)的引線框架，即包括設(shè)置有錫膏的引線框架和焊接芯片后的引線框架。也可以是通過其他方式制備獲得的帶有錫膏的半成品，只要是在上面設(shè)置有錫膏的具有較短時限的半成品而言，都可以采用低溫儲存后再解凍的方式來延長錫膏的保持時間，從而突破短期處理的局限，極大的提高了生產(chǎn)過程中的靈活性。錫膏可以通過印刷的方式設(shè)置在引線框架上，以獲得較高的工作效率，減低其生產(chǎn)成品，且便于控制涂覆的厚度。低溫儲存的溫度一般控制在-18℃到5℃之間比較合適，既能較好的保存半成品中的錫膏，又避免溫度太低影響錫膏的性能。低溫存儲通過常用的冷卻儲存設(shè)備，如冷柜等冷卻設(shè)備實現(xiàn)即可，此時一般可以控制在-10℃到5℃，降低制冷設(shè)備的功耗，降低成本。在繼續(xù)使用前，一般將半導(dǎo)體半成品解凍常溫即可，常溫是指室溫，一般在10℃到30℃之間。

本發(fā)明中，步驟S5中的繼續(xù)使用包括：將解凍后的半導(dǎo)體器件半成品進(jìn)行回流焊處理，將錫膏熔化，使得芯片和引線框架牢固的焊接在一起。

在步驟S4中，涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件經(jīng)過抽真空密封后在低溫下儲存。抽取真空密封后再存儲的方式可以避免在低溫冷藏和解凍時，水蒸氣等吸附在錫膏上，影響錫膏的質(zhì)量，造成焊接后產(chǎn)品質(zhì)量不佳。具體而言，抽真空密封的方式可以包括：將涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件置于料盒中，再將放入密封袋中，進(jìn)行抽真空處理。通過密封帶密封使用方便、成本低。密封袋可以是為鋁箔袋或塑料袋等常用的密封袋，成本低，也可以使用其他的密封袋，只需要能較好的密封即可。

以上內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。