1.一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括：
S4：將涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品在不超過5℃的低溫中儲存；
S5：將在低溫下儲存的半導(dǎo)體器件半成品解凍到5℃以上后繼續(xù)使用。
2.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟S4之前包括：
S1：解凍錫膏；
S2：在引線框架上設(shè)置錫膏；
S3：在引線框架上設(shè)置芯片；
所述半導(dǎo)體器件半成品包括設(shè)置有錫膏的引線框架和/或設(shè)置有芯片的引線框架。
3.如權(quán)利要求2所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟S5中的繼續(xù)使用包括：將解凍后的半導(dǎo)體器件半成品進(jìn)行回流焊處理。
4.如權(quán)利要求2所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述錫膏通過印刷的方式設(shè)置于所述引線框架上。
5.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，半導(dǎo)體器件半成品在-18℃到5℃之間儲存。
6.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體半成品解凍到10℃到30℃之間。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟S4中，涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品經(jīng)過抽真空密封后在低溫下儲存。
8.如權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，抽真空密封具體包括：涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品置于料盒，放入密封袋中，抽真空。
9.如權(quán)利要求8所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述密封袋為鋁箔袋或塑料袋。
10.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，涂覆有錫膏的半導(dǎo)體器件半成品放入冷柜中實(shí)現(xiàn)低溫儲存。